Технологические основы електроники / ргр / Матвиенко 15 Вариант

Сумський державний університет

Факультет електроніки та інформаційних технологій

Кафедра прикладної фізики

РОЗРАХУНКОВО-ГРАФІЧНА РОБОТА

з дисципліни

“ТЕХНОЛОГІЧНІ ОСНОВИ ЕЛЕКТРОНІКИ”

Варіант №15

Виконав: Матвієнко Б.І.,

студент групи ФЕ-31/2

Перевірив: Опанасюк Н.М.,

доцент

Завдання 1. Зобразити та описати послідовність формування наступних структур напівпровідникових мікросхем:

1 ) підкладка Si – р типу с шаром оксиду	4) стравлюють окис та шліфують поверхню
2) перша фотолітографія по шару оксиду	5) на поверхню структури епітаксійно нарощують шар кремнію типу p, окислюють поверхню
3) методом термічної дифузії вводять домішки n+, окислюють поверхню	6) друга фотолітографія по шару оксиду
7) методом термічної дифузії вводять домішки n до глибини прихованого шару, окислюють поверхню	11) термічна дифузія домішок типу n+
8) третя фотолітографія по шару оксиду	12) 5-а фотолітографія під контакти
9) термічна дифузія домішок типу р, окиснення поверхні	13) металізація сплавом Po2Si-Ti-Al
10) 4-а фотолітографія	14) 6 –а фотолітографія – формування контактів

Завдання 2. Розробити схему технологічного процесу виготовлення наступних структур напівпровідникових мікросхем:

Окислена пластина р-типу

1-а фотоліт. на SiO₂

Дифузія

n+ домішки

Окиснення

2 фотоліто-грфія

Окисне-ння

Еппітаксійне нарощувана Si - n

Стравлення окису

Термічна дифузія p

3 -а фотоліт.

на Al

Термічна дифузія p типу

Окисне-ння

5 -а фотоліт.

на Al

4 -а фотоліт.

на Al

Термічна дифузія n+

Окиснення

Відпалю-вання

контактів

Контроль електричних параметрів МСХМСХ

Розділення пластин на кристали

Металі-зація Po₂Si-Ti-Al

Випробу-

вання

ІМС

Монтаж зовнішніх виводів

Гермети-зація

Монтаж кристала в корпус

Маркув-ання

Пакування

Завдання 3. Зобразити графічно залежність концентрації різних легуючих елементів з глибиною при дифузії їх у кремній протягом 1 години при початковій концентрації N0, якщо дифузія відбувається при температурі Т, зазначеній в таблиці 2.

Елемент	D , см2/с	Ea, еВ	T
As	60	4,2	1000 K

Будуємо графік залежності:

N*1016, см-3	x*10-8, см
5	0
4,791518	0,5
4,216796	1
3,407991	1,5
2,529418	2
1,724046	2,5
1,079155	3
0,620333	3,5
0,32747	4
0,158754	4,5
0,070678	5
0,028897	5,5
0,01085	6
0,003741	6,5
0,001185	7
0,000344	7,5
9,2E-05	8

Рис.2 Залежність N(x)

СПИСОК ВИКОРИСТАНОЇ ЛІТЕРАТУРИ

1. Опанасюк Н.М. Технологічні основи електроніки (практикуми):

навчальний посібник / Н.М.Опанасюк, Л.В.Однодворець,

А.О.Степаненко, С.І.Проценко. - Суми: Сумський державний

університет, 2013.- 105 с.

2. Готра З.Ю. Технологія електронної техніки: навч. посібник в 2

т. / З.Ю.Готра. - Львів: Видавництво Національного

університету «Львівська політехніка».-Т.1.- 2010.- 888 с.

3. . Готра З.Ю. Фізичні основи електронної техніки: навч.

посібник в 2 т. / З.Ю.Готра.- Львів: Видавництво Національного

університету «Львівська політехніка» -Т.2.- 2010.- -884 с.

4. Готра З.Ю. Технологія електронної техніки: / З.Ю.Готра, І.Є.

Лопатинський, Б.А. Лукіянець та ін.; за ред.З.Ю.Готри.- Львів:

Видавництво «Бескид Біт» , 2004.- -880 с.

5. Прищепа М.М. Мікроелектроніка: в 3 ч. / М.М. Прищепа, В.П.

Погребняк. - Київ: Вища школа. - Ч.1. Елементи

мікроелектроніки.- 2004. - 432 с.

6. Закалик Л.І. Основи мікроелектроніки / Л.І. Закалик, Р.А.

Ткачук.– Тернопіль: ТДТУ ім. І. Пулюя, 1998.- 352 с.

7. Степаненко И.П. Основы микроэлектроники / И.П. Степаненко

- Москва: Лаборатория базових знаний, 2001. - 488 с.

8. Аваев Н.А. Основы микроэлектроники / Н.А. Аваев, Ю.Е.

Наумов, В.Т. Фролкин. – Москва: Радио и связь, 1991.–288 с.

9. Ігумнов Д.В. Основи мікроелектроніки / Д.В. Ігумнов, Г.В.

Корольов, І.С. Громов.– Київ: Вища школа, 2004. – 252 с.

10. Ефимов И.Е. Микроэлектроника. Физические и

технологические основы, надежность / И.Е. Ефимов, И.Я.

Козырь, Ю.И. Горбунов. - Москва: Высшая школа, 1986.-464с.

12. Парфенов О.Д. Технология мікросхем / О.Д. Парфенов.-

Москва: Высшая школа, 1986. - 320с.

Суми 2015