- •Содержание
- •1 Теория построения инфокоммуникационных систем и сетей
- •1.1 Понятие виртуальной локальной компьютерной сети vlan (Virtual Local Area Network). Типы создания vlan.
- •1.2 Технология mpls (Мultiprotocol Label Switching): назначение, задачи, создание виртуального пути lsp (Label Switch Path) на базе данной технологии.
- •Формат протокола Gigabit Ethernet и назначение основных его составляющих. Порядок доступа к среде передачи.
- •1.4 Назначение коммутаторов используемых в сетях передачи данных, их функции, принципы построения и способы передачи.
- •1.5Назначение маршрутизаторов, структура маршрутизаторов, назначение всех составляющих.
- •1.6Пояснить основные алгоритмы маршрутизации в сетях передачи данных.
- •1.7Пояснить управление соединением по протоколу тср.
- •1.8 Пояснить общую архитектуру сетей нового поколения.
- •1.9 Архитектура мультимедийной подсистемы на базе ip-протокола (ims – ip Multimedia Subsystem). Характеристика компонентов ims.
- •1.10 Назначение и состав компонентов Softswitch.
- •1.11 Концепция fmc (Fixed Mobile Convergence) в сетях нового поколения.
- •1 Дан адрес 10.72.83.55/20 определить номер подсети, номер хоста в подсети и количество хостов в одной подсети.
- •3 Задана сеть класса а, необходимо создать 72 подсети, определить маску, адрес 10,11,15 подсетей, определить количество хостов в одной подсети
- •2Электромагнитная совместимость рэс и систем
- •2.2 Задачи и средства обеспечения электромагнитной совместимости рэс
- •2.3 Организационно-технические меры обеспечения эмс (эмс 1.2)
- •2.4 Излучения радиопередающих устройств
- •2.5 Характеристики антенн влияющих на эмс
- •2.6 Основные параметры антенн
- •2.7 Особенности распространения полезных радиосигналов. Распространение мешающих радиосигналов
- •3Волоконно-оптические системы передачи
- •3.1Источники оптического излучения для восп. Требования, предъявляемые к источникам. Классификация. Характеристики.
- •3.2Лазерные диоды. Принцип действия. Конструкция. Характеристики лазерных диодов.
- •3.4Приемные оптические модули. Структурная схема. Назначения. Требования, предъявляемые к приемным оптическим модулям восп
- •3.5Оптические модуляторы. Виды. Характеристики. Принцип работы электрооптического модулятора на основе интерферометра Маха - Цендера.
- •3.6Фотоприемники для оптических систем передачи. Назначение. Характеристики. Принцип работы p-I-n фотодиода.
- •3.7Фотоприемники для оптических систем передачи. Назначение. Характеристики. Принцип действия лавинного фотодиода.
- •3.8Линейные коды восп. Требования, предъявляемые к линейным кодам. Коды классов 1в2в, nrz, rz. Алгоритмы формирования.
- •3.9Оптические усилители (полупроводниковые, рамановские, волоконно-оптические легированные эрбием). Назначение, классификация. Структурная схема и принцип действия edfa усилителя.
- •2 Показать временные графики линейных кодов nrz и rz для информационной последовательности 11101100010010111.
3.6Фотоприемники для оптических систем передачи. Назначение. Характеристики. Принцип работы p-I-n фотодиода.
Фотодетектором (фотоприёмником) называют устройство, преобразующее оптическую энергию в электрическую.
Характеристики:
- чувствительность (отношение фототока к оптической мощности);
- требуемые спектральные характеристики и широкополосность (широкополосность определяется на ур.0,707 от макс.спектр-ой.чувств-ти);
- низкий уровень шумов;
- высокое быстродействие (время нарастания электрического сигнала);
- длительный срок службы;
- надежное соединение с линией и использование в интегральных схемах совместно с оптическими усилителями.
- внутренняя квантовая эффективность вн – это безразмерная величина, определяющая соотношение числа электронов и фотонов в фотодиоде;
- темновой ток – обратный ток в отсутствии светового потока.Чаще всего обусловлен поверхностным током утечки. Он сильно зависит от температуры.
- напряжение смещения Uд (Для pin ФД Uд=10-30В.ЛФД Uд=100-400В).
P-I-Nдиод. В p-i-n фотодиоде между областями с проводимостями (легированными) р+(база) и n+(коллектор) расположен слой i (слой поглощения фотонов) собственной проводимости полупроводника (i – intrinsic). Фотоны вводятся в детектор через окно, имеющее тонкий слой просветляющего покрытия (толщина около l/4) с показателем преломленияn=sqr(nпп), согласующим разные среды – стекловолокно (nов»1,46) и полупроводник (nпп»3,5). При падении фотонов на i-слой происходит генерация свободных носителей (электронов и дырок), так как кванты света выбивают электроны из валентных связей полупроводника. Время жизни носителей, образованных в i-слое, намного превышает их время жизни в p- и n- слоях (где они быстро рекомбинируют). Носители, под воздействием высокого напряжения обратного смещения, быстро смещаются к границам обедненной зоны, при этом замыкается цепь и начинает протекать фототок. Рисунок в раздатке.
3.7Фотоприемники для оптических систем передачи. Назначение. Характеристики. Принцип действия лавинного фотодиода.
Назначение, Характеристики смотреть в 6 вопросе. ВЫШЕ.
В лавинном фотодиоде достигается усиление первичного фототока за счет управляемого лавинного умножения числа носителей заряда. Этому способствует конструкция ЛФД. Лавинное умножение возникает в слое умножения (рисунок в раздатке).
Лавинное умножение достигается за счет увеличения напряжения Есм до величины, близкой к пробойному. При этом на p - n переходе устанавливается очень сильное электрическое поле (Е > 10 5 В/см). Эта напряженность достигается в узкой области. Высокое быстродействие прибора будет достигнуто, если основная часть фотонов поглощается в слое, где существует сильное электрическое поле. Фотоны пролетают слой умножения и не успевают взаимодействовать с кристаллами. Носители зарядов образуются в слое поглощения и дрейфуют к соответствующим потенциалам. Двигаясь в сильном поле, носители приобретают большую кинетическую энергию и, отдавая часть ее другим носителям, освобождают новые носители (электроны и дырки).