МЕЖДУНАРОДНЫЙ ИНСТИТУТ КОМПЬЮТЕРНЫХ ТЕХНОЛОГИЙ
Кафедра сетей связи и систем коммутации
Методические указания
к лабораторным работам по дисциплине
«Электроника»
студентов специальности 210406
«Сети связи и системы коммутации»
очной и заочной форм обучения
Воронеж 2012
УДК 621.391
Составители: канд. техн. наук, доц. Р. П. Краснов
Рецензент канд. техн. наук, проф. О.С. Хорпяков
Методические указания к лабораторным работам по дисциплине «Электроника» студентов специальности 210406 «Сети связи и системы коммутации» очной и заочной форм обучения / сост. Р. П. Краснов. – Воронеж: Международ. ин-т комп. техн., 2012. – 88 с.
Методические указания содержат материал для проведения лабораторных работ по курсу «Электроника». Предназначены для студентов очной и очно-заочной форм обучения специальности 210406 «Сети связи и системы коммутации» направления 654400 «Телекоммуникации».
Ответственный за выпуск зав. кафедрой «Сети связи и системы коммутации» канд. техн. наук, доц. О.С. Хорпяков
© Краснов Р. П., составление, 2012
© Международный институт компьютерных технологий, 2012
Содержание
Лабораторная работа 1
Исследование вольт-амперных характеристик полупроводниковых диодов и стабилитронов 4
Лабораторная работа 2
Исследование статических характеристик
биполярного транзистора 10
Лабораторная работа 3
Исследование характеристик полевого транзистора с управляющим pn-переходом 18
Лабораторная работа 4
Исследование статических характеристик
МДП-транзисторов 25
Лабораторная работа 5
Исследование усилительного каскада на биполярных транзисторах 33
Лабораторная работа 6
Изучение работы усилительных каскадов на базе
операционных усилителей 39
Лабораторная работа 7
Изучение работы активных фильтров с применением операционных усилителей 47
Лабораторная работа 8
Исследование принципов функционирования схем автогенераторов 55
Приложение 60
П1 Сведения о MicroCap 60
П2 Создание схемы и редактирование свойств
компонентов 60
П3 Моделирование работы схемы и анализ результатов 64
П4 Обозначение чисел 72
П5 Общие сведения о моделях компонентов 74
Список литературы 87
Лабораторная работа 1 Исследование вольт-амперных характеристик полупроводниковых диодов и стабилитронов
Цель работы
1 Изучить принципы функционирования полупроводниковых диодов и стабилитронов
2 Ознакомиться с работой пакетa MicroCap.
1.1 Теоретические сведения
Диодом называют полупроводниковый прибор с одним pn-переходом и двумя внешними выводами. По назначению диоды делят на выпрямительные, высокочастотные, импульсные, стабилитроны и т.д. Их изготавливают на основе кремния или арсенида галлия. Выпрямительные диоды предназначены для преобразования переменного тока низкой частоты в постоянный ток. Вольт-амперная характеристика (ВАХ) выпрямительного диода, его условное графическое изображение (УГО) и буквенное обозначение даны на рис.1.1. Основные параметры выпрямительного диода: предельно допустимый постоянный ток диода Iпр.max и максимально допустимое обратное напряжение Uобр.max.
Рис. 1.1 ВАХ и УГО диода
Стабилитрон – это полупроводниковый диод, предназначенный для стабилизации напряжения. Он имеет достаточно низкое напряжение пробоя (при обратном включении) и может поддерживать это напряжение на постоянном уровне при значительном изменении силы обратного тока. Благодаря этому эффекту стабилитроны широко применяются в источниках питания. Вольт-амперная характеристика и условное графическое обозначение стабилитрона представлено на рис. 1.2.
Рис. 1.2 ВАХ и УГО стабилитрона
В стабилитронах для создания pn-перехода, используются материалы с высокой концентрацией примесей. При относительно небольших обратных напряжениях в pn-переходе возникает сильное электрическое поле, вызывающее его электрический пробой. При этом электрический пробой является обратимым (если конечно не наступит тепловой пробой вследствие слишком большой силы тока).
В основе работы стабилитрона лежат два механизма: лавинный и туннельный пробои pn-перехода. Туннельный пробой pn-перехода в англоязычной литературе называется эффектом Зенера, поэтому стабилитрон имеет еще одно название - диод Зенера.
Основными характеристики стабилитронов являются:
- напряжение стабилизации - значение напряжения на стабилитроне при прохождении заданного тока стабилизации;
- температурный коэффициент напряжения стабилизации - величина, определяемая отношением относительного изменения температуры окружающей среды при постоянном токе стабилизации;
- дифференциальное сопротивление - величина, определяемая отношением приращения напряжения стабилизации к вызвавшему его малому приращению тока в заданном диапазоне частот;
- максимально допустимая рассеиваемая мощность - максимальная постоянная или средняя мощность, рассеиваемая на стабилитроне, при которой обеспечивается заданная надёжность.
1.2 Проведение компьютерного эксперимента
1.2.1 Запустить программу MicroCap.
1.2.2 Составить схему для снятия вольт-амперной характеристики, согласно показанной на рис. 1.3.
Рис. 1.3 Схема для снятия ВАХ диода
В зависимости от номера бригады по указанию преподавателя использовать следующие диоды:
-
1 – 1N4001
4 – 1N4148
2 – 1N4007
5 – 1N4106
3 – 1N4008
6 – 1N4110
1.2.3 Запустить анализ по постоянному току (DC Analysis), построить вольт-амперную характеристику диода.
1.2.3.1 Выбрать пункт меню «Анализ→Анализ по постоянному току». Установить в качестве переменной значение напряжения источника V1, закон изменения переменной – линейный (Linear), как показано на рис. 1.4. Установить автомасштабирование графиков.
Рис. 1.4 Окно установок анализа по постоянному току
1.2.3.2 Для того, чтобы отобразить вольт-амперную характеристику диода, необходимо задать в качестве выражения по оси Х – напряжение от источника V1 схемы V(D1), а в качестве выражения по оси Y – ток диода D1 схемы I(D1).
1.2.3.3 Запустить анализ, при необходимости подобрать масштаб отображения, изменяя диапазон значений переменной V1. Полученную вольт-амперную характеристику занести в отчет.
1.2.4 Составить схему для снятия вольт-амперной характеристики, согласно показанной на рис. 1.5.
В зависимости от номера бригады по указанию преподавателя использовать следующие стабилитроны:
-
1 – BZV90C30
4 – BZX55C3V6
2 – BZV85-C33
5 – BZX55C3V9
3 – BZV85-C3V6
6 – BZX55C5V1
Рис. 1.5 Схема для снятия ВАХ стабилитрона
1.2.5 Запустить анализ по постоянному току (DC Analysis), построить вольт-амперную характеристику стабилитрона.
1.2.5.1 Выбрать пункт меню «Анализ→Анализ по постоянному току». Установить в качестве переменной значение напряжения источника V1, закон изменения переменной – линейный (Linear), как показано на рис. 1.4. Установить автомасштабирование графиков.
1.2.5.2 Для того, чтобы отобразить вольт-амперную характеристику стабилитрона, необходимо задать в качестве выражения по оси Х – напряжение от источника V1 схемы DCINPUT1, а в качестве выражения по оси Y – ток стабилитрона D1 схемы I(D1).
1.2.5.3 Запустить анализ, при необходимости подобрать масштаб отображения, изменяя диапазон значений переменной V1. Полученную вольт-амперную характеристику занести в отчет.
1.2.6 Определить статическое и динамическое сопротивление по вольтамперным характеристикам.
Чтобы определить статическое сопротивление в какой-либо точке ВАХ, например в точке А (рис. 1.6), необходимо найти напряжение и ток, соответствующие этой точке, и применить закон Ома:
.
Динамическое (дифференциальное) сопротивление находится как отношение приращений напряжения DU и тока DI (рис. 1.6):
Рис. 1.6 Определение статического и динамического сопротивлений по вольтамперной характеристике
1.3 Содержание отчета
- название и цель лабораторной работы;
- схема для снятия и ВАХ диода;
- схема для снятия и ВАХ стабилитрона;
- расчет статического и динамического сопротивления диода и стабилитрона;
- краткие выводы по результатам работы.
1.4 Контрольные вопросы
1 Почему прямая ветвь начинает хорошо проводить ток только по достижении некоторого напряжения (порядка 1В)?
2 Почему в обратном направлении диод практически не проводит ток?
3 Как отличаются друг от друга статическое и динамическое сопротивления прямой ветви диода?
4 Как соотносятся статическое и динамическое сопротивления прямой ветви диода?
5 Как соотносятся статические сопротивления прямой и обратной ветвей диода?