- •Материалы и компоненты наноэлектроники Лабораторный практикум
- •Реценты:
- •Лабораторная работа №1 Получение пористого кремния методом электрохимического травления Цель работы:
- •1. Физико-химические основы анодного травления кремния
- •1.1. Основные особенности анодного растворения кремния
- •1.2. Механизмы анодного растворения кремния
- •1.2.1 Механизм анодного растворения кремния по Тарнеру
- •1.2.2. Механизм анодного растворения кремния по Меммингу и Швандту
- •1.2.3. Гидридный механизм анодного растворения кремния
- •1.2.4. Механизм анодного растворения кремния в разбавленных растворах hf
- •2. Методика получения пористого кремния методом электрохимического травления
- •2. 1. Подготовка образцов к электрохимическому травлению
- •2.1. 1. Формирование подложки.
- •2.1.2. Химическая обработка.
- •2.1.3. Формирование омического контакта.
- •2.1.4. Определение площади активного травления.
- •2.2. Расчет режимов электрохимического травления и состава электролита.
- •2.3. Описание электрохимической ячейки и процесса анодирования
- •3. Порядок проведения работы и указания по технике безопасности
- •4. Методика обработки и представления результатов измерений
- •5. Требования к отчёту
- •6. Контрольные вопросы и задания.
- •Лабораторная работа №2 Определение степени пористости кремниевых структур весовым методом (6ч). Цель работы
- •1. Методы определения степени пористости
- •2. Методика подготовки образцов к электрохимическому травлению и описание электрохимической ячейки
- •3. Порядок выполнения работы и указания по технике безопасности
- •4. Методика обработки и представления результатов
- •5. Требования к отчету
- •6. Примерные контрольные вопросы и задания для допуска и сдачи работы
- •2. Схема измерения вах
- •3. Методика подготовки образцов к электрохимическому травлению и описание электрохимической ячейки
- •4. Порядок выполнения работы и указания по технике безопасности
- •5. Методика обработки и представления результатов
- •6. Требования к отчету
- •7. Литература
- •Лабораторная работа №4 Обработка и количественный анализ сзм изображений (4ч). Цель работы
- •1. Теоретические основы обработки и количественного анализа сзм изображений
- •Количественный анализ сзм изображений
- •2. Задание на выполнение работы
- •3. Методические указания к выполнению работы
- •2. Варианты заданий
- •3. Порядок выполнения работы
- •4. Контрольные вопросы
- •5. Литература
- •Лабораторная работа №6 Метод получения нано-размерных островковых структур инконгруэнтным испарением Цель работы
- •1. Физико-химические основы метода
- •2. Вывод базовых соотношений определения брутто-характеристик процесса формирования островковых пленок инконгруэнтным испарением
- •3. Основные положения феноменологической модели роста островков
- •4. Определение максимальной высоты островка в процессе роста
- •Лабораторная работа № 7 Получение газопоглощающих покрытий методом магнетронного распыления Цель работы:
- •1. Теоретические основы метода
- •1.2. Конструкции магнетронных распылительных систем
- •2. Оборудование и материалы
- •3. Порядок выполнения работы и указания по технике безопасности
- •3.2. Проведение измерений
- •3.3. Проведение экспериментальных и теоретических расчетов параметров процесса магнетронного распыления
- •4. Оформление результатов работы
- •5. Контрольные вопросы
- •7. Литература
- •Лабораторно-практическая работа № 8 Моделирование вах одноэлектронного транзистора Цель работы:
- •8.1. Базовая теория кулоновской блокады
- •8.3. Задание на выполнение работы
- •8.4. Вопросы на защиту
- •Литература
- •5. Часть 2. Одноэлектронный транзистор
- •8.3. Задание на выполнение второй части работы
- •Дополнительная литература
8.3. Задание на выполнение второй части работы
1. Ознакомиться с теорией.
2. Выбрать вариант задания из таблицы 3.
3. Составить собственный расчетный файл.
4. Выполнить все необходимые расчеты.
5. Построить ВАХ транзистора.
6. Провести оптимизацию устройства (изменить конструкцию, подобрать материалы) с целью снижения мощности переключения.
7. Предложить технологию изготовления устройства.
8. Составить отчет с выводами и рекомендациями.
Литература
Березин Г. Н., Никитин А. В., Сурик Р. А. Оптические основы контактной фотолитографии. - М.: Радио и связь, 1982. - 104 с.
Борн М., Вольф Э. Основы оптики: Пер. с англ./ Под ред. Г. П. Мотулевич.- 2-е изд. - М.: Наука, 1973. - 720 с.
Федотов Я. А., Поль Г. Фотолитография и оптика. - М.: Сов. Радио; Берлин, Техника, 1974. – 392 с.
Фриш С. Э., Тиморева А. В. Курс общей физики. Т. III. Оптика. Атомная физика. – 4-е изд. – М.: Гостехиздат, 1957. – 608 с.
Ландсберг Г. С. Оптика. – 5-е изд. – М.: Наука, 1976 – 720 с.
Горелик Г. С. Колебания и волны.- М.: Наука, 1970. – 720 с.
Корн Г., Корн Т. Справочник по математике: Пер. с англ./ Под ред. И. Г. Араманович. – 2-е изд. – М. : Наука, 1970. – 720 с.
Курносов А.И., Юдин В.В. Технология производства полупроводниковых приборов и интегральных микросхем: Учеб. пособие. -2-е изд., перераб. и доп. -М.: Высш. шк., 1979.
В. А. Никоненко. Математическое моделирование технологических процессов: Моделирование в среде MathCAD. Практикум / Под ред. Г.Д. Кузнецова.
Физика полупроводниковых приборов: в 2-х книгах. Пер. с англ. - 2-е перераб и доп. изд.- М.: Мир, 1984.
Рындин Е. А., Коноплев Б. Г. Субмикронные интегральные схемы: элементная база и проектирование. - Таганрог: изд-во ТРТУ, 2001.
Маллер Р., Кейминс Т. Элементы интегральных схем: Пер. с англ.- М.: Мир,1989.
Ландау Л. Д., Лифшиц Е. М. Теоретическая физика: Учеб. пособие для вузов в 10 Т. Т.3. Квантовая механика (нерелятивисткая теория) -4-е изд., испр. - М.: Наука, Гл. ред. физ.-мат. лит., 1989.
В. В. Махро Mukhro@mail.ru
Ч. Пул, Ф. Оуэнс. Нанотехнологии. М.: Техносфера, 2005.
http:/www.exponenta.ru/educat/systemat/tikhonenko/book1/7.asp
З. Флюге. Задачи по квантовой механике. Т.1. М. Мир. 1974.
К. В. Шалимова. Физика полупроводников. Учебное пособие для вузов, М., Энергия, 1971.
Л. С. Стильбанс. Физика полупроводников. М., "Советское радио", 1967.
Херман М. Полупроводниковые сверхрешетки: Пер. с англ.-М.: Мир, 1989.
Абаренков И. В., Загуляев С. Н. Простейшие модели в квантовой механике: Учеб. пособие.-СПб.: Изд-во С.-Петерб. ун-та, 2004.
Нанотехнология: физика, процессы, диагностика, приборы/Под ред. Лучинина В. В., Таирова Ю. М. - М.: ФИЗМАИЛИТ, 2006.
http://www.ioffe.ru/SVA/Semicond/AlGaAs/
Дополнительная литература
Бубенников А.Н. Моделирование интегральных микротехнологий, приборов и схем: Учеб. пособие. -М.: Высш. шк., 1989.
Малер Р., Кейминс Е. Элементы интегральных схем: Пер. с англ. – М.: Мир, 1989. – 630 с.
Интегральные схемы на МДП приборах. Пер. с англ. Под редакцией А. Н. Кармазинского. М.: Мир, 1975.
МОП-СБИС. Моделирование элементов и технологических процессов/Под. Ред. П. Антонетти, Д. Антониадиса, Р. Даттона, У. Оулдхема: Пер. с англ. – М.: Радио и связь, 1988.
Ричман П. Физические основы полевых транзисторов с изолированным затвором. Пер. с англ., под ред. Смолко Г. Г. Изд. «Советское радио», 1971.
