- •Введение
- •Волны и частицы
- •1.2 Отражение и преломление света на границе раздела двух диэлектрических сред
- •1.3 Оптическое волокно
- •1.4 Классификация волокон
- •2 Геометрические и оптические параметры волокна
- •2.1 Распространение сигналов в ступенчатых оптических волокнах
- •2.2 Распространение сигналов в градиентных оптических волокнах
- •2.3 Ослабление сигнала в волоконных световодах
- •2.4 Дисперсия в оптических волокнах
- •2.5 Полоса пропускания оптического волокна
- •3 Оптические соединители
- •3.1 Оптические потери при непосредственном (торцевом) соединении волоконных световодов
- •3.2 Типы и конструкции оптических соединителей
- •3.3 Разъемные оптические соединители
- •4 Одномодовые оптические волокна
- •4.1 Многомодовые ов
- •4.2 Стандартное одномодовое ов с несмещенной нулевой дисперсией
- •4.3 Одномодовые ов со смещенной нулевой дисперсией
- •4.4 Одномодовые ов с минимизированными потерями
- •4.5 Специализированные одномодовые ов с ненулевой смещенной дисперсией
- •Сведения из оптики
- •Источники и приемники света
- •6.1 Источники света
- •6.1.1 Светоизлучающие диоды
- •6.1.2 Полупроводниковый лазер
- •6.1.3 Лазеры с двойной гетероструктурой
- •6.1.4 Лазеры для одномодовых ов
- •6.2 Приемники излучения
- •6.2.2. Лавинные фотодиоды
- •6.2.3 Шумы фотодиодов
- •7 Модуляция оптических колебаний
- •7.1 Виды оптической модуляции
- •7.2 Прямая модуляция оптического излучения
- •7.2.1 Нелинейные искажения при прямой модуляции сид
- •7.2.2 Частотная характеристика прямого модулятора с сид
- •7.2.3 Особенности прямой модуляции полупроводникового лазера
- •7.2.4 Шумы модуляции лазера
- •7.3 Внешняя модуляция оптического излучения
- •7.3.1 Электрооптическая модуляция
- •7.3.2 Модулятор Маха – Цендера
- •7.3.3 Акустооптическая модуляция
- •8 Фотоприемные устройства оптических систем передачи
- •8.1 Фотоприемные устройства с прямым детектированием
- •8.2 Фотоприемные устройства детектирования с преобразованием
- •8.3 Усилители фотоприемных устройств. Электрическая и оптическая полосы пропускания
- •8.3.1 Фотоприемник с интегрирующим усилителем
- •8.3.2 Фотоприемник с трансимпедансным усилителем
- •8.3.3 Отношение сигнал/помеха на выходе фпу
- •9 Оптические усилители
- •9.1 Разновидности усилителей edfa
- •9.2 Усилители на кремниевой основе
- •9.3 Усилители на фтор-цирконатной основе
- •10 Пассивные оптические компоненты для систем передачи
- •10.1 Линзы
- •10.2 Оптические аттенюаторы
- •10.3 Линия задержки
- •10.4 Оптические разветвители (ответвители)
- •10.5 Оптические изоляторы
- •10.6 Волоконно-оптические циркуляторы
- •10.7 Оптические мультиплексоры/демультиплексоры
- •10.8 Компенсация хроматической дисперсии
- •11 Спектральное уплотнение каналов
- •11.1 Виды wdm систем
- •11.2 Стабилизаторы длинны волны
- •11.3 Мультиплексоры и демультиплексоры
- •11.4 Тонкопленочные фильтры
- •11.5 Волоконные брэгговские решетки
- •12 Методы защиты информации от несанкционированного доступа
- •12.1 Физические принципы формирования каналов утечки информации в волоконно-оптических линиях связи
- •12.1.1 Нарушение полного внутреннего отражения
- •12.1.2 Нарушение отношения показателей преломления
- •12.1.3 Регистрация рассеянного излучения
- •12.1.4 Параметрические методы регистрации проходящего излучения
- •12.2 Методы защиты информации, передаваемой по волс
- •12.2.1 Физические методы защиты
- •12.2.2 Криптографические методы защиты
- •Хотя фотоны ведут себя при детектировании как частицы, они распространяются как волны. Вероятность того, что фотон, посланный отправителем, будет детектирован получателем равна
7.3 Внешняя модуляция оптического излучения
Внешняя модуляция основана на изменении параметров излучения (интенсивности, поляризации и других) при прохождении светового луча через какую-либо среду и основана на следующих физических явлениях:
электрооптический эффект – изменение параметров показателя преломления некоторых материалов (LiNBO3 – ниобит лития) под действием электрического поля, создаваемого источником модулирующего сигнала),
магнитооптический эффект – изменение параметров показателя преломления некоторых материалов под действием магнитного поля (эффект Фарадея), создаваемого источником модулирующего сигнала,
электроабсорбционный эффект – изменение параметров прозрачности некоторых материалов под действием электрического поля, создаваемого источником модулирующего сигнала,
упругооптический эффект – изменение параметров показателя преломления некоторых материалов под действием акустической (механической) волны, создаваемой источником модулирующего сигнала (эффект Брэгга, Эффект Рамана – Ната).
Среди эффектов внешней модуляции оптических волн наибольшее применение в технике оптической связи получили: электрооптический эффект (в том числе электроабсорбционный эффект, который часто причисляют к электрооптическому) и акустический эффект.
7.3.1 Электрооптическая модуляция
Электрооптическая
модуляция (ЭОМ) может происходить на
основе линейного эффекта. Этот эффект
наблюдается в анизотропных кристаллах,
где изменение показателя преломления
линейно зависит от напряженности поля
(эффект Поккельса)
.
Линейная модуляция света может происходить
в кристаллах LiNBO3,
BaTiO3,
Bi4Ti3O12,
KNBO3
и других.
Нелинейная модуляция
света (
- эффект Керра) может происходить в
глицерине, сероуглероде, стекловолокнах
с некоторыми примесями полупроводников
и редкоземельных элементов.
В технике оптических систем передачи чаще применяются модуляторы с линейным электрическим эффектом. В таких модуляторах внешнее переменное электрическое поле создает в веществе оптическую анизотропию, наблюдаемую как двойное лучепреломление (рисунок 5.8). При этом образуется набег фазы между обыкновенным (ординари) и необыкновенным (экстраординари) лучами.
(7.10)
где L – длина пути в веществе (кристалле),
n0 – коэффициент преломления для обыкновенного луча,
ne – коэффициент преломления для необыкновенного луча,
λ – длина волны излучения.
Внешнее электрическое напряжение, деформирующее значение показателя преломления n(x,y,z) в различных плоскостях должно иметь определенную степень воздействия:
(7.11)
где Ep – степень воздействия внешнего поля,
γip – электрические постоянные, определяемые характеристиками кристалла (материала),
i – направление воздействия (по оси x, y, z).
Например, если в направлении x кристалла приложить электрическое напряжение U0, то при толщине кристалла d коэффициент преломления вдоль оси х и y для обыкновенной и необыкновенной волн будет иметь вид:
,
,
(7.12)
Таким образом,
изменения
и
приводят к изменению поляризации волны
когерентного излучения, проходящего
через кристалл. Рисунки 7.12, 7.13 показывают
изменения поляризации и образование
модулированного по интенсивности
излучения.
Рисунок 7.12
Рисунок 7.13
На выходе анализатора схемы ЭОМ интенсивность излучения будет меняться по правилу:
(7.13)
где Uπ – напряжение при котором φ=π – называется полуволновым,
Um – модулирующее напряжение.
На выходе кристалла обыкновенная и необыкновенная волны интерферируют и результирующий вектор будет вращаться. При полуволновом напряжении на выходе модулятора наблюдается максимум интенсивности (если φ0=0).
Величина полуволнового напряжения
(7.14)
Частотная характеристика модулятора определяется межэлектродной емкостью С и внутренним сопротивлением источника r модулирующих сигналов
(7.15)
При малых значениях r и С полоса частот модулирующего сигнала достигает десятков гГц. ЭОМ пригоден для импульсной модуляции света, так как является безинерционным прибором.
К недостаткам ЭОМ относят необходимость приложения напряжений модуляции, большие габариты, температурную зависимость .
