- •Материалы и компоненты наноэлектроники Лабораторный практикум
- •Реценты:
- •Лабораторная работа №1 Получение пористого кремния методом электрохимического травления Цель работы:
- •1. Физико-химические основы анодного травления кремния
- •1.1. Основные особенности анодного растворения кремния
- •1.2. Механизмы анодного растворения кремния
- •1.2.1 Механизм анодного растворения кремния по Тарнеру
- •1.2.2. Механизм анодного растворения кремния по Меммингу и Швандту
- •1.2.3. Гидридный механизм анодного растворения кремния
- •1.2.4. Механизм анодного растворения кремния в разбавленных растворах hf
- •2. Методика получения пористого кремния методом электрохимического травления
- •2. 1. Подготовка образцов к электрохимическому травлению
- •2.1. 1. Формирование подложки.
- •2.1.2. Химическая обработка.
- •2.1.3. Формирование омического контакта.
- •2.1.4. Определение площади активного травления.
- •2.2. Расчет режимов электрохимического травления и состава электролита.
- •2.3. Описание электрохимической ячейки и процесса анодирования
- •3. Порядок проведения работы и указания по технике безопасности
- •4. Методика обработки и представления результатов измерений
- •5. Требования к отчёту
- •6. Контрольные вопросы и задания.
- •Лабораторная работа №2 Определение степени пористости кремниевых структур весовым методом (6ч). Цель работы
- •1. Методы определения степени пористости
- •2. Методика подготовки образцов к электрохимическому травлению и описание электрохимической ячейки
- •3. Порядок выполнения работы и указания по технике безопасности
- •4. Методика обработки и представления результатов
- •5. Требования к отчету
- •6. Примерные контрольные вопросы и задания для допуска и сдачи работы
- •2. Схема измерения вах
- •3. Методика подготовки образцов к электрохимическому травлению и описание электрохимической ячейки
- •4. Порядок выполнения работы и указания по технике безопасности
- •5. Методика обработки и представления результатов
- •6. Требования к отчету
- •7. Литература
- •Лабораторная работа №4 Обработка и количественный анализ сзм изображений (4ч). Цель работы
- •1. Теоретические основы обработки и количественного анализа сзм изображений
- •Количественный анализ сзм изображений
- •2. Задание на выполнение работы
- •3. Методические указания к выполнению работы
- •2. Варианты заданий
- •3. Порядок выполнения работы
- •4. Контрольные вопросы
- •5. Литература
- •Лабораторная работа №6 Метод получения нано-размерных островковых структур инконгруэнтным испарением Цель работы
- •1. Физико-химические основы метода
- •2. Вывод базовых соотношений определения брутто-характеристик процесса формирования островковых пленок инконгруэнтным испарением
- •3. Основные положения феноменологической модели роста островков
- •4. Определение максимальной высоты островка в процессе роста
- •Лабораторная работа № 7 Получение газопоглощающих покрытий методом магнетронного распыления Цель работы:
- •1. Теоретические основы метода
- •1.2. Конструкции магнетронных распылительных систем
- •2. Оборудование и материалы
- •3. Порядок выполнения работы и указания по технике безопасности
- •3.2. Проведение измерений
- •3.3. Проведение экспериментальных и теоретических расчетов параметров процесса магнетронного распыления
- •4. Оформление результатов работы
- •5. Контрольные вопросы
- •7. Литература
- •Лабораторно-практическая работа № 8 Моделирование вах одноэлектронного транзистора Цель работы:
- •8.1. Базовая теория кулоновской блокады
- •8.3. Задание на выполнение работы
- •8.4. Вопросы на защиту
- •Литература
- •5. Часть 2. Одноэлектронный транзистор
- •8.3. Задание на выполнение второй части работы
- •Дополнительная литература
4. Определение максимальной высоты островка в процессе роста
Выведем соотношение для максимальной высоты островка и условия, когда уровень расплава пленки выравнивается с радиусом первичного устойчивого зародыша( см. рис.6.3., уровень I). При выводе примем, что зародыши имеют одинаковые размеры и полусферическую форму радиуса R на момент времени t(см. рис.6.4.).
Рис.6.4. К форме зародыша
Запишем выражение для определения зависимости толщины пленки во времени.
(6.18)
где
h(t)-
толщина испаряемой пленки на момент
времени t,
,
,
объемы твердой фазы и оставшейся жидкой
фазы на момент времени t,
S- площадь
испаряемой поверхности пленки.
В то же время:
(6.19)
(6.20)
где
,
-плотности
жидкой и твердой фаз.
Подставим выражения (6.19) и (6.20) в (6.18) и решим относительно толщины испаряемой пленки на момент времени t.
(6.21)
Полученное выражение (6.21) является конечным и описывает зависимость толщины пленки от параметров процесса.
Выведем теперь выражение для радиуса зародыша через брутто-характеристики процесса. Предположим, что первичные зародыши, растущие на поверхности подложки, имеют полусферическую форму радиуса R, а и их поверхностная плотность на момент Оствальдовского созревания равна Ns. Определим массу одиночного зародыша:
(6.22)
С другой стороны масса одиночного зародыша равна
(6.23)
где
-
масса одного зародыша на момент времени
t;
-радиус
одного зародыша на момент времени t.
Приравнивая (6.22) и (6.23) решим получившее
уравнение относительно радиуса зародыша:
(6.24)
Выражение (6.24) является базовым для данного метода, так как оно позволяет оценить какой должна быть скорость испарения и поверхностная плотность островков новой фазы, чтобы получить зародыши соединения АmВn с требуемыми размерами.
.5. Определение времени достижения максимальной высоты островка в процессе роста
Для определения продолжительности роста первичного зародыша необходимо приравнять выражения (6.21) и (6.24):
h(t)=R(t).
Решение этого уравнения относительно t дает 3 корня:
t1 |
|
t2 |
|
t3 |
|
Примечание: Dl, Ds –плотности жидкой и зародышевой фаз соответственно; М-масса исходной пленки.
Анализ приведенных решений показал, что первый корень дает результаты соимеримые с экспериментальными данными. В связи с этим ниже приведенное выражение используется для расчета времени, при котором высота островка достигает максимума:
(6.25)
Литература
Анриевский Р.А., Рагуля А.В. Наноструктурные материалы.- М.: Изд. центр"Академия", 2005, 192с.
Демиховский В.Я., Вугальтер Г.А. Физика квантовых низкоразмерных структур. - М.: Логос, 2000, 272с.
Леденцов Н.Н., Устинов В.М., Щукин В.А., Копьев П.С., Алферов Ж.И., Бимберг Д. Гетероструктуры с квантовыми точками: получение, свойства, лазеры. //ФТП, 1998, т.32, №4, с.385.
Устинов В.М. Технология получения и возможности управления характеристиками структур с квантовыми точками. // ФТП, 2004, т.38, №8.С.263-270.
Глазов В.М., Павлова Л.М., Гаев Д.С. Исследование равновесий жидкость-пар над расплавами в системе Sn-Se методом точек кипения смесей. // ЖНХ, 1985, т.30, вып.8, с.2116-2122.
