1. Методи нанесення тонких плівок металів-термічне випаровування

Термічне випаровування - окиснення металу. Метод термічного випаровування мета­лу у вакуумі є одним з перших методів одержання оксидних плівок окиснів металів. Тонкі металооксидні плівки наносять термічним випаровуванням металу на повітрі (~1,3210^ Па) на діелектричні підкладси. Потім одержану плівку металу, наприклад, цинку, окиснюють при 770 К. Для стабілізації її параметрів проводять подальшу термообробку при 820-970 К. Товщина осадженої плівки 0,1-1,0 мкм, опір - приблизно кілька мегом. Найбільша зміна опору для такої плівки ТлО за присутності пари С₂Н$ОН спостерігається при температурі 670-770 К. Оптимальним режимом нанесення плівок 5//0₂ товщиною 1 мкм є: температура окиснення 720-740 К, час окиснення 2,5 год., відносна вологість повітря 60-70%. Для зменшення сталої часу сенсора проводять активацію одержаної тонкої плівки оксиду металу. Зазвичай використовують вакуумне напилювання платини з нагрітої платинової нитки. Товщина осаджених плівок платини — від 1/10 до 10 моношарів; один моношар відповідає середній густині атомів 5-Ю¹⁴ см'².

Через цілу низку істотних недоліків цей метод нанесення плівок оксидів металів широко не використовують. Його модифікації, зокрема реактивне термічне випарову­вання, значно покращують електрофізичні параметри плівок на основі 5л0₂.

Існує також метод, який дає змогу одержувати дуже малі частинки осаджуваної речовини: так званий метод випаровування в газі. В атмосфері реактивного газу під тиском 13,3-13,3-10 Па матеріал нагрівають до випаровування, атоми випаруваної речовини

зустрічаються з залишковими атомами газу, внаслідок чого утворюються дуже малі частинки матеріалу, кожна з яких є кристалом із середніми розмірами 0,001-0,100 мкм. Одержана плівка має надзвичайно розвинуту поверхню, тому подальша термообробка непотрібна.

2. Методи нанесення тонких плівок металів-катодне розпилення

3. Методи нанесення тонких плівок металів-іонно-плазмове розпилення

Іонно-плазмові методи отримали широке поширення в технології електронних засобів завдяки своїй універсальності і ряду переваг у порівнянні з іншими технологічними методами. Універсальність визначається тим, що з їх допомогою можна здійснювати різні технологічні операції: формувати тонкі плівки на поверхні підкладки, труїти поверхню підкладки з метою створення на ній заданого малюнка інтегральної мікросхеми, здійснювати очищення поверхні. До переваги іонно-плазмових методів відноситься висока керованість процесом; можливість отримання плівок тугоплавких матеріалів, а також хімічних сполук і сплавів заданого складу; краща адгезія плівок до поверхні і так далі. Суть методів іонно-плазмового напилення тонких плівок полягає в обробці поверхні мішені з потрібного речовини іонами і вибиванні атомів (молекул) з мішені. Енергія іонів при цьому становить величину порядку сотень і тисяч електрон-вольт. Утворений атомний потік прямує на підкладку, де відбувається конденсація речовини і формується плівка. Розрізняють іонно-променеве розпорошення, здійснюване бомбардуванням мішені пучком прискорених іонів, сформованим в автономному іонному джерелі, і власне іонно-плазмове розпилення, при якому мішень є одним з електродів у газорозрядної камері і її бомбардування здійснюється іонами, що утворюються в результаті газового розряду.