- •Баспаға м.Х. Дулати атындағы Тараз мемлекеттік университе-тінің Ғылыми кеңесінің шешімімен ұсынылған (хаттама №11, 30.05.2015 ж.).
- •1.2. Радиоэлектрониканың даму тарихы және негізі пайдаланған аймақтары
- •1.2. Тізбектелген импульстердің перодтарын талдау
- •1.3. Арналардың аналогты беріліс бойынша (код) атталуы
- •1.2.1. Идеал контурдағы еркін тербеліс қасиеттері
- •1.2.2. Электрлік сүзгіштер
- •1.2.3. Резистивті күшейткіш
- •1.2.4. Радиотелеграфтың және радиолакаторадың жүру тәртібі
- •1.2.5. Синхронды детектор
- •1.2.6. Модуляция түрлері
- •Тарау II комбинациялық құрылғылар
- •2.1. Дешифратор
- •2.2. Ақпараттық сигналдар және оның сипаттары
- •2.2.1. Радиобайланыс жүйесінің блок – сұлбасы
- •2.3. Амплитудалық модуляциялық сигналдарды детектірлеу
- •2.3.1. Радиосигналдардың жиілікті-модуляциялық анализі
- •2.4. Мультивибратор
- •2.4.1. Ақпараттық технологиялар болашақ маманның кәсіби потенциалын қалыптастырушы құрал ретінде пайдалану
- •3.2. Гибритті интервалдық микросхемалар мен резисторлардың және қабықты конденсатордың есептемесі
- •3.4. Қатты денлердің (зондық) аймақтық теориясы
- •3.4.1. Жартылай өткізгіштердің меншікті өткізгіштігі
- •3.4.2. Жартылай өткізгіштердің қоспалы өткізгіштігі
- •3.5. Электронды – кемтік асуларындағы шала өткізгішті диод туралы түсініктеме
- •3.5.1. Жартылай өткізгішті стабилитрон
- •3.5.2. Жартылай өткізгіш диоды
- •3.5.3.Электронды және кемтікті шала өткізгіштер түйіспесі (р-п өтпесі)
- •3.5.4. Жартылай өткізгіш фотоэлементтің негізгі теңдеуі
- •3.5.5. Фотоэлементтердің негізгі сипаттамалары
- •3.6. Фоторезисторлар, фотодиодтар сипаттамалары
- •3.6.1. Фотодиодтар
- •3.6.2. Жартылай өткізгіштердің қолданылуы
- •3.6.3. Индикаторлы құралдар
- •3.6.4. Биполярлық транзистор
- •4.2. Оқшауланған затворы бар өрістік траназистор
- •4.3. Гармониялық тербелісті электронды генераторлар
- •4.4. Автогенераторлар өзіндік қоздыру жағдайы
- •4.5. Интегралдық микросұлбалар туралы түсінік
- •4.6. Операциялық күшейткіштер
- •4.7. Логикалық элементтер
- •4.8. Триггерлер
- •4.8. Компараторлар және Шмит триггері
- •Тарау V микропроцессорлар
- •5.1. Компьютерлік радиобайланыс құрылғылары
- •5.2. Қуатты және кернеулі күшейткіштері.
- •5.3. Бағдарламалы тексерушілер
- •5.4. Модемдер
- •5.5. Аналогты жүйеде желіні көп рет қолданудың принциптері
- •5.6. Интегралды микросұлбалар
- •5.7. Генераторлар және автогенераторлар
- •5.8. Электронды логикалық сұлбалар (элс)
- •5.9. Адрестік шиналар
- •Тарау VI микропроцессорлық техникада қолданылатын кейбір жалпы ұғымдардың анықтамасы
- •6.1. Микропроцессордың тектік құрылымы
- •6.2. Микропроцессорлық жүйелердің есте сақтау құрылғылары
- •6.3. Микроэем-де ақпаратпен алмасу
- •6.4. Микропроцессордың ақпаратты ендіру-шығару құрылғыларымен байланысы
- •6.5. Микропроцессорлардың программалық қамтамасыз етілуі
- •6.6. Электронды датчиктер түрлері
- •Тесттер
- •Әдебиет
- •Мазмұны
- •080000, Тараз қ., Төле би көш., 60
3.5.4. Жартылай өткізгіш фотоэлементтің негізгі теңдеуі
Жарық түсірілгенде электрон басқа деңгейге өту теориясын Р. Кумеров ашты, онымен байланыссыз С.М.Рывкин анықтады. Жарық түскендегі фотоэлектр қозғаушы күштің шамасын анықтайық, р-n ауысуы болатын жұқа қабатты жазық бір текті деп алайық.
Бұл жағдайда қарапайым болуы үшін, р-n ауысының диоттық теориясы тұрғысынан қарастырайық. Жарық әсер еткендегі р-n ауысуы арқылы өтетін, мысалы электрондық аймағындағы токтың шамасын қарастырады.
Токтардың бағытын ескере отырып, р-n ауысуының тепе-теңдік күйі үшін төменгі теңдеуді жазуға болады:
.
(3,33)
n-обылысқа жарық түсірсек оның ішінде жұтылған фотондар энергиасының әсерінен электрон кемтік қос бөлшегі пайда болады. Бірінші жуықтауда электрондардың тепе-теңдік концентрациасы өте көп болғандықтан, n-аймағындағы электрондар концентрациасы артады.
Сондықтан жарық әсерінен іс жүзінде n-обылысындағы негізгі емес заряд тасымалдаушылар концентрациасы болады.
Бұл жағдайда кемтіктік тоқ көбейеді. Бұл тоқтың қосымшасы Iф болсын, Iф тоғының болуы (3,29) тепе-теңдігін бұзады,соның нәтижесынен электрондық обылысқа қараған кемтіктің обылысы оң зарятталады,олай болса ондағы электрондардың деңгейі төмендейді.
Бұл жағдайда р-n обылысындағы Ферми деңгейлері бір-біріне сәйкес келмейді, олардың арасындағы энергетикалық деңгей бойынша айырма ∆Е тік бағытта түсірілген ∆φ потенциалдар айырмасына тең болады. Осылайша р-n ауысуға жарық түсіргенде потенциалдық барьер кемиді, ал соның нәтижесінде негізгі тасымалдаушылардың ағыны артады. Стационарлық күйінде р-n өтуіндегі екі бағыттағы заряттар ағыны бір-бірін теңгереді және жалпы тең болады.
,
(3,34)
мұндағы
р-n ауысуынан жарық әсер еткен кезіндегі
тепе-тең заряд таушылардың тоғы, Іф-фото
ток.
Жарық әсерінен пайда болатын артық қосымша заряд тасымал-даушылардың өсімшесі Іф-тоғы бойынша әсерленгендіктен, жарық әсер еткендігі теңбе-тең қосымша заряд тасымалдаушылар токтары өзінің қараңғылық жағдайындағы мәніне тең болады:
Іe=Іps=A
p e
-
;
(3,35)
Ine=Ins=A
n e
-
.
Негізгі тасымалдаушылар тоғы жарық әсерінен потенциялдық барьердің q0 φхх- ке төмендеуі есебінен көбейеді және оның мәні
=
Inse-
.
(3,36)
Негізгі емес заряд тасымалдаушы тоғының (3,35) мәнін және негізгі заряд тасымалдаушылар тоғының мәнін (3,36), (3,34) теңдеуге қойып, төмендегі өрнекті аламыз:
(3,37)
немесе
(3,38)
(3,38) теңдеуді логорифм деп, бос жүріс кернеуінің мәнін немесе фотоэлектр қозғаушы күшінің шамасын табамыз.
Мұндай құралдар радиоактивтік сәулелену индикатор ретінде, сонымен қатар ядролық энергияны бірден электр энергиясына айналдыру үшін қолданылады.
