Дослідження випрямляючих властивостей напівпровідникових діодів різних видів

Мета роботи - дослідження випрямляючих властивостей напівпровідникових діодів різних видів.

Зміст роботи

1. Зняття прямих та обернених статичних вольт-амперних характеристик діодів різних видів.

2. Зняття залежності вольт-амперних характеристик діодів.

Перелік необхідних приладів наведено в таблиці 2.1.

Таблиця 2.1

Прилади	Тип	Границі регулювання	Ціна поділки шкали	Кількість
Макет	Лабор.	U(0..10)В I(0..50) mкА	Зворотне ввімк.	1
Макет	Лабор.	U(0..10)В I(0..00) mкА	Пряме ввік.	1

Короткі теоретичні відомості

Варікап

Це напівпровідниковий діод, в якому використовується залежність ємності р-n переходу від зворотної напруги, який використовується як елемент з електричним керуванням величиною його електроємності. Напівпровідниковим матеріалом для виготовлення варикапів служить Sі. Залежність ємності варикапа від прикладеної напруги має вигляд (рисунок1)

Рисунок 2.1 - Залежність ємності варикапа від зворотної напруги

Основними параметрами варікапів є: загальна ємність варикапа С_ВМАХ, яка фіксується найчастіше при невеликих зворотніх напругах 2-5 В. Коефіцієнт перекриття ємності Кс = Сmах /Сmіn. Для більшості варікапів Св =10-500 пФ, а коефіцієнт перекриття ємності Кс = 2-20 пФ. Варікапи використовуються в приладах керування амплітудою та фазою ВЧ та НВЧ коливань, у системах дистанційного керування, в параметричних підсилювачах з малим рівнем власних шумів.

Тунельний діод

Тунельними діодами називаються напівпровідникові діоди, р-n перехід яких складається з двох вироджених напівпровідників з концентрацією носіїв № =10¹⁹ см ^-3 і більше.

В 1958 році було встановлено, що такі напівпровідники мають аномальну ВАХ (рисунок 2.2). На відміну від інших діодів вони добре проводять струм не тільки в прямому, але й в зворотному напрямках, а на прямій гілці характеристики існує падаюча ділянка струму. Аномальний хід характеристики сильно легованих р-n структур зумовлений, як було встановлено, тунельним ефектом. Як відомо, частинка, що має енергію, недостатню для проходження через потенціальний бар’єр, може все ж таки пройти крізь нього, якщо з другої сторони цього бар’єру є такий же вільний енергетичний рівень, який займала частинка перед бар’єром. Це явище називається тунельним ефектом. В квантовій механіці показується, що ймовірність тунельного переходу тим вища, чим вужчий потенціальний бар’єр і чим менша його висота. Тунельний перехід здійснюється електронами без витрат енергії.

Рисунок 2.2 - Вольт-амперна характеристика тунельного діода

Параметри тунельного діода

Напруга отвору U_РР - пряма напруга, більша напруги впадини, при якій струм розриву рівний піковому.

Питома ємність ТД – Со/ln

Гранична резистивна частота f_Г - це розрахункова частота, на якій

активна складова R послідовної схеми, яка складається з R р-n переходу і Rвтрат = 0

Резонансна частота ТД – f₀, Х=0. Х_L=Хс

Х_с - ємність р-n переходу

L — індуктивність корпуса і виводів.

В зв'язку з тим, що перенесення заряду в тунельному діоді здійснюється основними носіями, проходження яких не зв'язано з накопиченням неврівноваженого заряду, прилад має надзвичайно малу інерційність. Гранична частота тунельного діода обмежується лише ємністю переходу, розподіленим опором бази та індуктивності виводів і може досягати сотень Гц. Відмінною якістю є також малий рівень шумів, мале споживання потужності, стійкість до ядерного і теплового опромінення, мала вага і габарити. Ці якості ТД зумовили його широке використання в радіоелектроніці.

Діод Шотткі

Діод Шотткі - це напівпровідниковий діод, випрямляючі властивості якого базуються на використанні випрямляючого електричного переходу між металом і напівпровідником.

Для всіх діодів, що розглядалися раніше, основним фізичним процесом, обмежуючим діапазон робочих частот, є процес накопичення і розсмоктування неосновних носіїв заряду в базі діода. Другий фізичний процес - перезарядка бар'єрної ємності випрямляючого електричного переходу - мав в розглянутих діодах другорядне значення і впливав на їх частотні властивості тільки при деяких умовах. Тому були відсутні вимоги щодо конструкції і технології виготовлення діодів, виконання яких забезпечували б прискорення в базі за час дії прямої напруги неосновних носіїв заряду. Зрозуміло, що, якщо виключити інжекцію неосновних носіїв заряду при роботі діода, то не було б накопичення цих неосновних носіїв в базі і відповідно відносно повільного розсмоктування. Можна перерахувати декілька можливостей практично повного усунення інжекції неосновних носіїв при збереженні випрямляючих властивостей напівпровідникових діодів.

1. Використання в якості випрямляючого гетерогенного переходу (гетеропереходу) або, інакше кажучи, електричного переходу, створеного в результаті контакту н/п з різною шириною забороненої зони. Інжекція неосновних носіїв при прямому включенні буде відсутня при виконанні ряду умов, в даному випадку, при однаковому типі електропровідності напівпровідників, що створюють гетеропереходи.

Цей спосіб поки що не знайшов практичного застосування через технологічну складність.

2. Використання для випрямлення ефекту тунелювання.

3. Інвертування діодів або використання для випрямлення тільки зворотної гілки ВАХ разом з дільницею, яка відповідає лавинному пробою. Цей спосіб не знайшов практичного застосування через необхідність мати для кожного діода свою напругу зміщення, майже рівну напрузі пробою. Крім того, в початковій стадії лавинного пробою в діоді виникають шуми

4. Використання випрямляючого переходу Шоткі, а саме випрямляючого електричного переходу, отриманого в результаті контакту між металом і напівпровідником. На такому переході висота потенціального бар'єру для електронів і дірок може суттєво відрізнятися. Тому при вмиканні випрямляючого переходу Шоткі в прямому напрямку прямий струм виникає завдяки руху основних носіїв заряду із напівпровідника в метал, а носії другого знаку (неосновні для напівпровідника) практично не можуть перейти з м еталу в напівпровідник через високий потенціальний бар’єр на переході.

Таким чином, на основі випрямляючого переходу Шотткі можуть бути створені випрямляючі імпульсні і надвисокочастотні напівпровідникові діоди, відмінні від діодів з р-n переходом кращими частотними властивостями.

Імпульсні діоди

Вони призначені для роботи в ключових схемах. Крім основних параметрів I_пр, U_пр, I_звор, U_звор для діодів цього типу приладів вказуються спеціальні параметри, які характеризують перехідні процеси в приладі при швидких зміна зовнішньої напруги. Ці параметри ілюстровані на рисунку. Параметр _уст характеризує час установлення прямої напруги на діоді (зменшення піку до величини 1,2U_пр.ст.). Величина _уст характеризує час розсмоктування інжектованих носіїв та зниження в наслідок чого опір бази.

При перемиканні напруги з прямого на зворотнє розсмоктування надлишкової концентрації інжектованих носіїв в базі за рахунок дифузії та рекомбінації відбувається не миттєво. Цей процес характеризується параметром τ_відтв - час відтворення ефективного опору.

Насправді, в момент перемикання інжекція носіїв, припустимо дірок, в базу припиняється; в базі біля переходу концентрація дірок знижується до рівноважної. Але інжектовані раніше дірки ще не встигли пройти всю базу та, відповідно, концентрація дірок в товщині бази вища, ніж в переході. Наряду з дифузійним рухом дірок до виводу бази виникає їх дифузійний рух в зворотньому напрямку до емітеру. Рівноважне значення концентрації дірок по всій базі встановлюється через час τ_відн, коли описані процеси закінчуються.

Для прискорення цього процесу базу в деяких імпульсних діодах легують домішками, які утворюють пастки та сприяють рекомбінаціям

неосновних носіїв. Легування бази золотом дозволяє знизити час процесів відновлення до величини порядку 10-9 см. Знизити час τ_відн дозволяє також застосування бази з неоднорідною концентрацією домішки. В таких діодах концентрація домішок в базі монотонно збільшується по мірі віддалення від переходу.

Нерівномірною виявляється й концентрація основних, рухомих носіїв. В базі електрони з n-напівпровідника дифундують до переходу та оголяють далеко від переходу позитивні іони домішок. Таким чином, в базі встановлюється електричне поле, вектор напруженості якого спрямований до переходу. Під дією цього поля дірки інжектовані в базу, дрейфують до переходу, притискаються до межі запирающого шару, де утворюють об’ємний заряд дірок підвищеної густини. При перемиканні напруги з прямого на зворотнє ці дирки втягуються полем переходу за малий час. Внаслідок цього час відновлення в таких діодах значно менший, ніж в діодах з однорідною базою. Такі діоди отримали назву - діоди з накопиченням заряду (ДНЗ).

Інші параметри - максимальна імпульсна напруга (пряма) U_{пр.імп.мах} та максимальний імпульсний струм І_пр._імп, а також їх співвідношення, яке називається імпульсним опором.

Ємність переходу має бути по можливості меншою одиниці.

За часом τ_відн імпульсні діоди поділяються на мілісекундні (τ_відн >0,1 мс), мікросекундні (0,1мс> τ_відн >0,1 мкс), та наносекундні (τ_відн <0,1 мкс).

За конструкцією вони мало відрізняються від точкових ВЧ діодів.

Маркування діодів

Малопотужні напівпровідникові діоди мають маркування з 6 елементів.

Перший елемент - (буква або цифра) позначає початковий матеріал, з якого виготовлений напівпровідниковий елемент діоду:

Г - 1 - германій; К - 2 - кремній; А - 3 - арсенід галію.

Буква - Gе - 60°С, Sі - 85°С: цифра Gе - 70°С, Sі - 120'С. Другий елемент - (буква) позначає тип приладу :

Д - випрямляючі універсальні імпульсні діоди;

Ц - випрямляючі стовпи і блоки;

С - стабілізатори і стабістори;

А - НВЧ діоди;

В - варикапи;

Й - тунельні і обернені діоди;

Л - випромінюючі діоди.

Третій елемент (цифра) характеризує призначення діода або його електричні властивості.

Діоди низької і високої частоти

Випрямляючі малої потужності (Іср < 0.3 А) -1

Середньої потужності (Іср < 0.3... 10А) - 2

Універсальні (з граничною частотою до 1000 МГц) - 4

Імпульсні з часом відновлення зворотнього опору:

більш як 150 нсек - 5;

Від 30-150 нсек -6;

Від 5 до 30 нсек - 7;

Від 1 до 5 нсек - 8;

<1 нсек - 9. Випрямляючі стовби

Малої потужності (Іср < 0,3А) -1

Середньої (Іср = 0,3 - 10А) - 2

Випрямляючі блоки: (Іср < 0,3А) - З

(Іср = 0,3...10А)-4

НВЧ діоди:

Змішувальні -1; детекторні - 2; параметричні - 4; регулюючі - 5;

перемножувальні - 6; генераторні - 7.

Варікапи: підстроюючі -1; умножувальні - 2.

Тунельні діоди: підсилюючі -1; генераторні - 2; перемикаючі - 3.

Зворотні діоди - 4.

Випромінюючі діоди: інфрачервоного діапазону - 1; видимого діапазону (світлодіоди) з яскравістю < 500 кд/м2 - 3; >500 кд/м2 - 4.

Четвертий і п'ятий елементи (цифри) позначають порядковий номер розробки від 01 до 99 ( за винятком стабілітронів).

У стабілітронів, які мають напругу стабілізації від 1 до 9,9 В і від 10 до 99 В четвертий і п'ятий елементи позначають напругу стабілізації в вольтах, а у стабілітронів, які мають Uст=100...199В - додаткове до 100В.

У стабілітронів, які мають Іст < 1 В - 4 і 5 елементи означають десяті та соті частини вольта.

Шостий елемент (буква) - показує різновид даної групи приладів, які відрізняються за одним або декількома параметрами, не класифікаційними.

У стабілітронів і стабісторів - вказує на послідовність розробки.

Маркіровка силових вентилів

Випрямляючі діоди великої потужності ( і_ср > 10А ), які називаються силовими вентилям, мають маркіровку, яка складається з 4-х елементів.

Перший елемент складається з 1 - 3 букв. Перша буква - В (вентиль) вказує на те, що прилад відноситься до класу силових вентилів. Друга буква вказує на належність приладу до групи лавинних (Л) або високочастотних (Ч). Друга або третя буква В в першому елементі означає, що вентиль має водяне охолодження.

Другий елемент (числовий) - відповідає граничному значенню прямого струму в амперах.

Третій елемент (числовий) - визначає клас вентиля, число, яке характеризує клас вентиля, рівне граничному значенню амплітуди повторної напруги в вольтах, поділеної на 100.

ВВ320-ВВ500.

Четвертий елемент (літера) - характеризує групу до якої відноситься вентиль. Кожній групі А, Б, В і т.д. відповідає певне падіння напруги на відкритому вентилі при проходженні через нього граничного струму.

Умовні графічні позначення діодів на схемах

Умовно-графічне позначення діода - трикутник (символ аноду) разом з перетинаючою його лінією електричного зв'язку утворює подібність стрілки, вказуючи напрям провідності. Коротка риска, перпендикулярна цій стрілці, символізує катод.

Графічне позначення	Найменування діодів
	Загальне позначення: випрямляючі універсальні, імпульсні, випрямляючі стовби і блоки, НВЧ діоди
	стабілітрон односторонній
	стабілітрон двосторонній
	тунельний діод
.	зворотний діод
	варикапи