Іс з інжекційним живленням

• Його електричну схему можна подати у вигляді пари комплементарних біполярних транзисторів: V₂ – багато­колекторний транзистор n-­p-­n, основа ключа; V₁ - p­-n­-p – транзистор, постійно відкритий, який служить у схемах І²Л джерелом струму I_Г. Цей струм створюється інжекцією дірок через ЕП p-­n­-p – транзистора V₁. Тому емітер, який виконує функцію джерела струму, вважається інжектором, а самі елементи – логічними елементами з інжекційним живленням.

• Величина Е = 1,0 - 1,5 В. Через це логічні рівні схеми малі і становлять: U₁ = 0,75 В; U₀ = 0,05 В. І²Л-елемент працює у позитивній логіці. Якщо U_вх =U₁ = 0,75 В, то багатоколекторний транзистор V₂ відкритий, струм I_Г = I_К1 тече в його базу, насичуючи прилад. При цьому на всіх колекторах V₂ буде низький потенціал: U_вх = U₀ = 0,05 В. Якщо ж U_вх = U₀ = 0,05 В, то транзистор V₂ закривається, і струм I_Г =I_К1 потече у вхідне коло. На виході І²Л-інвертора буде U_вх = U₁ = 0,75 В – високий потенціал.