Добавил:
masterdos
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз:
Предмет:
Файл:Технологические основы електроники / Epitaxiya_-_Prezentatsiya
.pptx
SiCl4 пара 2H2 газ Si тв 4HCl газ
Рисунок 1. Схема установки для епітаксійного нарощування хлоридним методом: 1 – реакційна камера; 2 – індуктор (нагрівальний електромагнітний пристрій);
3 - підставка для підкладок; 4 – підкладки
1
•
h
Рисунок 2. Розподіл домішки в епітаксійномуe шарі товщиною
n |
, вирощеному на підкладці |
2
•Рисунок 3. Схема установки молекулярно – променевої епітаксії з легуванням на основі випаровування домішок: 1 - робоча камера; 2- тримач підкладки; 3- нагрівач; 4- підкладка; 5- заслінка; 6- потік домішки; 7- джерело домішки; 8- електронна гармата; 9- джерело кремнію; 10- потік електронів; 11- потік кремнію. 3
Соседние файлы в папке Технологические основы електроники