- •Министерство путей сообщения российской федерации
- •Санкт-петербургский государственный университет путей сообщения
- •Кафедра «Электрическая тяга»
- •Практическая работа
- •Расчёт надёжности системы импульсного регулирования напряжения электрического подвижного состава при внезапных отказах
- •Санкт-Петербург
- •1. Расчёт параметров и выбор элементов системы импульсного регулирования
- •2. Подбор элементов силовой схемы
- •3. Расчёт надёжности системы импульсного регулирования напряжения при основном соединении элементов
- •4. Расчёт надёжности системы импульсного регулирования напряжения на резервном соединении элементов
- •4.1 Расчёт надежности части системы Pс(t)осн , оставшейся на основном соединении
- •4.2 Расчёт надежности части системы Pс(t)рез , находящейся на резервном соединении элементов
- •4.3 Расчёт надежности системы Pс(t)смеш , находящейся на смешанном соединении элементов (с учётом резервирования)
4. Расчёт надёжности системы импульсного регулирования напряжения на резервном соединении элементов
Резервированным соединением элементов системы называется такое соединение, при котором отказ наступает только после отказа основного элемента и всех резервных элементов.
В тиристорно-импульсных преобразователях резервируются тиристоры и диоды. В каждую тиристорную и диодную группу устанавливают по одному резервному тиристору или диоду соответственно. При расчетах следует учитывать, что одновременно резервируется также R – С и Rш цепи. Остальные элементы преобразователя находятся на основном соединении. Таким образом, система импульсного регулирования напряжения работает на смешанном соединении элементов.
4.1 Расчёт надежности части системы Pс(t)осн , оставшейся на основном соединении
№ |
Наименование элементов |
Ni |
λi , 1/ч |
Ni · λi |
||
1 |
Тяговые двигатели |
4 |
2,5 · 10-6 |
10 · 10-6 |
||
2 |
Реакторы |
фильтровые |
3 |
0,5 · 10-5 |
9,5 · 10-5 |
|
коммутирующие |
4 |
|||||
сглаживающие |
6 |
|||||
дроссели насыщения |
6 |
|||||
Всего |
19 |
|||||
3 |
Конденсаторы |
фильтровые |
27 |
0,25 · 10-5 |
7,75 · 10-5 |
|
коммутирующие |
4 |
|||||
Всего |
31 |
|||||
4 |
Соединения |
254 |
0,04 · 10-6 |
1,016 · 10-5 |
||
Σ Ni · λi |
192,66 · 10-6 |
|||||
t , час |
0 |
1000 |
2000 |
3000 |
4000 |
Pc(t)осн |
1 |
0,82476 |
0,68023 |
0,56103 |
0,46271 |
t , час |
5000 |
6000 |
7000 |
8000 |
9000 |
10000 |
Pc(t)осн |
0,38163 |
0,31475 |
0,259598 |
0,21416 |
0,17658 |
0,14564 |
4.2 Расчёт надежности части системы Pс(t)рез , находящейся на резервном соединении элементов
Pс(t)рез = Pтир(t)рез · Pдиод(t)рез · PRш(t)рез · PR(t)рез · PС(t)рез
где К – число однотипных резервируемых элементов
Наименование |
Ni |
λi , 1/ч |
Число групп |
|
Конденсаторы Rc-цепей |
20 |
2,50E-06 |
4 |
Одинарное напряжение |
Тиристоры |
20 |
2,50E-05 |
4 |
|
Диоды |
20 |
3,00E-05 |
4 |
|
Резисторы Rc-цепей |
20 |
4,00E-06 |
4 |
|
Резисторы Rш-цепей |
20 |
4,00E-06 |
4 |
|
Конденсаторы Rc-цепей |
20 |
2,50E-06 |
2 |
Двойное напряжение |
Диоды |
20 |
3,00E-05 |
2 |
|
Резисторы Rc-цепей |
20 |
4,00E-06 |
2 |
|
Резисторы Rш-цепей |
20 |
4,00E-06 |
2 |
Наименование элементов |
k |
Расчётное соотношение |
t |
||||||||||
|
|
|
0 |
1000 |
2000 |
3000 |
4000 |
5000 |
6000 |
7000 |
8000 |
9000 |
10000 |
Конденсаторы Rc-цепей |
4 |
P(t)=(e-nλt(1+n)-ne-λt(n+1))c |
1 |
0,99963 |
0,99853 |
0,99672 |
0,99423 |
0,99107 |
0,98728 |
0,98287 |
0,97788 |
0,97231 |
0,96620 |
Тиристоры |
4 |
P(t)=(e-nλt(1+n)-ne-λt(n+1))l |
1 |
0,96620 |
0,88061 |
0,76622 |
0,64200 |
0,52136 |
0,41237 |
0,31892 |
0,24190 |
0,18040 |
0,13254 |
Диоды |
4 |
P(t)=(e-nλt(1+n)-ne-λt(n+1))h |
1 |
0,95246 |
0,83712 |
0,69188 |
0,54474 |
0,41237 |
0,30221 |
0,21552 |
0,15019 |
0,10259 |
0,06887 |
Резисторы Rc-цепей |
4 |
P(t)=(e-nλt(1+n)-ne-λt(n+1))u |
1 |
0,99905 |
0,99628 |
0,99176 |
0,98559 |
0,97788 |
0,96871 |
0,95819 |
0,94642 |
0,93350 |
0,91953 |
Резисторы Rш-цепей |
4 |
P(t)=(e-nλt(1+n)-ne-λt(n+1))q |
1 |
0,99905 |
0,99628 |
0,99176 |
0,98559 |
0,97788 |
0,96871 |
0,95819 |
0,94642 |
0,93350 |
0,91953 |
Конденсаторы Rc-цепей |
2 |
P(t)=(e-2nλt(1+2n)-2ne-λt(1+2n))c |
1 |
0,99932 |
0,99735 |
0,99414 |
0,98977 |
0,98431 |
0,97783 |
0,97039 |
0,96207 |
0,95292 |
0,94301 |
Диоды |
2 |
P(t)=(e-2nλt(1+2n)-2ne-λt(1+2n))g |
1 |
0,92115 |
0,75414 |
0,57229 |
0,41189 |
0,28508 |
0,19149 |
0,12561 |
0,08082 |
0,05118 |
0,03198 |
Резисторы Rc-цепей |
2 |
P(t)=(e-2nλt(1+2n)-2ne-λt(1+2n))w |
1 |
0,99829 |
0,99335 |
0,98548 |
0,97496 |
0,96207 |
0,94706 |
0,93020 |
0,91172 |
0,89184 |
0,87078 |
Резисторы Rш-цепей |
2 |
P(t)=(e-2nλt(1+2n)-2ne-λt(1+2n))b |
1 |
0,99829 |
0,99335 |
0,98548 |
0,97496 |
0,96207 |
0,94706 |
0,93020 |
0,91172 |
0,89184 |
0,87078 |
Pc(t)рез |
1 |
0,84232 |
0,54225 |
0,28716 |
0,13089 |
0,05292 |
0,01939 |
0,00654 |
0,00206 |
0,00061 |
0,00017 |
||
