База элементов

База элементов (Электронные компоненты/радиодетали) — составляющие части электронных схем.

По виду ВАХ

По виду вольт-амперной характеристики (ВАХ) (или по способу действия в электрической цепи) выделяют две группы электронных компонентов (ЭК):

• пассивные или линейные ЭК — ЭК, ВАХ которых имеет линейный характер;

• активные или нелинейные ЭК — ЭК, ВАХ которых имеет нелинейный характер.

Пассивными являются следующие ЭК:

• базовые ЭК, имеющиеся практически во всех электронных схемах радиоэлектронной аппаратуры (РЭА):

  • сопротивления, реализованные в виде резисторов;

  • ёмкости, реализованные в виде конденсаторов;

• ЭК, в которых используется явление электромагнитной индукции:

  • трансформаторы;

  • дроссели (катушки индуктивности);

• ЭК, построенные на базе электромагнитов:

  • соленоиды;

  • реле;

• пьезоэлектрические ЭК:

  • кварцевый резонатор;

• линии задержки, применяемые в радиоэлектронике;

• всевозможные соединители и разъединители цепи — ключи, применяемые для создания электрических цепей;

• предохранители, применяемые для защиты цепей от перенапряжения и короткого замыкания;

• индикаторы, применяемые для создания световых сигналов;

• динамики (точнее, динамические головки громкоговорителей), применяемые для создания звуковых сигналов;

• микрофон и видеокамера, применяемые для формирования сигнала;

• антенны, применяемые для излучения или приёма радиоволн;

• аккумуляторы, применяемые для обеспечения работы устройств вне сети электрического тока.

К активным ЭК относят:

• вакуумные приборы (появились с развитием электроники):

  • электронные лампы:

    • электровакуумный диод, триод, тетрод, пентод, гексод, гептод, октод, нонод;

    • комбинированные лампы;

  • и другие;

• полупроводниковые приборы (получили распространение в дальнейшем):

  • диод, стабилитрон;

  • транзистор: полевой, биполярный, биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT), биполярный транзистор со статической индукцией;

  • тиристор, симистор;

  • и более сложные комплексы на их основе — интегральные схемы (микросхемы) — цифровые и аналоговые;

  • фотоэлектрические ЭК:

    • фоторезистор;

    • фотодиод;

    • фототранзистор;

    • оптрон (оптопара);

    • солнечная батарея.

1)Транзисторы

Схема биполярного транзистора «pnp» и «npn» типа.

Схема полевого транзистора с n и p каналами.

Транзистор — радиоэлектронный компонент изготовленный на основе полупроводникового материала, часто(не всегда) снабженный тремя выводами, позволяющий управлять током в электрической цепи, при помощи входного сигнала. Управляющий сигнал не обязательно должен быть электрическим. Например, фототранзисторы - управляются светом. Применяется для усиления слабых сигналов переменного и постоянного тока, генерации гармонических колебаний, как ключевой элемент электронных логических элементов.

Вне зависимости от принципа работы, полупроводниковый транзистор содержит в себе монокристалл из основного полупроводникового материала, чаще всего это - кремний, германий, арсенид галлия. В основной материал добавлены, легирующие добавки для формирования p-n перехода(переходов), металлические выводы.

Транзисторы. Устройство транзистора.

Виды транзисторов: полевые и биполярные.

ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ:

В работе отдельного полевого транзистора участствует какой - то один из видов носителей тока, в зависимости от вида проводника(p либо n). Входное сопротивление полевых транзисторов велико (у транзисторов с изолированным затвором носит фактически - емкостной характер) и они управляются напряжением. Полевые транзисторы используются в цифровой технике.

БИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ:

При работе биполярных транзисторов используется два вида носителей тока - отрицательные электроны и положительные т. н. - "дырки". Биполярные транзисторы имеют сравнительно небольшое сопротивление и как правило - управляются током. Биполярные транзисторы чаще используются в аналоговой технике.

Определение типа биполярного транзистора:

Для транзисторов типа «p-n-p» эквивалентные диоды соединяются катодами, а «n-p-n» соединяются анодами. Проверка омметром сводится к тестированию переходов p-n – коллектор база и эмиттер-база. Минусовой выход омметра у «p-n-p» подключается к базе, а плюсовой поочередно к коллектору и эмиттеру. У «n-p-n» подключение производится в обратном порядке.

Определите при помощи устройства вывод базы по обратным и прямым сопротивлениям переходов коллектора и эмиттера. Вывод базы обычно располагается посередине или справа, поэтому подсоедините черный и красный щупы к правому и левому выводу.Если индикатор показал большое сопротивление («1»), то попробуйте другую комбинацию посредством подсоединения к центральному и левому выводу и к центральному и правому выводу, чередуя красный и черный щупы.Если к центральному выводу базы был подсоединен черный щуп, то можно считать, что транзистор имеет тип «p-n-p».Если был бы подсоединен красный зажим, то транзистор можно было бы отнести к типу «n-p-n».