Технологические основы електроники / TOE-RGR-2014
.pdf
31
2.Розробити схему технологічного процесу виготовлення дифузійно-планарної структури напівпровідникових мікросхем.
Відповідь:
Окислена
пластина р-типу
3 -а
фотоліт.
на SiO2
Емітерна
дифузія
n+ - домішки
Розділення пластин на кристали
1-а
фотоліт.
на SiO2
Окиснення
Окиснення
Контроль
електричних
параметрів
Колекторна
дифузія
n- домішки
Базова
дифузія
p- домішки
4 -а
фотолітог.
на SiO2
Відпалювання контактів
Окиснення
2 -а
фотоліт.
на SiO2
Металізація Al
5 -а
фотоліт. на Al
Монтаж |
|
Монтаж |
|
|
|
Випробу- |
кристала |
|
зовнішніх |
|
Герметизація |
|
вання |
в корпус |
|
виводів |
|
|
|
ІМС |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Маркування, |
|
|
|
|
|
|
упаковка |
|
|
|
|
|
|
|
32
3.Зобразити графічно залежність концентрації різних легуючих елементів з глибиною при дифузії їх у кремній протягом часу t = 1 година при початковій концентрації N0 = 5 1015 см–3 , якщо дифузія відбувається при температурі Т=1250 К. Параметри дифузії домішки у кремній: D0 = 60 см2/c; Ea = 4,2 еВ. Легуючий елемент As.
Відповідь:
При розв’язанні задачі необхідно скористатися співвідношеннями, які описують залежність концентрації домішки від глибини:
N N |
e x2 4Dt , |
(1) |
0 |
|
|
де N0 – поверхнева концентрація домішки; D – коефіцієнт дифузії;
x - глибина залягання домішки; t – час впровадження домішки.
D D e -( Ea / kT ) |
, |
(2) |
0 |
|
|
де D0 – передекспоненційний множник; k - стала Больцмана;
Ea – енергія активації дифузії;
Розрахункову залежність необхідно навести у координатах N(x).
33
Приклад оформлення титульного аркушу:
Сумський державний університет
Факультет електроніки та інформаційних технологій
Кафедра прикладної фізики
РОЗРАХУНКОВО-ГРАФІЧНА РОБОТА
з дисципліни
“ТЕХНОЛОГІЧНІ ОСНОВИ ЕЛЕКТРОНІКИ”
Варіант №___
Виконав: |
Прізвище, ініціали, |
|
група |
Перевірив: |
Опанасюк Н.М., |
|
доцент |
Суми – 2014
34
Навчальне видання
МЕТОДИЧНІ ВКАЗІВКИ для виконання розрахунково-графічних робіт робіт
з курсу
“ТЕХНОЛОГІЧНІ ОСНОВИ ЕЛЕКТРОНІКИ”
для студентів напряму 09.08. ”Електроніка” заочної і денної форм навчання
Укладач |
Н.М.Опанасюк |
Відповідальний за випуск |
І.Ю.Проценко |
Редактори: |
Н.В.Лисогуб, Т.Г.Чернишова |
План 2004 р., поз. |
Обл.-вид.арк. |
|
Ум. друк. арк. |
Підп. до друку |
Формат 60x84/16. |
Наклад 100 прим. |
Безкоштовно. |
Собівартість вид. |
Замовлення № |
Вид-во СумДУ. Р.с. №34 від 11.04.2000 р., 40007, Суми, вул. Римського-Корсакова, 2
Друкарня СумДУ. 40007, Суми, вул.Римського-Корсакова, 2
35
МІНІСТЕРСТВО ОСВІТИ І НАУКИ УКРАЇНИ СУМСЬКИЙ ДЕРЖАВНИЙ УНІВЕРСИТЕТ
До друку та в світ дозволяю на підставі “Єдиних правил”,
п.2.6.14
В.о. першого проректора М.І.Волков
МЕТОДИЧНІ ВКАЗІВКИ для виконання розрахунково-графічних робіт
з курсу
“ТЕХНОЛОГІЧНІ ОСНОВИ ЕЛЕКТРОНІКИ” для студентів напряму 09.08. ”Електроніка” заочної і денної форм навчання
Усі цитати, цифровий та фактичний матеріал, бібліографічні відомості перевірені, запис одиниць відповідає стандартам
Укладач |
Н.М.Опанасюк |
Відповідальний за випуск |
І.Ю.Проценко |
Декан факультету ЕлІТ |
С.І.Проценко |
Суми Вид-во Сум ДУ 2014