- •Требования, предъявляемые к полупроводниковым материалам:
- •Состав – структура – свойства современных материалов для термоэлементов.
- •Области применения термоэлементов в современной технике.
- •Оксидные материалы как сенсоры для газового анализа.
- •2. Требования, предъявляемые к материалам:(рассмотреть на примере SnO2, требования к структуре поверхности, типу проводимости и повышения селективности, как датчика для анализа на содержание со).
- •Модифицирование
- •Чувствительность сенсорного устройства
- •Влияние температуры на чувствительность сенсора
- •Влияние размера кристаллитов на чувствительность сенсора
- •Быстродействие
- •Основные положения внешнего фотоэффекта.
- •Требования, предъявляемые к материалам для фотокатодов электронных ламп.
- •Основные материалы для фотокатодов.
- •Фотокатоды для видимой области спектра.
- •Фотокатоды для ультрафиолетовой области спектра.
- •Фотокатоды для инфракрасной области счетчика.
- •Люминофоры
- •Фотосопротивления
- •Получение p-n-переходов
- •Фотоэлектрические явления в p-n-переходов.
- •Вентильный фотоэлементы.
- •Фотодиоды
- •Светодиоды
- •Лазеры на основе рубина. Полупроводниковые лазеры
- •Болометры
- •Вторичная электронная эмиссия
- •Приборы для усиления малых токов. Фотоумножители. Устройство и работа сцинтилляционного счетчика.
- •Термопары из благородных металлов и их характеристики.
- •Коэффициент чувствительности тензодатчика.
- •Материалы для тензодатчиков.
- •Область применения тензодатчика.
Материалы функциональной электроники.
МАТЕРИАЛЫ ДЛЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ТЕРМОЭЛЕМЕНТОВ.
Основные требования, предъявляемые к материалам.
Термоэлементы называются сложные полупроводниковые приборы, которые состоят из нескольких полупроводников и с примесной проводимостью (непосредственное превращение тепловой энергии в электрическую).
Рис.1.
Полупроводниковый термоэлемент состоит из двух полупроводников p-типа и n-типа, не образующих p-n–переход (см. рис.1.). Они соединены металлической пластиной, к которой подводится тепло от нагревателя (показана жёлтым цветом). Другие концы полупроводников касаются отдельных металлических контактов, которые охлаждают воздухом или другим способом (показаны зелёным цветом). В более холодных частях полупроводников уменьшается количество свободных электронов и дырок, так как при более низкой температуре «примесные» электроны реже покидают атомы, значит, и реже образуются дырки.
Коэффициент полезного действия термоэлементов из металлов очень мал и использовать их в качестве преобразователей тепловой энергии в электрическую экономически невыгодно – поэтму применяются только для измерения температуры.
Одной из главных причин низкого коэффициента полезного действия металлических ТЭ является то, что теплопроводность металлов очень велика и за счет ее происходит большие потери тепловой энергии.
В полупроводниковые также возникают термоэлектродвижущая сила. Но существуют различия от металлических.
В полупроводниковых термоэлектродвижущая ила значительно больше, чем в металлах (связано с самой природой полупроводников).
Теплопроводность полупроводниковых значительно меньше, чем металлах.=> снижает потери тепловой энергии, повышая коэффициент полезного действия п/п ТЭ.
Отсюда, полупроводниковые ТЭ используются, как преобразователи энергии – экономически выгодно. Термоэлемент может иметь высокий коэффициент полезного действия.(например термогенераторы в энергетике – для питания радиоприемников и других маломощных электрических и радиотехнических устройств.
Требования, предъявляемые к полупроводниковым материалам:
Состав – структура – свойства современных материалов для термоэлементов.
n+-n- - омический контакт
Контактная
разница потенциалов
.
Эффект Зеебека – принцип работы
термопары.
Обоснована теория термоэлементов на основе полупроводников. Основная задача – создать хорошие термоэлементы из п/п. Было установлено, что хороший ТЭ получается в том случае:
χ – коэффициент теплопроводности
α – коэффициент ЭДС. Сколько дает мкВ при нагревании контакта на 1о
σ – электропроводность
Максимальное значение коэффициента термоЭДС зависят от качества и количества введенных примесей. Каждая ветвь ТЭ (термопары) должна быть сделана из веществ с резковыраженными примесными механизмами проводимости. Иными словами, одна ветвь ТЭ должна быть изготовлена из п/п с электронной проводимостью, а другая с дырочной. Таким образом, совокупность трех величин α, σ и χ полностью определяют добротность п/п как материала для ТЭ. Вещество может обладать очень высоким значением α, например, Tl2S (тиллур), но из этого вещества нельзя сделать высокоэффективный ТЭ, т.к. σ и χ малы. У лучших п/п величина ζ составляет 3,5 * 10-3. Используют интерметаллоидные п/п: ZnSb (сурмянистый цинк). Для этого, в него вводят соответствующие примеси, и при комнатной температуре получаются следующие параметры: α = 280 мкВ/oC, σ = 350 Ом-1*см-1, χ = 40 Вт*оС*см. Необходимо отметить: процессом введения примеси или проведение других технологических приемов получить сурмянистый цинк с электронной проводимостью не удалось. Поэтому, сурмянистый цинк используется только для одной ветви в ТЭ.
Антимонид кобальта (CoSb3), A5B8. α = 250 мкВ/оС. Введение никеля в виде примеси (легирование) понижает коэффициент теплопроводности и повышает электропроводности. Поэтому, данный антимонид используется как материал для отрицательной ветви ТЭ.
Тиллуристый свинец. В зависимости от сорта атомов легирующих добавок, PbTe может обладать как электронной, так и дырочной проводимостью. К примесям, обеспечивающим дырочную проводимость, относятся: серебро, калий, натрий, литий. Характер электропроводности существенно зависит от стехиометрического состава. Избыток свинца обеспечивает электронную проводимость, а тиллура – дырочную. Обладает высокими термоэлектрическими свойствами, α = 300 мкВ/оС, σ = 10…1000 Ом-1см-1. Данный материал используется в виде отрицательной ветви ТЭ, второе назначение – изготовление фотоэлектрических приборов.
Сернистый свинец (PbSe). Ширина запрещенной зоны зависит от температуры и изменяется по закону ∆ = 0,29 + 1*10-4 T.
InP,
∆ = 1,28 – 4,6*10-4
T.
PbS.
Обладает рядом ценных свойств, преимущественно, ветви для ТЭ и высококачественные фотосопротивления.
Bi2Te3 – теллурит висмута. Среди всех п/п материалов, обладающих высокими термоэлектрическими свойствами, теллурит висмута лидер. При соответствующем легировании можно изменять как величину, так и знак электропроводности. Основной материал для изготовления ТЭ, предназначенных для термоэлектрогенераторов и холодильников.
