43

5)R₁ R₂, R_Э деген шарт орындалуы керек. R₁ арқылы ағатын ток

тұрақты және R₁-дің шамасы үлкен болғандықтан температураға тәуелсіз өз

кезегінде, I₁ = I₂+ I_Б3 тең болады.

6)Температураны жоғарлатқанда, кіріс сипаттама солға ығысады, яғни

I_Э3 үлкейеді. Сонымен бірге VD диодтың кедергісі төмендейді, I₂ тогы өседі

және I_Б3 тогы азаяды, ал ол I_Б3 = I₁ - I₂. Cонымен бірге I_к3= αI_Б3 тогыда азаяды.

Сондықтан, сол себептен ДК-тің I_Э тогы тұрақты болып тұрады.

t : I_кір = f(U_кір) – солға қарай ығысады, I_Э3 , R_VD ⃗ I₂ ⃗ I_б3 :I_б3 = I₁ - I₂

I_б3 -са, I_к3= I_б3 сондықтан I_э3 тоғы тұрақты болады.

I_э тоғын, күрделі емес түрлендіруден аналитикалық жолмен алуға

болады:

1) I_б3 Iэ болғандықтан I_э3 I_к3 = Iэдеп есептеуге болады, онда U_б3 +

Iэ ·R_э = I₂·R₂+ U_VD;

2) I_б3 Iэ болғандықтан, онда I₁ = I₂

э U э

¹ R1 R2 R1 R2

I = ,

U_VD U_бэ3, онда I_э-ні былай табамыз.

Rэ Rэ

I_э =^{I1 R2 UVD Uбэ3 I1 R2}, яғни Iэ-тоғы температураға аз тәуелді, ТТТ-

нан талап етіліп отырғаны да осы.

8.3Дифференциалдық күшейткіш сұлбаларының түрлері

ДК сұлбаларының түрлерін (өндіргенде) жасағанда негізгі мақсат:

күшейткіштің күшейту коэффициентін жоғарлату және кіріс кедергісін

жоғарлату болып табылады.

ДК-ның сұлбаларының келесідей түрлері қолданылады:

а) ДК-тің кірістеріне қосарланған транзисторлар (Дарлингтон жұбы)

қойылады, олардың кіріс кедергілері әлде қайда жоғары болады және ток беру

коэффициенті екі транзистордың ток беру коэффициентінің көбейтіндісіне тең

болады;

б) ДК-тің кірістеріне эмиттерлік қайталағыштар қойылады, олардың

кіріс кедергілері жүздеген килоОм шамасында болады;

в) кірісінде ӨТ-ры бар ДК;

г) динамикалық жүктемесі бар ДК.

8.4 Динамикалық жүктемесі бар дк

Қосылу сұлбасы.

Күшейткіштің K_U – кернеу бойынша күшейту коэффициентін үлкейту

үшін оның R_К-ның коллекторлық жүктемесін үлкейту керек, бірақ ол кезде _К-

ны қоректену көзінің кернеуін үлкейту қажет болады. Интегралдық

сұлбаларда, R_К-ның шамасын үлкейту, тиімсіз болып табылады, өйткені ол,

ИС-ң ауданы мен көлемінің үлкейуіне әкеліп соғады. Сол себептен ИС

динамикалық жүктеме қолданылады, яғни R_К1 мен R_К2 кедергілерінің орнына

44

VT₃ және VT₄ транзисторлары

қойылады екен, олардың тұрақты

тоқ бойынша төмен, ал айнымалы

тоқ бойынша жоғары кедергісі

болады.

VT₃ және

VT₄

транзисторлары

негізгі

транзисторларға қарама – қарсы

полюста қосылады.

VT₁

және VT₄

транзисторлары

– n-p-n-текті –

VT₃ және VT₄ транзисторлары – p-n-p-текті – коллекторлық жүктеме.

Бұл транзисторлар бір- бірімен коллекторларымен жалғанған.

VT₃ транзисторы диодтық қосылуда қолданылады.

Эмиттерлік тізбегінде ТТГ қойылады, ол сұлбаның жұмысына

синфазалық сигналдың әсерін азайту үшін қосылады.

ДК-тің кірісі – дифференциалдық, ал шығысы – біртактілі деп аталады.

VT₃ және VT₄ транзисторлары, тоқтардың көрінісі, тоқтық айналар

сұлбасы бойынша қосылған.

1) I_k1 тоғы VT₃транзисторы арқылы ағып, U_бэ3 =U_бэ4 транзисторының

базаларында бірдей ығысу тудырады. Сондықтан I_k3= I_k4, ал I_k3 - I_k1- дің тоғы

болып табылады, яғни I_k1= I_k4– ке. VT₄транзисторы, VT₁- дегі тоқтардың

өзгерісін қайталайды, яғни I_k4 толығымен I_k1– ді қайталайды, сол себептен VT₃

және VT₄транзисторлары тоқтық айна деп аталады.

2) I_шығ, U_шығ және K_u –ды табайық. Сұлбаның кірісіне е_с - сигналы

берілген, онда базадағы тоқтардың өсімшелері I_б1 = I_кіржәне I_б2= I_кір - тең.

Онда коллектордағы тоқтар:

2 2

I_к1 = ^э+ I_кір ,онда I_к2= ^э - I_кір

2

I_к1 = I_к4, I_к4 = ^э + I_кір

1) Дифференциалдық күшейткіштің шығысындағы тоқ :

I_ж = I_к4 - I_к2 = 2·β I_кір.

Көріп отырғанымыздай ДК-тің шығысындағы тоқ β есеге және 2 есеге

күшейеді екен.

2) ДК-тің шығысындағы кернеу

U_шығ = I_ж·R_ж= 2 β _ж,

R_ж – келесі каскадтың кіріс кедергісі.

3)ДК-тің кернеу бойынша күшейту коэффициенті

 



б э

^U e_c e_c I_кір R_г 2 r r (1)

_Uш 2I_кірR_ж 2I_кірR_ж

K    ,

8.3 сурет ^{негізгі жүктеме.}