Окончание табл. 8.9

Вариант	l1, см	S1, см2	w1	I1, А	l1, см	S1, см2	w1	I1, А	l1, см	S1, см2	w1	I1, А	w1	I1, А	lδ, мм
48	18	8	205	0,2	6	5	210	0,1	20	4	150	—	410	0,05	—
49	18	3,8	860	0,25	10	4,8	—	0,1	23	4,5	70	1	60	0,5	—

В табл. 8.9: - длина средней магнитной линии одной ветви магнитной цепи; - длина воздушного зазора (его положение в магнитной цепи дано на схемах магнитопроводов); - сечение участков магнитопровода; - число витков катушек; - постоянный ток в ка­тушке. Индексы у величин: 1 - левая , 2 - средняя, 3 - правая ветви магнитопровода.

Рис. 8.106 Рис. 8.107 Рис. 8.108

Рис. 8.109 Рис. 8.110 Рис. 8.111

Рис. 8.112 Рис. 8.113 Рис. 8.114

Рис. 8.115 Рис. 8.116 Рис. 8.117

Рис. 8.118 Рис. 8.119 Рис. 8.120

Рис. 8.121 Рис. 8.122 Рис. 8.123

Рис. 8.124 Рис. 8.125

8.9. Нелинейные электрические цепи Варианты задания 1 (§ 6.1)

Таблица 8.8

Номер варианта	Номер задачи	Номер варианта	Номер задачи	Номер варианта	Номер задачи	Номер варианта	Номер задачи
0	1а	13	4б	26	7в	39	10г
1	2а	14	5б	27	8в	40	1д
2	3а	15	6б	28	9в	41	2д
3	4а	16	7б	29	10в	42	3д
4	5а	17	8б	30	1г	43	4д
5	6а	18	9б	31	2г	44	5д
6	7а	19	10б	32	3г	45	6д
7	8а	20	1в	33	4г	46	7д
8	9а	21	2в	34	5г	47	8д
9	10а	22	3в	35	6г	48	9д
10	1б	23	4в	36	7г	49	10д
11	2б	24	5в	37	8г
12	3б	25	6в	38	9г

Задача 1. Схема, приведенная на рис.8.127, состоит из источника синусоидального тока j(t)=I_msin2000t, линейного конденсатора емкостью С, резистора сопротивлением R и индуктивной катушки L_H с нелинейной вебер-амперной характеристикой, показанной на рис.8.126,в (ψ_m=1,25∙10^-2 Вб).

Рассчитать и построить зависимости ψ, i_R, i_L, u_ac, u_cb, u_ab в функции ωt. Значения I_m, R, X_c приведены в таблице:

Вариант	а	б	в	г	д
Im, А	1	0,4	0,8	0,5	1,25
R=XC, Ом	100	250	125	200	80

Задача 2. Схема, представленная на рис. 8.128, состоит из источника синусоидального тока j(t)=I_msin2000t, резистора сопротивлением R, катушки индуктивностью L и катушки L_H с нелинейной вебер-амперной характеристикой, показанной на рис.8.126,в (_m=10^-2 Вб).

Рассчитать и построить зависимости u_cb, , u_ac, u_ab, i₃, i₂ в функции t. Значения I_m, X_L, R приведены в таблице:

Вариант	а	б	в	г	д
Im, А	0,4	1	0,8	1,25	0,5
XL=R, Ом	250	100	125	80	200

Задача 3. Схема, изображенная на рис. 8.129, состоит из источника синусоидальной ЭДС e = E_msinωt, катушки L_H, с нелинейной вебер-амперной характеристикой, которая дана на рис.8.126, в (ψ_m=0,01 Вб), и двух резисторов сопротивлениями R₁=R₂ Ом.

Построить зависимости ψ, i_l, i₂, i_L в функции ωt. Значения E_m и ω приведены в таблице:

Вариант	а	б	в	г	д
Em, В	235	230	225	245	240
ω, рад/с	5100	5000	4900	5300	5200

Задача 4. Схема представлена на рис. 8.130, состоит из источника синусоидальной ЭДС e=E_msint, резистора сопротивлением R=71 Ом и конденсатора C_H с нелинейной кулон-вольтной характеристикой, изображенной на рис.8.126, б (q – заряд, u – напряжение), q_m=10^-4 Кл.

Рассчитать и построить зависимости i_C, i_R, i_вх, q в функции t. Значения u₁, E_m,  приведены в таблице:

Вариант	а	б	в	г	д
u1, В	21,3	10,6	14,2	17,7	7,1
Em , В	30	15	20	25	10
, рад/с	3000	1500	2000	2500	1000

Задача 5. К источнику синусоидальной ЭДС e = E_msinωt (рис.8.131) присоединены резистор сопротивлением R=1000 Ом и конденсатор С_н, кулон-вольтная характеристика которого приведена на рис.8.126,г (q_m=10^-5 Кл).

Построить в функции ωt графики изменения тока i, напряжения на емкости u_c и заряда q. Значения E и ω приведены в таблице:

Вариант	а	б	в	г	д
Em, В	30	90	60	150	120
ω, рад/с	1000	3000	2000	5000	4000

Задача 6. К источнику синусоидальной ЭДС e = E_msin1000t присоединены резистор R_H и индуктивная катушка L_H (рис. 8.132), характеристики для мгновенных значений которых изображены соответственно на рис. 8.126, д,е, где ψ_m = 2·10^-3 Вб.

Построить зависимости тока i, потокосцепления ψ, напряжений на резисторе u_Rн и на индуктивной катушке u_Lн в функции ωt.Значения E_m приведены в таблице:

Вариант	а	б	в	г	д
Em, В	3,9	3,6	3,8	3,7	3,5

Задача 7. Схема, приведенная на рис. 8.133, образована источником синусоидальной ЭДС e = E_msin1000t, резистором R_H, нелинейная вольт-амперная характеристика которого дана на рис. 8.126, е, резистором сопротивлением R и индуктивной катушкой L_H, для которой на рис. 8.126, в приведена зависимость потокосцепления ψ от тока i (ψ_m=2∙10^-3 Вб).

Построить зависимости ψ, i, i₁, i₂ в функции ωt. Значения E_m и R приведены в таблице:

Вариант	а	б	в	г	д
Em, В	3,8	3,6	3,7	3,9	3,5
R, Ом	15	14	15	16	14

Задачи 8,9 и 10. Схемы рис. 8.134, 8.135, 8.136 (соответственно к задачам 8, 9 и 10) имеют резисторы сопротивлениями R₁, R₂, два идеальных диода, вольт-амперные характеристики которых изображены на рис.8.136,а, два источника синусоидальной ЭДС: e₁(t)=E_msint и e₂(t)=nE_msint (где n – численный коэффициент) и источник постоянной ЭДС E₀. Значения E_m, E₀, R₁, R₂ и n даны для пяти вариантов задачи.

Построить графики величин указанных в таблице:

Вариант	а	б	в	г	д
Em, В	20	10	10	30	20
n	1,4	1,5	1,4	1,4	1,5
E0, В	10	5	5	15	10
R1, Ом	100	50	50	150	100
R2, Ом	200	100	100	300	200
Построить графики в функции времени	i1, i3	uД1, i3	uД2, i1	uД1, i2	uД2, i3

Рис. 8.126

Рис. 8.127 Рис. 8.128 Рис. 8.129

Рис. 8.130 Рис. 8.131 Рис. 8.132

Рис. 8.133 Рис.8.134

Рис. 8.135 Рис. 8.136