Задание 7 Исследование эмиттерного повторитель. Исследование полевого транзистора

Снимаем характеристики при нулевом потенциале на коллекторе U_КЭ=0

переключатель SS подключен к 0 источнику ЭДС; первая точка: значение Offset генератора выставляем в 1 В, включаем схему, ( в верхнем правом углу есть тумблер, необходимо его включить), снимаем значения с амперметра и вольтметра с учетом множителей: μ – микро-, m – милли-, выключаем схему (на тот же тумблер). Значение Offset генератора меняем от 0 до 12 Вольт с рекомендуемым шагом (задан в таблице), снимаем показания приборов и заносим их в таблицу.

Снимаем характеристики при ненулевом потенциале на коллекторе U_КЭ=12Впереключатель SS подключен 12В ЭДС;

Значение Offset генератора меняем от 0 до 12 Вольт с рекомендуемым в таблице шагом и снимаем показания приборов.

Все измерения заносим в таблицу

Uкэ, B		Offset, B
		0	1	2	3	4	8	12
0	U, B	-73.67m	596.7m	661.7m	630.8m	710.1m	759.6m	776.9m
	I, мк A	-15.20μ	-48.16μ	-141.1μ	-249.6μ	-336. 2μ	-731.7μ	-1.130m
12	U, B	-70.23m	712.4m	820.2m	824.1m	821.9m	878.1m	895.9m
	I, мк A	-14.88µ	-36.17µ	-126.0µ	-225.2µ	-325.0µ	-719. 8µ	-1.118m

По результатам строим статические входные характеристики транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером.

Заключение

Задание 8 Фотодиоды: принцип работы

№ опыта	С,мкф	Измеряемые величины			Вычисленные величины
		I,A	Uk,B	Uc,B		Z,O	cos9
1	5	21.13m	20.00	8.484		952.39	124.6
2	10	60.09m	20.00	13.34m		333.3	363.6
3	15	127.4m	20.00	20.16m		157.48	800
4	20	166.3m	20.00	101.8		120.48	1000
5	25	145.5m	20.00	-108.6m		157.93	0.73
6	30	123.5m	20.00	-83.05m		162.6	0.73

1. Z= =952.39 cos

2. Z= =333.3 cos 0.36

3. Z= =157.48 cos 0.76

4. Z= =120.48cos

5. Z= =137.93cos

6. Z= =162.6 cos 0.73

Заключение

Задание 9

Исследование трехфазной цепи при соединении приемников звездой