- •Основні показники мікроелектроніки
- •Основні показники інтегральних мікросхем
- •Загальна схема технологічного процесу виробництва імс
- •Фізичні особливості тонких плівок.
- •Методи виготовлення тонких плівок
- •Катодне розпилення.
- •Реактивне розпилення
- •Літографія
- •Фотолітографія
- •Ренгенолітографія
- •Електронолітографія
- •Проектування гібридних інтегральних схем гіс.
- •Розрахунок і конструювання елементів гіс.
- •Розрахунок товсто плівкових резисторів.
- •Тонкоплівкові конденсатори
- •Топологічне проектування
- •Епітаксія.
- •Нова схемотехніка біполярних віс
- •Самостійно: порівняння схем, Підручник, 549-552.
- •Квантові технології електронної техніки
- •1. Генерація носіїв заряду и рекомбінація носіїв заряду
- •Інверсне заселення рівнів
- •Параметри окг.
- •Принцип дії, властивості та області застосування окг.
- •Твердотільні лазери
- •Напівпровідникові окг
- •Лазери з електронним накачуванням енергії
- •Принципи створення лазерів нового покоління.
- •1. Іонізація – це процес створення окремих електричних зарядів. Таким випромінюванням є:
Катодне розпилення.
1 – ковпак вакуумної установки.
2 – екран
3 – підкладки мікросхеми
4 – основа для підкладок – анода
5 – нагрівач підкладок
6 – основа установки(металева плита)
7,8 – для реактивного методу
9 – до системи відкачки повітря з під ковпака
10,11 – заслонка
12 – матеріал, що розпилюється(матеріал майбутньої плівки) – катод.
діаметр – 10-12см.
відстань між 3 і 12 – 1-2 сантиметри
Принцип дії:
З під ковпака викачується повітря і створюється тиск 10-4-10-5 мм-
Між анодом і катодом подається висока напруга біля 10кВ. Через систему 7-8 подається нейтральний газ (один, чи суміш), наприклад аргон. Таким чином, щоб тиск під ковпаком становив 10-2ммНg. Під дією високої напруги між 3 і 12(анодом і катодом) виникає газовий розряд до виникнення у цьому проміжку плазми. Склад плазми – електрони та іони аргону, позитивно заряджені. Під дією електричного поля важкі іони розганяються у напрямку «анод-катод», здобувають кінетичну енергію Ек і бомбардують катод(мішень) з матеріалу майбутньої плівки. При правильно вибраних параметрах ця енергія достатня для вибивання атомів з мішені. Мішень розпилюється. Її атоми рухаються у всіх напрямках у тому числі до підкладок 3, створюючи плівку цього матеріалу необхідної товщини. При заданих параметрах товщина регулюється часом напилення. Швидкість напилення – 10-ті долі за хвилини.
Заслонка. У першу мить з поверхні мішені можуть розпилитись атоми забруднень. Потік цих атомів відсікає заслонка 11. Потом її відводять. Для правильного процесу проходження конденсації атомів на поверхню підкладок їх підігрівають нагрівачем 5. Переваги методу - високий ступень однорідності плівок по складу і товщині.
Недолік - недостатня відтворюваність результатів напилення, нестабільність горіння плазми.
Виникнення і стабільне існування плазми залежить від щільності і стабільності постачання електронів для неї. При такій конструкції установки частина електронів може виходити з плазми на елементи конструкції установки. Щільність електронів у плазмі може змінюватись. Бомбардування буде нестабільним.
Матеріалами мішені можуть бути будь-які речовини.
Іони аргону переносять не тільки масу але і позитивний заряд. На поверхні мішені виділяється цей позитивний заряд і з часом виникає зустрічне електричне поле, яке екранує вихідне електричне поле. Плазма може зменшити свою інтенсивність чи навіть згасати. Для усунення цього недоліку напругу «анод-катод» імпульсне із змінною полярністю. Частота – десятки кГц. Крім аргону можна використовувати азот.
Реактивне розпилення
Установка та ж сама. Додатково через систему 7-8 крім нейтрального газу, що створює плазму подається реактивний газ, який може вступати в хімічну реакцію з атомами мішені, тоді в результаті ми будемо мати не моно атомну плівку за складом, а сполуку її атомів з молекулами реактивного газу, тобто А – атоми мішені, + В – молекули реактивного газу,
= АВ.
Si+ О2=SiО2
Магнетронний метод розпилення
У цьому методі усунено недолік катодного метода – нестабільність горіння плазми.
Побудований таким чином, що в коло побудовані електричні магніти (1) а всередині кола горить плазма 2.
Термовакуумний метод використовують у виробництві приватних схем.
Група хімічних методів осадження плівок.
1 – подача газу носія
2 – очистка газу
3 – система подачі робочого газу – постачальник матеріалу майбутньої плівки
4 – подача реактивного газу, домішки
5 – реактивна камера, спеціальне кварцове скло
6 – нагрівач
7 – контейнер підкладок
8 – підкладки
9 – компоненти робочого газу 3
10 – відпрацьовані гази
11 – вихід відпрацьованих газів
12 – відкачка повітря
n – Si/Si – p плівка
Під дією температури робочий газ розкладається на 2 складові Si і Cl4.
Атоми кремнію конденсуються на поверхні підкладок 8. Це складова 9. Газова фаза 10 виходять з установки. Таким чином при малій температурі ми здобули плівку кремнію. Через систему 4 подаються чи реактивні гази, чи газова фаза домішки. Одна з переваг - це мала робоча температура процесу . У катодному ы електронному – це мала робоча температура. Так хімічний метод дозволяє створювати плівки тугоплавких металів.
Наприклад вольфрам і молібден.
Переваги: малі робочі температури, простота установки, висока швидкість осадження плівки – це одиниці мікрометрів за хвилину.
Недолік - токсичність газів.
