- •Содержание
- •1. Основы теории мдп транзисторов
- •2. Моделирование n-моп транзистора в ise tcad
- •2.1. Проект в программе-оболочке genesis
- •2.2. Алгоритм моделирования технологии создания n-моп транзистора
- •2.3. Создание физико-технологической модели
- •2.4. Оптимизация расчетной сетки с помощью программы mdraw
- •2.5. Расчет передаточной характеристики, определение порогового напряжения и крутизны характеристики n-моп транзистора
- •2.6. Расчет семейства выходных характеристик, определение сопротивления сток-исток в открытом состоянии в линейной области и в области насыщения
- •2.7. Определение пробивного напряжения
- •Задания и вопросы
- •Литература
Задания и вопросы
1. Зачем нужно легирование подложки бором в начале технологических операций в примере проекта n-МОП транзистора? Рассчитать передаточ-ную характеристику транзистора без легирования подложки бором и сравнить с исходной передаточной характеристикой. Объяснить результат.
2. Как повлияет учет саморазогрева рассмотренного n-МОП транзистора на вид выходных характеристик? Рассчитать семейство выходных харак-теристик с учетом саморазогрева структуры. При этом в командном файле DESSIS необходимо добавить термический контакт (термод) на нижнюю поверхность подложки, а в секции Physics указать использование термодинамических уравнений и учесть зависимость скорости генерации от температуры. В секции Plot указать распределение температуры, и в секции Solve при изменяющемся напряжении на стоке дополнительно решить уравнения термодинамики. Определить наиболее горячие участки n-МОП транзистора.
3. Построить зависимости крутизны передаточной характеристики и сопротивления сток-исток в открытом состоянии от длины канала в диапазоне 10÷0.5 мкм.
Литература
Королев М.А. Приборно-технологическое моделирование при разработке изделий микроэлектроники и микросистемной техники / М.А. Королев, Т.Ю. Крупкина, Ю.А. Чаплыгин // Известия вузов. Электроника. – 2005. – № 4-5. – С. 64–71.
Тихомиров П. Система Senraurus TCAD компании Synopsys / П. Тихомиров, П. Пфеффли, М. Зорзи // Электроника: Наука. Технология. Бизнес. – 2006. – № 7. – С. 89–95.
Synopsys World Leader in EDA Software and Services. –(http://www.synopsys.com/)
ISE TCAD. Release 10. : User’s manual. – Zurich, 2004. – 1058 p.
5. Тилл У. Интегральные схемы: материалы, приборы, изготовление / У. Тилл, Дж. Лаксон . – М. : Мир, 1985. – 504 с.
Учебное издание
Моделирование
полевых полупроводниковых
приборов в САПР ISE TCAD
Учебное пособие для вузов
Составители: Асессоров Валерий Викторович
Быкадорова Галина Владимировна
Ткачев Александр Юрьевич
Редактор А.П. Воронина
