2. Схема измерения вах

Исследование вольтамперной характеристики структуры Ме/por-Si/Si/Ме проводиться на измерителе характеристик полупроводниковых приборов ППП Л2-56. Внешний вид передней панели прибора приведен на рис. 3.1.

Рис. 3.1. Вид передней панели измерителя характеристик Л2-56.

3. Методика подготовки образцов к электрохимическому травлению и описание электрохимической ячейки

Смотри п. III , лабораторная работа № 1

4. Порядок выполнения работы и указания по технике безопасности

1. Проверить заземление прибора Л2-56.

2. Включить прибор в сеть и дать прогреться прибору в течение 20 мин.

3. Потенциометр напряжения развертки 10 вывести в крайнее левое положение.

4. Ручку потенциометра 9 оттянуть слегка на себя и перевести указатель мощности на значение 0,125 Вт , а напряжение развертки до 100 В.

5. Включить кнопку 4 в положение « обрыв базы», тумблер 4 в положение p-n-p, а переключатель 7 в положение «Режим».

6. Потенциометрами горизонтального и вертикального перемещения луча вывести луч на экране прибора в центр экрана. Потенциометром фокусировки луча 8 добиться четкой картины.

7. Переключателем 14 установить предельный ток 500мА.

8. Подключить колодку с исследуемой структурой к гнездам 1 и 2.

9. Вращением потенциометра 10 по часовой стрелке развернуть ВАХ исследуемой структуры.

10. На миллиметровой бумаге зарисовать ВАХ структуры.

11. Следуя п. 7-10 построить ВАХ структур полученных при различных режимах травления.

5. Методика обработки и представления результатов

1. На ВАХ структур выделить линейный участок (2-3, см. рис.3.2.). По данным этого участка сформировать последовательный массив данных не менее 10 точек, охватывающих весь участок. Сформированный массив, используя редактор массив Microsoft Exel аппроксимировать линейным уравнением вида .

Рис.3.2. Вольтамперная характеристика перехода пористый кремний -металл

2. Рассчитать сопротивление структуры, как R=1/b(Ом) для всех исследуемых образцов.

6. Требования к отчету

Отчет должен содержать:

1. Описание методики подготовки образцов.

2. Схему электрохимической ячейки с описанием процесса травления.

3. Вольтамперные характеристики исследуемых структур.

4. Результаты расчета сопротивления структур.

5. Выводы о взаимосвязи степени пористости структур с электрическими параметрами. Указать к какой группе относятся образцы структур в рамках классификации по электрическим свойствам.

6. На какие группы подразделяются структуры с переходами Al/por-Si/Si? Дайте краткую характеристику каждой группе.

7. Обладает ли выпрямительными свойствами переход Al/por-Si с удельным сопротивлением переходного слоя 0.2 – 1.8 Ом∙см.

8. Могут ли использоваться структуры Al/por-Si с удельным сопротивлением переходного слоя 0.2 – 1.8 Ом∙см в качестве фоточувствительных приемников?. Ответ обосновать.

7. Литература

1. Аверкиев Н.С., Казакова Л.П., Пирятинский Ю.П., Смирнова Н.Н. Переходный фототок и фотолюминесценция в пористом кремнии // Физика и техника полупроводников. 2003, том 37, вып. 10, с.1244–1247.

2. Лаптев А.Н., Проказников А.В., Рудь Н.А. Гистерезис вольт-амперных характеристик светоизлучающих структур на пористом кремнии // Письма в ЖТФ. 1997, том. 23, № 11, с.59–65.

3. Каганович Э.Б., Манойлов Э.Г., Свечников С.В. Фоточувствительные структуры на пористом кремнии // Физика и техника полупроводников. 1999, том 33, вып. 3, с.327-331.

4. Горбач Т.Я., Свечников С.В., Смертенко П.С., Тульчинский П.Г., Бондаренко А.В., Волчек С.А., Дорофеев А.М., Мазини Ж., Маело Г., Моника С.Ла., Феррари А. Эволюция вольт-амперных характеристик фотолюминесцирующего пористого кремния при химическом травлении // Физика и техника полупроводников. 1997, том 31, № 12, с.1414–1418.

5. Зимин С.П. Классификация электрических свойств пористого кремния // Физика и техника полупроводников. 2000, том 34, вып. 3, с.359–363.