14. Сущность электрического профилирования и зондирования (что общее и в чем отличие?).

Электрическое профилирование представляет собой одну из основных модификаций метода сопротивлений. В процессе электрического профилирования кажущееся сопротивление измеряют установками, размеры которых остаются постоянными, а сами установки перемещают вдоль профиля или системы профилей, покрывающих исследуемую площадь с густотой, определяемой характером решаемой геологической задачи. При этом на всей площади наблюдений коэффициент установки постоянен.

Зависимость глубинности исследований от расстояния между источником поля и точкой его измерения используется в группе модификаций метода сопротивлений, объединяемых под общим названием вертикальные электрические зондирования (ВЭЗ).

Сущность электрических зондирований заключается в исследовании зависимости между кажущимся сопротивлением и расстоянием от точки наблюдения поля до источника. Технически наиболее просто выполнять зондирование симметричной установкой AMNB и различными модификациями дипольных установок.

Метод ВЭЗ обычно применяется для изучения горизонтально слоистых разрезов с углами наклона слоев, не превышающими 10 – 15 градусов. Наиболее достоверные результаты получаются, когда в разрезе не более 3 – 4 слоев и в середине присутствует низкоомный или высокоомный маркирующий горизонт

15. Какие разрезы называются двухслойными, трехслойными и какими параметрами они характеризуются?

Для двухслойного разреза зависимость кажущегося сопротивления, измеренного в поле точечного источника, от параметров разреза и разноса будет иметь вид ρ_к/ ρ₁=ƒ(ρ₂/ ρ_1, r/h₁) (*), h₁ – мощность первого горизонта, ρ₂/ ρ₁ принято обозначать μ и наз. модулем двухслойного разреза, r –растояние между источником поля и точкой его измерения.

В общем виде зависимость кажущегося сопротивления от параметров трехслойного разреза и разносов установки может быть представлена:

ρ_к/ ρ₁=ƒ(μ_2, μ_3, ν₂, r/h₁), где μ₂=ρ₂/ ρ₁ μ₃=ρ₃/ ρ₁ ν= h_2/ h₁

16. Почему кривые вэз изображаются в билогарифмическом масштабе?

Форма кривой ВЭЗ, построенной в полулогорифмическом масштабе, при данном μ не зависит от ρ₁. Если зависимость (*) изобразить в виде графика, построенного в билогарифмическом масштабе, то форма кривой не будет зависить также и от h₁. Т.о., если кривые построены в билогарифмическом масштабе, изменение ρ₁ и h₁ приводит лишь к их смещению параллельно оси r или ρ_к. Это обстоятельство облегчает технику интерпретации полевых кривых ВЭЗ, а также позволяет обьединить теоретические кривые для всех возможных двухслойных разрезов в одно семейство кривых.

17. В каких единицах измеряется истинное и кажущееся удельное электрическое сопротивление?

[Ом*м] [м]*[м²*кг/А*с³]/[A]=[м*Ом]

18. Что такое коэффициент установки и в каких единицах он измеряется?

Удельное сопротивление . Коэффициент К [м] - коэффициентом установки. Он зависит только от взаимного положения питающих и измерительных заземлений. Взаимное положение питающих и приемных электродов в электроразведке называется установкой.