42. Тест трс-в - назначение, физическая среда, единицы измерения.
Тест TPC-B является интенсивным тестом базы данных, характеризующийся следующими элементами:
- значительный объем дискового ввода/вывода;
- умеренное время работы системы и приложений;
- целостность транзакций.
TPC-B измеряет пропускную способность системы в транзакциях в секунду (tpsB). Поскольку имеются существенные различия между двумя тестами TPC-A и TPC-B (в частности, в TPC-B не выполняется эмуляция терминалов и линий связи), их нельзя прямо сравнивать.
43. Тест трс-с - назначение, физическая среда, единицы измерения.
Тест TPC-C моделирует прикладную задачу обработки заказов. Он моделирует достаточно сложную систему OLTP, которая должна управлять приемом заказов, управлением учетом товаров и распространением товаров и услуг.
TPC-C требует, чтобы выполнялись пять типов транзакций:
- новый заказ, вводимый с помощью сложной экранной формы;
- простое обновление базы данных, связанное с платежом;
- простое обновление базы данных, связанное с поставкой;
- справка о состоянии заказов;
- справка по учету товаров.
Среди этих пяти типов транзакций, по крайней мере, 43% должны составлять платежи. Транзакции, связанные со справками о состоянии заказов, состоянии поставки и учета, должны составлять по 4%. Тест измеряет скорость транзакций по новым заказам, обрабатываемых совместно со смесью других транзакций, выполняющихся в фоновом режиме.
44. Какое по разработано aim для тестирования и что оно собой представляет?
За время своего существования компания разработала специальное программное обеспечение, позволяющее легко создавать различные рабочие нагрузки, соответствующие уровню тестируемой системы и требованиям по ее использованию. Это программное обеспечение состоит из двух основных частей: генератора тестовых пакетов (Benchmark Generator) и нагрузочных смесей (Load Mixes) прикладных задач.
Генератор тестовых пакетов представляет собой программную систему, которая обеспечивает одновременное выполнение множества программ. Он содержит большое число отдельных тестов, которые потребляют определенные ресурсы системы, и тем самым акцентируют внимание на определенных компонентах, из которых складывается ее общая производительность. При каждом запуске генератора могут выполняться любые отдельные или все доступные тесты в любом порядке и при любом количестве проходов, позволяя тем самым создавать для системы практически любую необходимую рабочую нагрузку. Все это дает возможность тестовому пакету моделировать любой тип смеси при постоянной смене акцентов и при обеспечении высокой степени конфигурирования.
Каждая нагрузочная смесь представляют собой формулу, которая определяет компоненты требуемой нагрузки. Эта формула задается в терминах количества различных доступных тестов, которые должны выполняться одновременно для моделирования рабочей нагрузки.
45. Классифицируйте запоминающие устройства.
Запоминающие устройства делятся на:
- ОЗУ (Статические ОЗУ, динамические ОЗУ)
- ПЗУ
- ВЗУ
46. Физическая основа статического ОЗУ (схема).
Ячейкой статического ОЗУ является триггер.
47. Достоинства и недостатки статического ОЗУ.
+ Быстрое переключение (~ 2нс)
+ Простота схемотехники
+ Отсутствие регенерации
- Низкая удельная информационная емкость
- Постоянное потребление тока одним транзистором
- Высокая стоимость
- Термовыделение
48. Физическая основа динамического ОЗУ (схема).
49. Достоинства и недостатки динамического ОЗУ.
+ Высокая интеграционная плотность
+ Дешевизна
+ Низкое энергопотребление
- Низкое быстродействие
- Потребность в регенерации
50. Объясните устройства памяти на ПЗС.
ПЗС-память состоит из цепочек близко расположенных МОП-емкостей. Бит информации в ПЗС-памяти хранится в виде уровня заряда в элементах. Для сохранения разделенных зарядовых пакетов и передачи их в соседние элементы отдельно подается сигнал многофазной синхронизации. В каждом элементе напряжение на одном электроде отличается от других и поэтому образуется “потенциальная яма”, которая захватывает заряд в элементе. Используя многофазную синхронизацию, можно перемещать “потенциальную яму” от одного электрода к следующему, а следовательно, смещать соответствующий захваченный заряд, что приводит к сдвигу информации на один бит при выполнении полного цикла сдвигов.
51. Функциональная схема адресуемого ОЗУ.
52. Функциональная схема ПЗУ.
53. Классификация ПЗУ.
ПЗУ делятся на:
- Масочное ПЗУ
- Электрически одноразово программируемое ПЗУ
- Репрограммируемое (РПЗУ, ППЗУ)
- - Уф. РПЗУ
- - Эл. РПЗУ
54. Физические основы запоминающего элемента однократно программируемого ПЗУ (схема).
Когда перемычка есть, через транзистор проходит ток и считывается высокий уровень. Если Uп высокое, то при открытии транзистора ток пережигает проволоку.
55. Физические основы запоминающего элемента репрограммируемого ПЗУ (схема).
В перезаписываемом ПЗУ используется магнитно-индукционный МОП-транзистор с плавающим затвором.
56. Назначение и устройство ПЛМ (схема).
ПЛМ представляет собой функциональный блок, созданный на базе полупроводниковой технологии и предназначенных для реализации логических функций цифровых систем. Применяются в управляющих и дешифрующих устройствах.
57. Вертикальное наращивание памяти (схема) и его назначение.
Вертикальное наращивание используется для увеличения адресуемого пространства ЗУ.
58. Горизонтальное наращивание памяти (схема) и его назначение.
Горизонтальное наращивание используется для увеличения разрядности ОЗУ.
59. Основные характеристики памяти.
К основным характеристикам памяти относят:
- Быстродействие (время, необходимое для записи или считывания информации из ЗУ)
- Емкость (наибольшее количество машинных слов или двоичных разрядов, которое одновременно может храниться в ЗУ)
60. Оценка быстродействия памяти.
Быстродействие памяти определяется временем выполнения операций записи и считывания данных. Основными параметрами любых элементов памяти является минимальное время доступа и длительность цикла обращения. Время доступа (access time) определяется как задержка появления действительных данных на выходе памяти относительно начала цикла чтения. Длительность цикла определяется как минимальный период следующих друг за другом обращений к памяти, причем циклы чтения и записи могут требовать различных затрат времени. В цикл обращения кроме активной фазы самого доступа входит и фаза восстановления (возврата памяти к исходному состоянию), которая соизмерима по времени с активной фазой. Временные характеристики самих запоминающих элементов определяются их принципом действия и используемой технологией изготовления.