Московский государственный технический университет

имени Н.Э. Баумана

Факультет «Специальное машиностроение»

Кафедра «Автономные информационные и управляющие системы»

К.П. Лихоеденко, ю.А. Сидоркина, в.Ю. Цыганков Свойства p-n перехода. Полупроводниковые диоды.

Методические указания по выполнению домашнего задания

по дисциплине «Электроника и микроэлектроника»

Москва

(С) 2014 МГТУ им. Н.Э. БАУМАНА

К.П. Лихоеденко, Ю.А. Сидоркина, В.Ю. Цыганков, Свойства p-n перехода. Полупроводниковые диоды: Методические указания по выполнению домашнего задания по дисциплине «Электроника и микроэлектроника». - М.: МГТУ имени Н.Э. Баумана, 2014. 44 с.

Издание состоит из 2-х частей и содержит методические указания по проведению 2-х семинарских занятий (Часть 1) и к выполнению домашнего задания (Часть 2) по дисциплине «Электроника и микроэлектроника». В части 1-ой содержаться основные теоретические сведения, необходимые для решения задач на семинарах и выполнения домашнего задания. В части 2 содержатся 10 вариантов домашних заданий для самостоятельного выполнения студентами.

Для студентов приборостроительных специальностей, изучающих дисциплину «Электроника».

Оглавление

	стр.
Введение	4
Методические рекомендации…………………………………………	5
Часть1. Семинарские занятия………………………………………..	7
1.1. Основные свойства р-n перехода……………………………….	7
1.2. Полупроводниковые диоды……………………………………..	18
1.3 Стабилитроны…………………………………………………….	28
Часть 2. Варианты домашнего задания……………………………..	33
Вопросы к защите домашнего задания	41
Список литературы…………………………………………………….	43
Приложение…………………………………………………………….	44

Введение

Учитывая общую тенденцию развития современной элементной базы, изучение дисциплины «Электроника и микроэлектроника» является важным с точки зрения выработки теоретических и практических навыков работы с электронными компонентами, электрическими цепями, приборами и оборудованием для изучения электрических параметров отдельных компонентов и электрических схем.

Цель преподавания дисциплины состоит в содействии формированию у студентов фундаментальных знаний о процессах, протекающих в полупроводниковых электронных компонентах, используемых в системах автоматики, измерительной и вычислительной техники, об их параметрах, области применения и типовых схемах включения.

Цель данного издания состоит в содействии достижению студентов следующих результатов:

- приобретению знаний по: основам физики полупроводников, основным свойствам переходов, математическим моделям полупроводниковых элементов (диодов), основам аналоговой схемотехники (стабилизаторы напряжения);

- приобретению умения проводить математическое моделирование, аналитический и графо - аналитический расчет нелинейных электрических элементов, цепей и процессов в них протекающих;

- владению навыками применения программных средств, текстовых и графических редакторов для представления аналитической информации в электронном виде.