Вопросы для подготовки к защите дз [1-4,6-8]

1.Структура полупроводников. Кристаллическая решетка. Индексы Миллера.

2. Искажения кристаллической решетки. Поверхность кристалла. Носители заряда.

3. Собственный полупроводник. Примесный полупроводник. Донорная и акцепторная примесь.

4. Зонная теория полупроводников. Энергетические зоны. Распределение носителей в зонах проводимости. Уровень Ферми. Удельная проводимость.

5. Эффект поля в собственном и примесном полупроводниках. Рекомбинация носителей.

6. Законы движения носителей в полупроводниках. Уравнения непрерывности. Уравнения диффузии. Анализ процессов диффузии.

7. Электронно-дырочный переход (p-n переход). Структура p-n перехода. Анализ равновесного и неравновесного p-n перехода.

8. Вольт-амперная характеристика p-n перехода. Прямая и обратная ветви.

9. Контакты полупроводник-металл. Граница полупроводник-диэлектрик.

10. Некоторые эффекты полупроводника. Пробой полупроводника.

11. Диоды. Описание диода с помощью уравнений. Диод как идеальный ключ, управляемый напряжением. Режим малых сигналов.

12. Модель диода. Модель диода в статическом режиме (эффект сильного тока, ток утечки, пробой). Прямое сопротивление. Динамические характеристики (барьерная и диффузионная емкости).

13. Полная модель диода. Модель диода в режиме малых сигналов. Температурная зависимость параметров диода. Устройство диода. [1-4,5-8]

14. Выпрямительный диод - структура и принцип действия. Основные параметры. Область применения.

15. Стабилитрон - структура и принцип действия. Основные параметры. Область применения.

16. Стабистор - структура и принцип действия. Основные параметры. Область применения.

17. Импульсный диод - структура и принцип действия. Основные параметры. Область применения.

18. Лавинно-пролетный диод. Структура и принцип действия. Основные параметры. Область применения.

Список литературы

Основная литература

1. Майер Р.В. Основы электроники. Курс лекций: Учебно – методическое пособие. – Глазов: ГППИ, 2011. – 80с.

2. Егоров Н.М. Электроника: конспект лекций. – Красноярск: ИПК СФУ, 2008. – ЭУИ, номер гос. Регистрации в ФГУП НТЦ «Информрегистр» 0320802735 от 20.12.2008.

Дополнительная литература

3. Ефимов И.Е, Козырь И.Я. Основы микроэлектроники. Учебник. 3-е издание. СПб.: Лань, 2008.–384с.

4. Титце У., Шенк К. Полупроводниковая схемотехника. В 2 томах.: Пер. с нем. – М.: Додека-XXI, 2008. – 832с, 942с.

5. Чернышева Т.И., Чернышев Н.Г. Моделирование электронных схем: учебное пособие. – Тамбов: Изд-во ГОУ ВПО ТГТУ, 2010. – 80с.

6. Бурбаева Н.В, Днепровская Т.С. Сборник задач по полупроводниковой электронике. М.: ФИЗМАТЛИТ, 2004.–168с.

7. Степаненко И.П. Основы микроэлектроники. 2-е издание. М.: Лаборатория базовых знаний, 2003. – 488с.

Приложение

Титульный лист

Московский государственный технический университет

имени Н.Э. Баумана

Факультет «Специальное машиностроение»

Кафедра «Автономные информационные и управляющие системы»

Домашнее задание №___

по дисциплине

«Электроника и микроэлектроника»