Информационные революции

В истории развития цивилизации произошли 4 информационные революции:

1. Связана с появлением письменности. Точной даты нет. Благодаря письменности знания стали передаваться от поколения к поколению в письменном виде.

2. Связана с изобретения книгопечатания. В 1440г в Германии Иоганн Гуттенберг построил первый печатный станок. В России первый печатный станок построил Иван Федоров в 1563г. Благодаря данному изобретению информация стала тиражироваться, что могло влиять на материальное производство.

3. Связана с изобретением электричества. Конец 18 – начало 19 веков. На базе данного изобретения были созданы телеграф, телефон, радио, телевидение и все современные средства обработки, передачи и накопления информации.

4. Связана с изобретением микропроцессора. Процессор является основным устройством любого компьютера. До использования данного изобретения процессор имел достаточно большие размеры, после появления микропроцессора размеры процессора резко снизились.

4 – я информационная революция (продолжение)

Кроме этого резко снизилась стоимость процессора и всего компьютера. На базе микропроцессоров стали производить персональные компьютеры. Благодаря относительно низкой стоимости персональных компьютеров, они получили очень широкое распространение. Данная информационная революция связана с широким использованием персональных компьютеров во многих хозяйственных сферах.

Поколения ЭВМ

ЭВМ в своем развитии прошли 5 поколений.

1. поколение.

В 1946 году в США появилась первая ЭВМ.

Характеристики ЭВМ первого поколения:

• Элементная база – ламповая. В ЭВМ первого поколения применялись электронные лампы

• Быстродействие – очень низкое

Характеристики ЭВМ первого поколения (продолжение):

• Габариты - большие. Первая ЭВМ занимала несколько комнат.

Программирование велось в машинных кодах.

• Низкая надежность, так как между электронными устройствами было много внешних соединений (проводов). Низкая надежность была вызвана наличием ненадежных соединений на пайке и тем, что в наружных проводах возникали электромагнитные помехи, вызванные внешними электромагнитными полями.

• Потребление большого количества электроэнергии.

2. Поколение

Начинается приблизительно с 1950 года. В 1948 году были изобретены полупроводниковые устройства (диоды, триоды), которые заменили электронные лампы.

Характеристики ЭВМ второго поколения:

• Элементная база – полупроводниковые устройства.

• Быстродействие – более высокое, чем в ЭВМ первого поколения, так как значительно увеличилось количество электронных устройств в ЭВМ.

• Габариты - более низкие, чем в ЭВМ первого поколения, так как полупроводниковые устройства имели меньшие габариты по сравнению с электронными лампами.

• Резкое снижение потребляемой электроэнергии, так как полупроводниковые устройства потребляют значительно меньше электроэнергии, чем электронные лампы.

• Начиная с ЭВМ данного поколения начинается разработка алгоритмических языков программирования с целью облегчения программирования. ЭВМ стали более мощными и программировать в машинных кодах стало затруднительно

• Низкая надежность, так как между электронными устройствами, как и в ЭВМ первого поколения было много внешних соединений (проводов).

• 3 Поколение.

Начинается приблизительно с 60-х годов прошлого века. Характеризуется тем, что были изобретены так называемые интегральные схемы (микросхемы). На одном полупроводниковом кристалле стали размещать не одно полупроводниковое устройство, а несколько десятков и сотен электронных устройств (диодов, триодов, сопротивлений, конденсаторов).

Характеристики ЭВМ третьего поколения:

• Элементная база – интегральные схемы.

• Быстродействие – значительно более высокое, чем в ЭВМ второго поколения, так как резко увеличилось количество электронных устройств в ЭВМ.

• Резкое снижение габаритов ЭВМ.

• Низкое потребление электроэнергии.

• Программирование ведется с использованием алгоритмических языков программирования. На данном поколении продолжается разработка новых и совершенствование старых языков программирования.

• Резкое повышение надежности, так как много соединений было убрано внутрь полупроводникового кристалла (интегральной схемы).

• 4 Поколение.

Начинается приблизительно с 70-х годов прошлого века. Характеризуется тем, что были изобретены так называемые большие интегральные схемы (БИС). На одном полупроводниковом кристалле стали размещать несколько тысяч и даже десятков тысяч электронных устройств (диодов, триодов, сопротивлений, конденсаторов). Был изобретен микропроцессор – это процессор, размещенный на одной БИС

Характеристики ЭВМ четвертого поколения:

• Элементная база – большие интегральные схемы.

• Быстродействие – значительно более высокое, чем в ЭВМ третьего поколения, так как резко увеличилось количество электронных устройств в ЭВМ.

• Резкое снижение габаритов ЭВМ.

• Низкое потребление электроэнергии.

• Программирование ведется с использованием алгоритмических языков программирования. На данном поколении продолжается разработка новых и совершенствование старых языков программирования.

• На данном поколении началась разработка теории реляционных баз данных. Основоположником этой теории является американский математик Эдгар Франк Кодд. Эти базы данных в настоящее время очень широко используются для хранения информации.

• Резкое повышение надежности, так как много соединений было убрано внутрь БИС.

Данное поколение характеризуется также тем, на нем появились персональные компьютеры (ПК), собранные на БИС. Так как производство БИС автоматизировали, то их стоимость стала весьма низкой. Стоимость ПК также относительно невысокая, благодаря низкой стоимости БИС. Поэтому началось массовое производство ПК и использование их в различных сферах хозяйственной деятельности.