История развития оперативной памяти ЭВМ
Основные типы памяти
Полупроводниковая статическая (SRAM)
ячейки представляют собой полупроводниковые триггеры используется в качестве кеш-памяти.
Полупроводниковая динамическая (DRAM)
каждая ячейка представляет собой конденсатор. Основной тип памяти, применяемый
в ЭВМ.
Ферромагнитная
Использовалась на ЭВМ первых поколений, однако в последнее время интерес к ней возобновился в связи с разработками MRAM и FeRaM
DRAM Принципы работы
Физически DRAM-память представляет собой набор запоминающих ячеек, которые состоят из конденсаторов и транзисторов, расположенных внутри полупроводниковой микросхем памяти.
Так как DRAM изготавливается на основе конденсаторов небольшой ёмкости, которые быстро теряют заряд, поэтому информацию приходится обновлять через определённые промежутки времени во избежание потерь данных. Этот процесс называется регенерация памяти.
Первые чипы памяти SDRAM
Патент на первый 16 битовый чип памяти принадлежит Thomas J. Watson работавшим в IBM в 1968
Первый коммерческий чип Intel 1103 (1024kbit) был выпущен в 1970
Intel 1103
IBM PC, PC/XT
IBM PC комплектовался 8 или 32 отдельными чипами 2KB SDRAM памяти.
С началом массового производства PC/XT стандартный объем памяти увеличился до 256 Кб, затем появились платы расширения объемом 384 Кб. Установка дополнительной памяти проходила следующим образом: в специальную плату расширения вставлялись микросхемы памяти, затем с помощью перемычек на материнской плате компьютеру сообщалось, сколько у него памяти.
Таким образом, суммарная емкость оперативной памяти стала достигать «целых» 640 Кб. Это было уже в 80-х годах. Именно тогда, в 1981 году, Билл Гейтс сделал свое знаменитое заявление: «640 килобайт должно хватить всем!».
SIPP
Этот тип памяти использовался в ПК 80286 начиная с 1982 года. Начиная с 1983 были заменены SIMM памятью
SIMM
Начиная с 1983 и вплоть до конца 1990 этот тип памяти стал основным для ПК(вначале 30 контактные версии, позже 72)
Использовались чипы памяти FPM(память со страничной адресацией) и позже
EDO.
Объем 256KB - 16 MB для 30 контактной версии, до 128 МВ для 72
Максимальная частота шины 75 МГц(EDO)
DIMM
форм-фактор модулей памяти DRAM появился в 1997 году
Тактовая частота 66-133Mhz
Объем до 256Мб
Пропускная способность – до 1600 Мбайт/сек
Rambus Ram
RDRAM — cтандарт оперативной памяти, разработанный компанией Rambus в сотрудничестве с Intel в 1996 году. Основными преимуществами были многоканальный режим и высокая тактовая чатота.
Пропускная способность памяти до 1 Гб\с
Частоты: 300-800Mhz
Недостатки: Главным и основным недостатком нового типа памяти являлись очень большая стоимость производства, а так же неверная политика лицензирования Rambus и Intel.
Применение: Использовались вместе с некоторыми первыми процессорами Pentium 4 и серверными Xeon.
Широкого распространения так и не получила, и Intel отказался от поддержки этого типа памяти.
Внастоящий момент применяются в некоторых игровых приставках.