3.2. Проведение измерений

После каждого из трех процессов напыления провести измерения толщины полученных пленок в пяти различных точках подложки на микроинтерферометре Линника МИИ-4.

3.3. Проведение экспериментальных и теоретических расчетов параметров процесса магнетронного распыления

1. Для каждого проведенного процесса напыления рассчитать среднее арифметическое значение толщины пленки h, среднюю квадратичную погрешность единичного измерения S, и среднюю квадратичную погрешность результата измерений S_h. Результаты измерений занести в табл. 7.3.

Таблица 7.3

Расчет толщины пленки

№ п/п	hi	dhi	dhi2	S	Sh
1
…
5

2. По результатам измерений толщины пленки построить график зависимости h(t).

3. На основании построенного графика h(t) представить эмпирическую формулу зависимости толщины пленки от времени напыления в виде h = a  t.

4. Рассчитать коэффициент распыления ионами Ar (с энергией E_и = 0,2; 0,5; 0,8; 1,4 кэВ) материала мишени по одному из вариантов, представленных в табл. 7.4.

Таблица 7.4

Расчет коэффициента распыления

№ п/п	материал	S, атом/ион, при Eи, кэВ
		0,2	0,5	0,8	1,4
1	Cu
2	Al
3	Ni
4	Cr
5	Ti

5. Рассчитать скорость распыления ионами Ar⁺ с энергией 0.5; 0.8 и 1.4 кэВ при заданной плотности ионного тока и указанном материале мишени в соответствии с вариантом в табл. 7.5.

Таблица 7.5

Расчет скорости распыления

№ п/п	Материал	vрасп, нм/с, при jи, А/см2
		2∙10–2	5∙10–2	8∙10–2
1	Cu
2	Al
3	Ni
4	Cr
5	Ti

По результатам расчетов построить график зависимости v_расп(j_и).