- •1.1 Цель работы
- •1.2 Общие сведения
- •1.3 Области применения
- •1.4 Номенклатура микроконтроллеров семейства pic16f8хх
- •1.5 Технические характеристики микроконтроллера pic16f877
- •1.6 Архитектура микроконтроллера pic16f877
- •1.7 Основные регистры специального назначения
- •1.7.1 Регистр status
- •1.7.2 Регистр option_reg
- •1.7.3 Регистр intcon
- •1.7.4 Регистр pie1
- •1.7.5 Регистр pir1
- •1.7.6 Регистр pie2
- •1.7.7 Регистр pir2
- •1.7.8 Регистр pcon
- •1.7.9 Регистры pclath и pcl
- •1.7.10 Вычисляемый переход
- •1.7.11 Стек
- •1.7.12 Страницы памяти программ
- •1.7.13 Косвенная адресация, регистры indf и fsr
- •1.8 Порты ввода/вывода
- •1.8.1 Регистры portа и trisa
- •1.8.2 Регистры portb и trisb
- •1.8.3 Регистры portc и trisc
- •1.8.4 Регистры portd и trisd
- •1.8.5 Регистры porte и trise
- •1.9 Eeprom память данных и flash память программ
- •1.9.1 Регистры eecon1, eecon2
- •1.9.2 Чтение из eeprom памяти данных
- •1.9.3 Запись в eeprom память данных
- •1.10 Модуль таймера tmr0
- •1.10.1 Прерывания от tmr0
- •1.10.2 Использование внешнего источника тактового сигнала для tmr0
- •1.10.3 Предделитель
- •1.11 Модуль таймера tmr1
- •1.11.1 Работа tmr1 в режиме таймера
- •1.11.2 Работа tmr1 в режиме счетчика
- •1.11.3 Работа tmr1 в режиме синхронного счетчика
- •1.11.4 Работа tmr1 в режиме асинхронного счетчика
- •1.11.5 Чтение/запись tmr1 в асинхронном режиме
- •1.11.6 Генератор tmr1
- •1.11.7 Сброс tmr1 триггером модуля сср
- •1.11.8 Сброс регистров tmr1 (tmr1h, tmr1l)
- •1.11.9 Предделитель tmr1
- •1.12 Прерывания
- •1.12.1 Внешнее прерывание с входа rb0/int
- •1.12.2 Прерывание по переполнению tmr0
- •1.12.3 Прерывание по изменению уровня сигнала на входах rb7:rb4
- •1.13 Система команд
1.9 Eeprom память данных и flash память программ
Данные из EEPROM памяти и FLASH памяти программ могут быть прочитаны/перезаписаны в нормальном режиме работы микроконтроллера во всем диапазоне напряжения питания Vdd. Операции выполняются с одним байтом для EEPROM памяти данных, и одним словом для FLASH памяти программ. Запись производится по принципу "стирание - запись" для каждого байта или слова. Сформированная кодом программы операция стирания не может быть выполнена при включенной защите записи.
Доступ к памяти программ позволяет выполнить вычисление контрольной суммы. Данные, записанные в памяти программ, могут использоваться в виде: 14-разрядных чисел, калибровочной информации, серийных номеров, упакованных 7-разрядных символов ASCII и т.д. В случае обнаружения недействительной команды в памяти программ, выполняется пустой цикл NOP.
Число циклов стирания/записи для FLASH памяти программ значительно ниже по сравнению с EEPROM памятью данных, поэтому EEPROM память данных должна использоваться для сохранения часто изменяемых данных. Время записи данных управляется внутренним таймером, оно зависит от напряжения питания, температуры и имеет небольшой технологический "разброс".
При записи байта или слова автоматически стирается соответствующая ячейка, а затем выполняется запись. Запись в EEPROM память программ не воздействует на выполнение программы, а при записи во FLASH память программ выполнение программы останавливается на время записи. Нельзя обратиться к памяти программ во время цикла записи. В течение операции записи тактовый генератор продолжает работать, периферийные модули включены и генерируют прерывания, которые "ставятся в очередь" до завершения цикла записи. После завершения записи выполняется загруженная команда (из-за конвейерной обработки) и происходит переход по вектору прерываний, если прерывание разрешено и условие прерывания возникло во время записи.
Доступ к функциям записи/чтения EEPROM памяти данных и FLASH памяти программ выполняется через шесть регистров специального назначения:
EEDATA;
EEDATH;
EEADR;
EEADRH;
EECON1;
EECON2.
Операции чтения/записи EEPROM памяти данных не приостанавливают выполнение программы. В регистре EEADR сохраняется адрес ячейки EEPROM памяти данных. Данные сохраняются/читаются из регистра EEDATA. В PIC16F877 объем EEPROM памяти данных 256 байт (используются все 8-разрядов регистра EEADR).
Чтение FLASH памяти программ не влияет на выполнение программы, а во время операции записи выполнение программы приостановлено. В спаренных регистрах EEADRH:EEADR сохраняется 13-разрядный адрес ячейки памяти программ, к которой необходимо сделать обращение. Спаренные регистры EEADRH:EEADR содержат 14-разрядные данные для записи или отображают значение из памяти программ при чтении. Также как для EEPROM памяти данных, в регистры EEADRH:EEADR должен быть загружен адрес физически реализованной памяти программ (для PIC16F877 от 0000h до 1FFFh), потому что циклическая адресация не поддерживается (т.е. ячейка с адресом 4000h не отображается на 0000h для PIC16F877).