- •Фгбоу во «дагестанский государственный технический университет»
- •Содержание
- •Цель выполнения курсового проекта.
- •Темы курсовых проектов
- •Требования к курсовому проекту
- •Последовательность выполнения курсового проекта
- •Содержание курсового проекта
- •Материал небходимый для выполнения курсового проекта
- •1. Элементная база устройств свч.
- •1.1. Линии передачи
- •1.2. Сосредоточенные элементы
- •1.2.1. Резисторы.
- •1.2.2. Конденсаторы.
- •1.2.3. Индуктивность.
- •1.2.4. Бескорпусные р-I-n-диоды.
- •1.3. Распределенные элементы
- •1.4. Цепи питания
- •2. Методика расчета частотных характеристик устройств свч
- •3. Устройства свч
- •3.1. Направленные ответвители.
- •3.2. Делители (сумматоры)
- •3.3, Фильтры
- •3.4. Выключатели
- •3.5. Двухканальные переключатели
- •3.6. Фазовращатели
- •3.7. Аттенюаторы
- •Литература
- •Темиров Алибулат Темирбекович
2. Методика расчета частотных характеристик устройств свч
2.1. Матрицы передачи базовых элементов.
В результате декомпозиции сложная структура расчленяется на ряд достаточно простых базовых элементов с известными матрицами передачи. Ниже приведены нормированные матрицы передачи наиболее распространенных базовых элементов.
2.1.1. Отрезок неоднородной ЛП
|(Z2/Z1)0,5 cosθ JZ0sinθ/( Z1·Z2)0,5
[A]
= |
|Jsinθ/( Z1·Z2)0,5/Z0 (Z2/Z1)0,5 cosθ
θ = (2π/λ).
2.1.2. Параллельное включение проводимости γ в ЛП
2.1.3. Последовательное включение сопротивления Z в ЛП
2.2. Каскадное соединение четырехполюсников.
Матрица передачи каскадного соединения базовых элементов определяется перемножением их матриц передачи
2.3. Определение элементов матрицы рассеяния по известным элементам матрицы передачи.
S11 = (А11 + А12 – А21 – А22)/(А11 + А12 + А21 + А22).
S22 = (-А11 + А12 – А21 + А22)/(А11 + А12 + А21 + А22).
S12 = S21 = 2/(А11 + А12 + А21 + А22).
2.4. Основные параметры четырехполюсника.
Коэффициент стоячей волны по напряжению на входе КстUвх и выходе КстUвых
КстUвх = (1+|S11|)/(1 – |S11|).
КстUвых = (1+|S22|)/(1 – |S22|).
Затухание в децибелах
L = 201gl|S21|.
Фаза коэффициента передачи
Φ = arctg(Im(S21)/Re(S21)).
2.5. Метод синфазных и противофазных возбуждений А. Симметричный четырехполюсник
На рис.2.1 показан четырехполюсник, обладающий симметрией относительно вертикальной плоскости. При синфазном и противофазном возбуждениях рассматривают только половину схемы с одной стороны от плоскости симметрии, имеющую магнитную стенку в плоскости симметрии в случае синфазного возбуждения (холостой ход) и электрическую – в случае противофазного (короткое замыкание). Половины четырехполюсника с синфазными и противофазными возбуждениями являются двухполюсниками. Коэффициенты отражения рассчитываются для разомкнутой (S11++) и короткозамкнутой (S11+ -) схем в сечении плоскости симметрии. Матрица рассеяния всего четырехполюсника имеет вид
S11 = S22 = (S11++ + S11+ -)/2.
S12 = S21 = (S11++ - S11+ -)/2.
где S11++ = (Y++ + 1)/( Y++ - 1); S11+ - = (Y+ - + 1)/( Y+ - - 1):
Y++ - нормированная входная проводимость половины четырехполюсника при синфазном возбуждении;
Y+ - - нормированная входная проводимость половины четырехполюсника при противофазном возбуждении.
Рис.2.1. Симметричный четырехполюсник (а) и его половины
при синфазном (б) и противофазном (в) возбуждениях
Б. Симметричный восьмиполюсник
На рис.2.2 показаны симметричный восьмиполюсник относительно горизонтальной плоскости (а) и его пары четырехполюсников при синфазном и противофазном возбуждениях соответственно равны:
! S11++ S12++ ! ! S11+ - S12+ - !
[S]++ = ! ! , [S]+ - = ! !
! S21++ S22++ ! ! S21+ - S22+- !
Элементы матрицы рассеяния восьмиполюсника и составляющих обратимых четырехполюсников связаны между, собой соотношениями
S11 = S22 = (S11++ + S11+ -)/2; S12 = S21 = (S11++ - S11+ -)/2;
S13 = S24 = (S12++ + S12+ - )/2; S14 = S23 = (S12++ - S12+ -)/2;
S33 = S44 = (S22++ + S22+ - )/2; S34 = S43 = (S22++ - S22+ -)/2;
В. Симметричный шестиполюсник
На рис.2.3 показан симметричный шестиполюсник (а). Представим щестиполюсник в виде эквивалентного ему симметричного относительно горизонтальной оси восмиполюсника (б). Заметим, что для восмиполюсника, обведенного пунктирной линией плечи 1 и 2 нагружены на Zo, а плечи 3 и 4 - на сопротивление 2Z0. Различие в нагрузочных сопротивлениях учитывается при нормировании элементов матриц.
Элементы матрицы рассеяния составляющего двухполюсника (четырехполюсника) при противофазном возбуждении равны:
S11+ - = (1 – Yкз + -)/(1 + Yкз + -), S12+ - = S21+ - = 0, S22+ - = 1.
где Yкз + - - нормированная входная проводимость двухполюсника.
Матрица рассеяния [S]++ четырехполюсника при синфазном возбуждении определяется по вышеизложенной методике (А).
Элементы матрицы рассеяния [S]м шестиполюсника имеют вид
(S11)м = (S22)м = (S11++ + S11+ -)/2;
(S12)м = (S21)м = (S11++ - S11+ -)/2;
(S13)м = (S31)м = (S23)м = (S32)м = (2)-0,5S12++
(S33)м = S22++.
Рис.2.3. Симметричный шестиполюсник (а), эквивалентный ему симметричный восьмиполюсник (б), составляющие четырехполюсников при синфазном (в) и двухполюсник при противофазном (г) возбуждениях.
