Технологические основы електроники / Mk-2-Toe-Pitannya

ТОЕ - МОДУЛЬНИЙ КОНТРОЛЬ №2 - питання

1. Мета фотолітографії. Схема її технологічного процесу.

2. Фоторезисти. Означення, порівняльна характеристика негативних та позитивних фоторезистів.

3. Методи нанесення фоторезистів.

4. Суміщення та експонування

5. Скануюча електронолітографія.

6. Проекційна електронолітографія.

7. Рентгенопроменева літографія.

8. Іонна літографія.

9. Фiзичнi основи процесу термiчної дифузiї

10. Методи вивчення характеристик дифузiйних шарiв.

11. Практичнi способи проведення дифузiї: дифузія з використанням рідинних джерел домішки.

12. Практичнi способи проведення дифузiї: дифузія з використанням газоподібних джерел домішки

13. Методи вивчення характеристик дифузiйних шарів

14. Загальна характеристика iонної імплантації

15. Фiзичнi основи процесу іонної імплантації.

16. Практичнi методи проведення iонної iмплантацiї

17. Автоепiтаксiя кремнiю хлоридним та силановим методами.

18. Молекулярно-променева епiтаксiя.

19. Методи вивчення характеристик епітаксiйних шарiв.