- •Исследование процессов в полупроводниковом фотоприемнике
- •1.1.Фотопроводимость и поглощение света полупроводниками
- •Процессы захвата, заряда, прилипания и рекомбинации носителей заряда
- •Время жизни носителей заряда. Квантовый переход
- •Порядок выполнения работы
- •Контрольные вопросы
- •Список литературы
- •X' г 1.2. Фотоприемники с p-n переходом - фотодиоды
- •Порядок выполнения работы
- •Контрольные вопросы
- •Список литературы
- •2.Светодиоды
- •Основные характеристики cветодиодов
- •Порядок выполнения работы
- •Контрольные вопросы
- •Список литературы
- •3. Исследование процессов в оптоэлектронных парах
- •3.1.Оптоэлектроника
- •3.2.Оптоэлектронные пары
- •3.3.Методика и порядок выполнения работы
- •3.3.1. Исследование характеристик фотодиода Описание лабораторной установки
- •Порядок выполнения работы
- •3.3.2.Исследование характеристик фототиристора
- •3.3.3.Исследование характеристик фототранзистора Описание лабораторной установки
- •Порядок выполнения работы
- •3.3.4.Исследование характеристик оптопары с открытым оптическим каналом
- •Порядок выполнения работы
- •Контрольные вопросы
- •Список литературы
3.3.Методика и порядок выполнения работы
3.3.1. Исследование характеристик фотодиода Описание лабораторной установки
Основой лабораторной установки является серийный прибор CHARACTERISCOPE-Z (тип ТР-4805), позволяющий исследовать следующие характеристики и параметры фотодиода: семейство вольт-амперных характеристик (ВАХ) при различных величинах светового потока; световую (энергетическую) характеристику в фотодиодном режиме; токовую чувствительность в фотодиодном режиме; зависимость тока короткого замыкания от светового потока в фотогальваническом режиме; зависимость напряжения холостого хода от светового потока в фотогальваническом режиме; оптимальное сопротивление нагрузки в гальваническом режиме; максимальную мощность, отдаваемую в нагрузку в фотогальваническом режиме.
При этом экспериментально снимается только семейство ВАХ, а остальные характеристики и параметры определяются по этому семейству графически.
Конструктивно фотодиод выполнен в одном непрозрачном корпусе со светоизлучателем. В качестве светоизлучателя используется светодиод. К внешним электрическим цепям фотодиод и светоизлучатель подключаются тремя проводниками (один общий).
Порядок выполнения работы
Для выполнения работы предлагается электрическая схема, показанная на рис. 17.
Рис. 17
1. На приборе CHARACTERISCOPE-Z установите ручки управления в следующие положения:
тумблер “OFF” в нейтральное положение;
переключатель “HOR.VOLTS” в положение “0,1V”;
переключатель “VERT.CURRENT” в положение
“50мкА-0,1мкА”;
переключатель “BASE STEPS” в положение “6”;
тумблер ”STEPPOL” в положение “+”;
кнопка “ONE CURVE” отжата;
переключатель “STEP AMPLITUDE” в положение “5...10 мА”.
2. Включите питание прибора ручкой “SCALE ILLUM” и установите удобный уровень освещенности шкалы. Время прогрева прибора - не менее 5 минут.
3. После прогрева ручками “VERT.POS” и “HOR.POS” установите удобное положение начала координат ВАХ на экране прибора.
4. Тумблером “OFF” подключите фотодиод и светоизлучатель к прибору.
5. Переключателями “VERT CARRENT” и “STEP AMPLITUDE” установите удобный масштаб ВАХ по вертикали, соответствующий чувствительности исследуемого фотодиода. Ручкой “OFSET” отрегулируйте положение начала координат для кривой семейства, соответствующей нулевому световому потоку Ф=0 (до момента остановки).
6. Для регистрации прямых ветвей семейства ВАХ фотодиода переключатель “COLLECTOR SUPPLY” установите в положение “-АС”, для регистрации обратных ветвей семейства - в положение “+АС”.
Значение тока через светоизлучатель I будет задаваться с шагом, соответствующим положению переключателя “STEP AMPLITUDE”. Световой поток светоизлучателя
Ф=КI0,
где К=...лм/мА.
7. Постройте семейство ВАХ фотодиода I=f(U) при Ф=const, сопрягая прямые и обратные ветви семейства, соответствующие одинаковым значениям светового потока Ф.
На семействе ВАХ фотодиодному режиму работы фотодиода соответствует область «обратное напряжение- обратный ток» (III квадрант).
8. Для фотодиодного режима выберите значения напряжения Uобр1 и графически постройте световую характеристику фотодиода IФ=f(Ф) при Uобр=Uобр1 ,
где IФ –фототок через фотодиод, совпадающий по направлению с Iобр.
9. Для выбранной рабочей точки на световой характеристике рассчитайте токовую чувствительность фотодиода S=IФ/Ф, мА/дм.
На семействе ВАХ фотогальваническому режиму работы фотодиода соответствует область «прямое напряжение – обратный ток» (IV квадрант).
10. Для фотогальванического режима по ВАХ графически измерьте значения тока короткого замыкания и напряжения холостого хода фотодиода для различных значений светового потока и постройте графики зависимостей Iкз=f(Ф) и Uхх=f(Ф).
11. Для кривой семейства ВАХ, соответствующей максимальному световому потоку, рассчитайте положение оптимальной рабочей точки фотодиода. Критерием оптимальности является максимальная мощность, отдаваемая фотодиодом в нагрузку в фотогальваническом режиме.
12. Для оптимальной рабочей точки рассчитайте оптимальное сопротивление нагрузки Rн опт и максимальную мощность, отдаваемую в нагрузку Rмакс . В этом случае оптимальное сопротивление нагрузки должно быть равно внутреннему сопротивлению источника электрической энергии. Рассчитайте по ВАХ сопротивление базы и сравните с Rн опт .
