Список літератури

1. Технологія електронної техніки / З. Ю. Готра. – Львів : Видавництво Національного університету «Львівська політехніка», 2010. – Т. 2. – 884 с.

2. Березин А. С. Технология и конструирование интегральных мікросхем / А. С. Березин, О. Р. Мочалкина. – Москва : Радио и связь, 1992. – 320 с.

3. Прищепа М. М. Мікроелектроніка. Ч. 1. Елементи мікроелектроніки / М. М. Прищепа, В. П. Погребняк. – Київ : Вища школа, 2004. – 432 с.

4. Коледов Л. А. Технология и конструирование микросхем, микропроцессоров и микросборок / 

Л. А. Коледов. – Санкт-Петербург : Издательство «Лань», 2009. – 400 с.

Заняття 3 Семінар на тему «Загальна характеристика технологічного процесу виготовлення мікросхем»

Питання семінару

1. Означення ІМС, загального і базового технологічного процесів.

2. Класифікація технологічних процесів за призначенням у виробництві.

3. Класифікація технологічних процесів оброблювальної групи.

4. Мікроклімат та виробнича гігієна.

5. Вимоги до напівпровідникових кремнієвих пластин.

Список літератури

1. Технологія електронної техніки / З. Ю. Готра. – Львів : Видавництво Національного університету «Львівська політехніка», 2010. – Т.1. – 888 с.

2. Прищепа М. М. Мікроелектроніка. Ч. 1. Елементи мікроелектроніки / М. М. Прищепа, В. П. Погребняк. – Київ: Вища школа, 2004. – 432 с.

3. Коледов Л. А. Технология и конструирование микросхем, микропроцессоров и микросборок / 

Л. А. Коледов. – Санкт-Петербург : Издательство «Лань», 2009. – 400 с.

Заняття 4 Елементи напівпровідникових інтегральних мікросхем

Питання практичного заняття

1. Зобразити, як виготовити на базі біполярного транзистора елементи напівпровідникових інтегральних мікросхем: діод, резистор, конденсатор.

2. Зобразити, як виготовити на базі МОН-транзистора елементи напівпровідникових інтегральних мікросхем: діод, резистор, конденсатор.

Елементи теорії. Всі елементи НІМС виготовляються у єдиному технологічному процесі на основі єдиної транзисторної структури. У мікросхемах використовують біполярні транзистори, у більшості випадків зі структурою n-p-n⁺. Транзистори n-p-n⁺ типу колектор-база-емітер мають кращі характеристики порівняно з транзисторами p-n-p, що обумовлено рядом фізичних та технологічних факторів. Область емітера має провідність n⁺, тобто є сильно легованою донорними домішками. Біполярні транзистори в деяких випадках виготовляють із декількома колекторами та емітерами. Площа, яку займає одна транзисторна структура на поверхні мікросхеми, становить приблизно 0,01 – 0,05 мм².

Рисунок 1 – Поперечний переріз біполярного транзистора

Рисунок 2 – Поперечний переріз МОН-транзистора

Поряд із біполярними транзисторами використовують транзистори зі структурою метал-оксид-напівпровідник (МОН). Згадані транзистори за принципом дії належать до польових. НІМС на МОН = транзисторах є більш технологічними, дешевими та компактними порівняно з аналогічними схемами на біполярних транзисторах. Геометричні розміри МОН – транзисторів менші, ніж у біполярних, що дозволяє значно підвищити ступінь інтеграції. Площа, що займає такий транзистор становить 0,001–0,002 мм². МОН = транзистори можуть бути використані як діоди, резистори та конденсатори.

Існує п’ять способів увімкнення біполярного транзистора як діода, що відрізняються крутизною вольт-амперної характеристики, пробивною напругою, часом перемикання та ін. Найменший час перемикання має діод, одним електродом якого є емітер, а іншим – з’єднані разом колектор та база. Як резистори використовують структурні області бази або колектора транзистора. Резистори виготовляються одночасно з активними елементами. Вони виготовляються у вигляді прямокутної або зигзагоподібної форми. Дифузійні резистори залежно від ступеня легування шару напівпровідника, що використовується, можуть мати мінімальне значення опору від декількох Ом до десятків кОм. Як конденсатор використовують бар’єрну ємність зворотно ввімкненого n-p-переходу. Конденсатори мають ємність від декількох десятків до тисяч пікофарад.