- •4.Стадии и механизмы роста покрытий при их осаждении из газового потока
- •5. Адсорбция и образование зародышей конденсированной фазы
- •7 Рост покрытий. Коэффициент конденсации.
- •8 Классификация методов осаждения вакуумных покрытий
- •13. Особенности электронного-лучевого испарения диэлектриков,
- •15,Генерация летучих продуктов методом ионного распыления. Достоинство и недостатки метода.
- •16,Катодное распыление. Диодная схема. Достоинство и недостатки.
- •17,Магнетронное распыление. Основные параметры.
- •18. Высокочастотное распыление
- •23. Вакуумная металлизация полимерных материалов
- •24. Технология Вакуумной металлизации полимерных материалов
- •25. Реактивные методы нанесения вакуумных покрытий
- •26. Методы нанесения углеродных слоёв
- •27. Радиационно-стимулированные методы обработки материалов
- •28. Элементарные процессы в плазме. Возбуждение атомов.
- •29. Элементарные процессы в плазме. Ионизация и рекомбинация.
- •31. Формирование плазмохимических неорганических покрытий
- •36. Физико-химические основы и технология нанесения гальванических покрытий.
- •37) Основы нанесения покрытий методом химических транспортных реакций
- •38) Технологические особенности нанесения методом химических транспортных реакций. Нанесение покрытий из вольфрама
- •39) Структурное состояние тонких покрытий
- •40) Размерный структурный эффект в тонких покрытиях
- •41) Псевдоморфизм в тонких покрытиях. Образование сверхструктур. Свойства сверхструктур.
- •43) Механические свойства металлических покрытий. Адгезия. Теории адгезии.
- •44) Внутренние напряжения в покрытиях. Триботехнические свойства покрытий.
- •45) Электрические свойства металлических покрытий. Механизмы переноса заряда в островковых покрытиях.
- •46) Электронная эмиссия и электромагнитное излучение возникающие при прохождении электрического тока в диспергированных покрытиях.
13. Особенности электронного-лучевого испарения диэлектриков,
Время выдержки жидкого металла в кристаллизаторе и температуру металла можно регулировать в относительно широком диапазоне, что особенно важно для удаления в вакууме вредных примесей с низкой температурой испарения. Электронно-лучевым переплавом отливают слитки небольшой массы. Это и определяет сортамент продукта из этой стали. Испарение электронно-лучевое 536 Испытания (-е) А1,0э ряде Электронно-лучевое испарение 7,25—9,07 0,005—0,01 Электронно-лучевое испарение 13,5 0,004. Электронно-лучевая и лазерная резка. Эти процессы основаны на испарении металла под воздействием мощного, концентрированного источника нагрева. Электронно-лучевая резка осуществляется в вакууме, в то время как резка лазером может происходить в обычной атмосфере. Резка этими методами отличается высокой чистотой и точностью реза, небольшой зоной термического влияния на кромках разрезаемого материала. Однако установки для электронно-лучевой и лазерной резкиимеют повышенную сложность и стоимость.
14,вакуумное электродуговое испарение. Конструкции дуговых испарителей. Состав газовой фазы Вакуумно-дуговой процесс испарения начинается с зажигания вакуумной дуги (характеризующейся высоким током и низким напряжением), которая формирует на поверхности катода (мишени) одну или несколько точечных (размерами от единиц микрон до десятков микрон) эмиссионных зон (так называемые «катодные пятна»), в которых концентрируется вся мощность разряда. Локальная температура катодного пятна чрезвычайно высока (около 15000 °C), что вызывает интенсивное испарение и ионизацию в них материала катода и образование высокоскоростных (до 10 км/с) потоков плазмы, распространяющихся из катодного пятна в окружающее пространство. Отдельное катодное пятно существует только в течение очень короткого промежутка времени (микросекунды), оставляя на поверхности катода характерный микрократер, затем происходит его самопогасание и самоинициация нового катодного пятна в новой области на катоде, близкой к предыдущему кратеру. Визуально это воспринимается как перемещение дуги по поверхности катода, Так как дуга, по существу, является проводником с током, на неё можно воздействовать наложением электромагнитного поля, что используется на практике для управления
перемещением дуги по поверхности катода, для обеспечения его равномерной эрозии.
15,Генерация летучих продуктов методом ионного распыления. Достоинство и недостатки метода.
способом осаждения является химическое, при котором химически активный газ адсорбируется на поверхности исходного материала и реагирует с ним. Летучий продукт этой реакции десорбируется, и его можно перенести в другие части системы, где он подвергается дополнительной очистке или вступает в реакцию, образуя осадок. После того, как исходный материал переведен в парообразное или газообразное состояние, его требуется транспортировать в то место, где нужно получить осадок. При физическом осаждении сопротивление переносу незначительное, поскольку процесс осуществляется в высоком вакууме. При химическом осаждении в замкнутых камерах скорость переноса источника осаждаемого материала до покрываемой поверхности зависит от температуры газа и скорости диффузии газообразных реагентов. При химическом осаждении поверхность должна быть нагрета до более высокой температуры, чем газообразные соединения. В результате чего возможно термическое разложение летучего соединения и осаждение материала на поверхность заготовкиГлавными преимуществами метода химического осаждения являются широкий диапазон скоростей осаждения и возможность получения заданной кристаллической структуры пленки (вплоть до монокристаллов). Основным недостатком является необходимость применения токсичных, экологически небезопасных газовых смесей.
