Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
Скачиваний:
8
Добавлен:
19.06.2020
Размер:
598.65 Кб
Скачать

Recall: Nernst Limit of an ISFET

I

D

Q

=Q+ Q= f

[H

+]

 

 

 

 

 

 

 

s

 

 

s

s

{

 

 

S }

 

 

 

 

[H

+

]S =[H

+

]B e

q(ψ0 VFG )/kBT

[H

+

]B

e

2.303 pH

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

= e

2.303 pH q(ψ0 VFG )/kBT

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ID1 Qs1 ~ f (x1) x1 = e

2.303 pH1 q(ψ01VFG1)/kBT

 

 

 

 

 

 

 

 

ID2 Qs2 ~ f (x2 ) x2 = e

2.303 pH2 q(ψ02 VFG 2 )/kBT

 

 

 

 

 

 

 

ID1 = ID2

ψ0,1

=ψ0,2

 

 

 

 

 

 

 

 

 

VG 2.303(kBT /q)ΔpH.

VG ΔpH =59mV / pH

 

 

 

 

 

 

 

 

 

H+

 

 

 

 

 

 

H+

H+

 

 

OH

O ̶ OH2+

 

 

 

 

 

 

 

 

ox

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Si

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

IDS

pH

pH’

VT

VFG

Alam, Principles of Nanobiosensors, 2013

10

Amplification with Double-gate FET

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ID,top = μ1Ctox (W L)1 VDS ,1

VG,1

 

 

 

 

 

VG,1

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ID,bot = μ1Cbox (W L)1 VDS ,1

VG,2

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ID = ID,top +ID,bot = 0

 

 

 

 

 

VG,1

ΔpH =59mV / pH

 

VG,2

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

VG,2

=59

mV

 

C

 

 

 

 

 

 

 

 

 

×

tox

 

 

 

 

 

 

 

pH

pH

 

 

 

 

 

 

 

 

Cbox

 

Alam, Principles of Nanobiosensors, 2013

11

Experimental demonstration for DGFET

VG,2

=59

mV

C

 

=59

mV T

 

 

 

tox

 

box

 

pH

 

 

pH Cbox

 

pH

Ttox

 

1

 

tbox 50nm

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

0.8

 

tbox 100nm

 

 

 

BG

0.6

 

tbox 150nm

 

 

 

 

 

 

 

 

 

T,

 

 

250

 

 

 

 

∆ V

 

 

 

 

 

 

0.4

)

200

 

 

 

 

 

 

p

 

 

 

 

 

 

 

H

150

 

 

 

 

 

0.2

/

 

 

 

 

 

V

 

 

 

 

 

 

 

m

100

 

 

 

 

 

 

(

 

 

 

 

 

 

 

50

100

150

 

 

 

00

 

 

tbox (nm)

 

 

 

 

 

 

2

4

6

8

 

 

 

 

 

pH

 

 

Equivalent to changing the top gate bias

Alam, Principles of Nanobiosensors, 2013

12

Amplification by a NP-NW Sensors

Accumulation mode operation

 

ID,1 = μ1COX ,1 (W L)1 VDS ,1

VG,1

ID = ID,1 +ID,2 = 0

 

 

 

ID,2 = μ2COX ,2 (W L)2 VDS ,2 VG,2

 

VG,2

 

=

 

μ1

 

(W L)1

 

VDS ,1

 

 

COX ,1

 

 

 

 

 

 

 

 

V

μ

 

 

(W L)

 

 

V

C

 

 

 

2

 

2

 

 

 

 

G,1

 

 

 

 

 

 

 

 

 

DS ,2

 

 

 

OX ,2

 

VG,2

=

 

V G,1

×α

 

 

 

 

×

COX ,1

 

 

 

 

 

 

 

GN

 

 

 

 

 

 

pH

 

pH

COX ,2

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

V NPNW

=59

mV

COX ,1

 

 

 

 

 

 

 

 

 

G

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

α

 

 

 

 

 

pH

 

 

 

 

 

 

 

dec

 

 

 

 

 

 

 

 

 

GN

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

COX ,2

 

 

 

 

 

 

 

 

13

Соседние файлы в папке Мікро- та наносенсори