3. Содержание отчёта

1. Цель работы

2. Теоретическая часть

3. Расчётные данные и их обсуждение

4. Предложения по выбору оптимального конструктивно-технологического решения.

5. Выводы

4. Контрольные вопросы

1. Где находят применение мощные транзисторы?

2. Почему полевые транзисторы с МОП структурой являются перспективной элементной базой силовой электроники?

3. Какие Вы знаете разновидности конструкций МОП ПТ?

4. Какие зарубежные фирмы входят в число мировых лидеров по производству МОП ПТ?

5. Приведите характерную структуру кристалла МОП ПТ и поясните принцип работы.

6. Какова роль методов микромонтажа кристаллов МОП ПТ, какие элементы в конструкции корпуса вносят вклад в сопротивление открытого транзистора (R_{си откр})?

7. Приведите резистивную модель МОП ПТ.

8. Приведите емкостную модель МОП ПТ.

9. Каким образом следует выбирать оптимальный вариант конструкции с учётом требований технического задания на разработку?

5. Литература

1. Юдинцев В.А. Мощные дискретные транзисторы: ключевые элементы систем питания и управления / Электроника: Наука, Технология, Бизнес. – 2002, № 6. – С. 16-20.

2. Electronic Design, July, 1999.

3. Емельянов В.А. Технология микромонтажа интегральных схем. / Под ред. В.В. Баранова – Мн.: Беларуская навука, 2002. – 332 с.

4. Использованы также материалы фирм International Rectifier, Ixys, STMicroelectronics, Advanced Power Technology.

Лабораторная работа составлена профессором Барановым В.В. и аспирантом Кречко М.М.

22