Елементи конструкції іс

• Корпус ІС – призначений для захисту ІС від зовнішніх впливів і для з'єднання із зовнішніми електричними колами за допомогою виводів. Разом із корпусними випускаються і безкорпусні ІС.

• Підкладка ІС – заготовка, призначена для виготовлення на ній елементів гібридних ІС, міжз’єднань і контактних площадок.

• Напівпровідникова пластина  заготовка з напівпровід­никового матеріалу, яка застосовується для виготовлення напівпровідникових інтегральних схем (рис. поз. 1).

• Кристал ІС, чіп – частина напівпровідникової пластини (прямокутник 5х5 мм), у об'ємі і на поверхні якої сформовані елементи ІС, міжз’єднання і контактні майданчики (рис. поз. 2).

• Контактні майданчики – металізовані ділянки на підкладці або кристалі, призначені для приєднання до виводів корпуса ІС, а також для контролю її електричних параметрів і режимів (рис. поз. 3).

• Мікроскладання – мікроелектронний виріб, який вико­нує певну функцію і складається з елементів, компонентів і інтегральних схем (корпусних і безкорпусних) з метою мікромініатюризації електронної техніки.

• Мікроблок – мікроелектронний виріб, який, окрім мікроскладань, містить ще інтегральні схеми і компоненти.

• Серія ІС – це сукупність ІС, які можуть виконувати різноманітні функції, але мають єдине конструктивно-технологічне використання і призначені для спільного застосування (напр., серія 133, серія 155, серія 140)

Напівпровідникова пластина, чіп, контактний майданчик

Класифікація ic

• 1. За технологією виготовлення ІС поділяють на:

напівпровідникові;

плівкові;

гібридні.

• 2. За функціональними призначеннями:

аналогові (АІС);

цифрові (ЦІС).

• 3. За ступенем інтеграції, який оцінюється показником k = lgN_e,

де N_e – число елементів і компонентів у складі ІС:

малої інтеграції:

N_e ≤ 10, k = 1,

10 < N_e ≤ 100, k = 2;

середньої інтеграції:

100 < N_e ≤ 1000, k = 3;

великі інтегральні схеми (ВІС):

1000 < N_e ≤ 10000, k = 4;

надвеликі інтегральні схеми (НВІС):

10000 < N_e ≤ 100000, k = 5.

• 4. За функціональними можливостями:

універсальні;

спеціалізовані.

• 5. За типом основного активного елемента:

ІС на біполярних транзисторах;

ІС на уніполярних транзисторах (МДН, КМДН).

• 6. За конструктивним виконанням:

корпусні;

без корпусні.

Система умовних позначень іс

• Упроваджена на підставі ГОСТ 17021-75

• 1-й елемент: 1, 5, 6, 7 – напівпровідникові ІС;

• 2, 4, 8 - гібридні ІС;

• 3 - інші (плівкові, вакуумні).

• 2-й елемент

Означає порядковий номер розробки (точніше, даної серії). Може містити 2-3 цифри.

• 3-й елемент: ЛА – логічний елемент І – НЕ; ЕН – стабі­лізатор напруги; ТВ – JК тригер; ТМ – D-тригер; ТМ  D-тригер; ТР – RS-тригер; ІP – регістр; ІE – лічильник; СА – компаратор; ПВ – АЦП; ПА – ЦАП; УВ – підсилювач ВЧ; УР – підсилювач проміжної частоти; УН – підсилювач НЧ; УВ – відеопідсилювач; УЕ – емітерний повторювач; ФВ – фільтр ВЧ; ФН – фільтр НЧ; ГС – генератор синусоїдних сигналів.