Основні константи, що використовуються у ргр

k = 1,38110^-23 Дж/К

- стала Больцмана

q = 1,60210^-19 Кл

- заряд електрона

ε₀ = 8,85410^-12 Ф/м

- електрична стала

h = 6,626 10^-34 Джс

- стала Планка

с = 2,999 10⁸ м/с

- швидкість світла у вакуумі

ε = 16

- відносна діелектрична проникність германію (Т = 300 К)

ε = 11,7

- відносна діелектрична проникність кремнію (Т = 300 К)

ε = 12,9

- відносна діелектрична проникність

GaAs (Т = 300 К)

ΔE_gGe = 0,72 еВ

- ширина забороненої зони германію

ΔE_gSi = 1,12 еВ

- ширина забороненої зони кремнію

ΔE_gGaAs = 1,44 еВ

- ширина забороненої зони GaAs

μ_n = 3800 см²/Вс

- рухливість електронів у германії при Т = 300 К

μ_n = 3000 см²/Вс

- рухливість електронів у кремнії при Т = 300 К

μ_n = 8500 см²/Вс

- рухливість електронів у GaAs при Т = 300 К

μ_p = 1820 см²/Вс

- рухливість дірок у германії при Т =300 К

μ_p = 500 см²/Вс

- рухливість дірок у кремнії при Т = 300 К

μ_p = 420 см²/Вс

- рухливість дірок у GaAs при Т = 300 К

m_n1 = 0,22m_e

- ефективна маса електрона в германії

m_n2 = 1,06m_e

- ефективна маса електрона в кремнії

m_n3 = 0,067m_e

- ефективна маса електрона в арсеніді галію

m_р1 = 0,39m_e

- ефективна маса дірки в германії

m_р2 = 0,56m_e

- ефективна маса дірки в кремнії

m_р3 = 0,45m_e

- ефективна маса дірки в арсеніді галію