2. Методи нанесення фоторезистів.

Для нанесення фоторезисту на підкладку можна використовувати такі способи: 1 – центрифугування; 2 –пульверизацію; 3 – занурення у розчин; 4 – поливання.

Найбільш поширеним методом є центрифугування.

Схема центрифуги для нанесення шару фоторезисту наведена на рис. 2. Пластину установлюють на платформу центрифуги, де вона утримується вакуумним затискачем. На неї з дозатора наносять декілька крапель фоторезисту і вмикають привід обертання пластини. Під дією відцентрових сил фоторезист розтікається по поверхні пластини, а його лишки викидаються у збірник. Товщина фотошару залежить від частоти обертання платформи та в'язкості розчину.

Рисунок 2 – Схема центрифуги для нанесення шару фоторезисту: 1 – дозатор; 2 - пластина; 3 – платформа; 4 – збірник лишок; 5 – вакуумне ущільнення; 6 – електродвигун; 7 – трубопровід до форвакуумного насоса

Найпоширенішим пристроєм для нанесення фоторезисту є агрегат АФФ-2. За допомогою нього можна наносити фоторезист на 12 пластин одночасно і здійснювати подальше сушіння з конвективним або інфрачервоним нагрівом. Технічні характеристики АФФ-2 наведені у табл.. 1.

При центрифугуванні утворюється характерний дефект – крайове стовщення. Це пов'язано з тим, що при розтіканні краплини утворюється концентраційний валик,

який переміщується до країв підкладки. Метод центрифугування не придатний для одержання відносно товстих шарів (d > 3 мкм) та погано піддається автоматизації. У плівках, які висохли в умовах дії центробіжних сил, виникають внутрішні напруження.

При розпиленні названих недоліків і обмежень не виникає, якщо фоторезист диспергується зі стиснутим газом (наноситься на пластину у вигляді аерозолів). Метод розпилення дозволяє в автоматичному циклі вести багатомірну обробку пластин та наносити шари товщиною від 0,3 до 20 мкм з точністю 5 %.

Найбільш поширеним пристроєм для зазначеного методу нанесення є напівавтомат ПНФ-1Р (рис. 3), технічні характеристики якого наведені у табл. 2. Фоторезист наноситься на пластини у процесі зворотно-поступального руху стола. Швидкість руху стола та форму "факела" форсунки можна регулювати. Практика показує, що в плівках, одержаних методом розпилення фоторезисту,Найбільш поширеним пристроєм для зазначеного методу нанесення є напівавтомат ПНФ-1Р (рис. 3), технічні характеристики якого наведені у табл. 2. Фоторезист наноситься на пластини у процесі зворотно-поступального руху стола. Швидкість руху стола та форму "факела" форсунки можна регулювати. Практика показує, що в плівках, одержаних методом розпилення фоторезисту,витрати фоторезисту приблизно у десять разів менші порівняно з першим методом. Відсутність крайового потовщення робить метод розпилення особливо ефективним при нанесенні фотошару на прямокутні підкладки плівкових мікросхем. Як інжекторний газ використовують фреон 131.

Для кінцевого вилучення розчинника з фоторезисту нанесений фотошар просушують, при цьому у плівці фоторезисту відбуваються складні релаксаційні процеси: ті, що, ущільнюючи структуру шару, зменшують внутрішні напруження та підвищують адгезію шару допідкладки. Правильна організація процесу сушіння повинна забезпечити безперервну дифузію розчинника до поверхні шару та його випаровування.

Рисунок 3 – Схема компонування напівавтомата ПНФ-1Р: 1 – основа; 2 – рухливий стіл із пластинами; 3 – рухлива форсунка; 4 – внутрішній захисний кожух; 5 – загальний захисний кожух

В основному використовуються три види сушіння: 1 –конвективне; 2 – інфрачервоне; 3 – НВЧ. При конвективному сушінні плівки витримуються при температурі 90 – 100 С протягом 10 - 60 хв. При інфрачервоному – джерелом тепла є напівпровідникова пластина, що поглинає інфрачервоне випромінювання."Фронт сушіння" переміщується від пластини до поверхні шару, якість сушіння підвищується, а час скорочується до 5 – 15 хв. При НВЧ-сушінні нагрівання пластини здійснюється за рахунок поглинання електромагнітної енергії НВЧ-поля (частота 2,45 ГГц). Час сушіння становить декілька секунд. Висушений шар потрібно експонувати не пізніше ніж через 10 годин.

Перед експонуванням фотошару груповий

фотошаблон повинен бути правильно орієнтований відносно пластини. На першому циклі фотолітографії, коли поверхня пластини ще однорідна, фотошаблон повинен бути орієнтований так, щоб менше вікон шаблона були перпендикулярні до базового зрізу пластини.