5. Литература

1. Батенков В.А., Шипунов Б.П. Электродные потенциалы и вольтамперные характеристики сколов германия //Применение физико-химических методов в исследовании состава и свойств химических соединений. - Барнаул: Изд-во Алт. ун-та. 1982. - С. 28.

2. Сысоева Л.Н., Батенков В.А., Катаев Г.А. Выбор условий обработки сотовых структур при создании барьера Шоттки электрохимическим способом // Вопр. химии. Труды ТГУ.Сер. хим. - Томск. : Изд-во Том. ун-та. 1973. Т. 240. Вып. 8. - С. 180.

3. Bardeen J. Surface States and Rectification at a Metal - Semiconductor Contact // Phys. Rev. 1947. V. 71. -P. 717.

4. Зи С. Физика полупроводниковых приборов. Кн. 1. - М.: Мир, 1984. 456 с.

5. Стукалова И.Н., Батенков В.А., Шипунов Б.П., Папина Т.С. Зависимость электрофизических свойств контакта металл - арсенид галлия от состава остаточного оксида // Шестое Всесоюзное совещание по исследованию арсенида галлия. - Томск. :Изд-во Том. ун-та. 1987. Т. 2.-С. 43.

6. Батенков В.А., Сысоева Л.Н. Уравнение, описывающее вольтамперные характеристики поверхностно-барьерных диодов на арсениде галлия // Вопр. химии. Труды ТГУ. Сер. хим. - Томск. :Изд-во Том. ун-та. 1973. Т. 240. Вып. 8,С.175.

7. А.с. 1415982 СССР. МКИ². Н Ol L 21/28. Способ изготовления омического контакта к арсениду и фосфиду галлия. /В.А. Батенков, Б.П. Шипунов, А.И. Любарец. Заявлено 12.07.85 г. Зарегестрировано 16.05.80 г.

8. Ефимов Е.А., Ерусалимчик И. Г. Электрохимия германия и кремния. - М.: Госхимиздат, 1963г.с.182.

9. Мямлин В.А., Плесков Ю.В. Электрохимия полупроводников. - М.: Наука, 1965. с.338.

10. Bornemann E.H., Schwarz R.F., Stickler JJ. Electrophysical Properties electroplating Metal -Germanium of Contacs // J. Appl. Phys. 1955. V. 26. P. 10-21.

11. Тутов Е.А., Павленко М.Н., Протасова И.В., Кашкаров В.М. Взаимодействие пористого кремния с водой: хемографический эффект// Письма в ЖТФ, 2002, том 28, вып. 17, С.45-48.

12. Венгер Е.Ф., Голиней Р.Ю. Матвеева Л.А. Васин А.В. Влияние водородной плазмы на спектр электроотражения и спектр электронных состояний пористого кремния // Физика и техника полупроводников, 2003, том 37, вып. 1. С.105-108.

13. Шелонин Е.А., Найденкова М.В., Хорт А.М.,. Яковенко А.Г, Гвелесиани А.А., Марончук И.Е. Влияние термических отжигов и химических воздействий на фотолюминесценцию пористого кремния // Физика и техника полупроводников, 1998, том 32, № 4,С.494-496.

14. Сресели О.М., Горячев Д.Н., Беляков Л.В., Вуль С.П., Захарова И.Б., Алексеева Е.А. // Влияние фуллерена на фотолюминесценцию пористого кремния // Физика и техника полупроводников, 2004, том 38, вып. 1, С.124-128.

15. Лазарук С.К., Долбик А.В., Жагиро П.В., Лабунов В.А., Борисенко В.Е. // Быстрые экзотермические процессы в пористом кремнии // Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 8, С.917-919.

16.

17. Лазарук С.К., Долбик А.В., Жагиро П.В., Лабунов В.А., Борисенко В.Е. // Быстрые экзотермические процессы в пористом кремнии // Физика и техника полупроводников, 2005г., том 39, вып. 8, с. 917-919.

18. Булах Б.М., Корсунская Н.Е., Хоменкова Л.Ю., Старая Т.Р., Шейнкман М.К. // О влиянии процесса окисления на эффективность и спектр люминесценции пористого кремния // Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 5, С.604-620.

19. Виноградов А.Н., Ганьшина Е.А., Гущин В.С., Демидович В.М., Демидович Г.Б., Козлов С.Н., Перов Н.С. // Магнитооптические и магнитные свойства нанокомпозитов гранулированный кобальт — пористый кремний // Письма в ЖТФ, 2001, том 27, вып 13, С.84-89.

20. Куликов А.В., Перевощиков В.А., Скупов В.Д., Шенгуров В.Г. // Низкотемпературное радиационно-стимулированное геттерирование примесей и дефектов в кремнии слоями пористого кремния // Письма в ЖТФ, 1997, том.23, вып.13, С.27-31.

21. Каменев Б.В, Константинова Е.А., Кашкаров П.К., Тимошенко В.Ю. // Модификация оптоэлектронных свойств пористого кремния, приготовленного в электролите на основе тяжелой воды // Физика и техника полупроводников, 2000, том 34, вып. 6, С.753-756.

22. Беляков Л.В., Макарова Т.Л., Сахаров В.И., Серенков И.Т., Сресели О.М. // Состав и пористость многокомпонентных структур: пористый кремний как трехкомпонентная система // Физика и техника полупроводников, 1998, том 32, вып. 9, С.1122-1124

23. Яркин Д.Г. // Транспортные свойства и фоточувствительность структур металл/пористый кремний/c-Si // Физика и техника полупроводников, 1999, том 33, вып. 2, С.211-214.

24. Горячев Д.Н., Беляков Л.В., Сресели О.М. // Формирование толстых слоев пористого кремния при недостаточной концентрации неосновных носителей // Физика и техника полупроводников, 2004, том 38, вып. 6, С.729-744.

25. Каганович Э.Б., Манойлов Э.Г., Свечников С.В. // Фоточувствительные структуры на пористом кремнии // Физика и техника полупроводников, 1999, том 33, вып. 3, С.327-331.

26. Беляков Л.В., Горячев Д.Н., Сресели ОМ. // ¶ Фотоответ и электролюминесценция структур кремний - (пористый кремний) – (химически осажденный металл) // Физика и техника полупроводников, 2000, том 34, вып. 11, С.1386-1390.