- •Лавинно-пролітний діод
- •Будова і зонна діаграма
- •Принципи генерації
- •Типова конструкція лдп
- •Використання лпд для генерації нвч-коливань
- •Параметри лпд
- •Діод Ганна
- •Зона структура матеріалу
- •Механізм генерації
- •Утворення доменів
- •Режим прольоту
- •Умова реалізації генерації
- •Генерація нвч-коливань в діодах
- •Недоліки та переваги генераторів ганна
- •Оптоелектроніка
- •Переваги ое
- •Недоліки ое
- •Основні прилади ое
- •Основні поняття оптики
- •Електромагнітні хвилі
- •Механізми поглинання світла
- •Заломлення та відбиття cвітла
- •Формула друде-фойгта
- •Спектри пропускання та відбиття
- •Прямозонні та непрямозонні матеріали
- •Визначення Еg
- •Екситонне поглинання
- •Люмінесценція
- •Фоторезистивний ефект
- •Оптоелектроніка
- •Напівпровідники для виготовлення джерел світла світлодіоди
- •Параметри світлодіодів
- •Напівпровідникові лазери
- •Напівпровідникові фотоприймачі
- •Напівпровідникові фотоприймачі
- •Фотодіоди
- •Фотодіоди
- •Фотоприймачі з внутрішнім підсиленням
- •Основні параметри фотоприймачів
- •Фізичні принципи роботи се
- •Конструкція се
- •Поява струму при освітлені
- •Процеси у фотоперетворювачах
- •Точка максимальної потужності
- •Еквівалентна схема се
- •Сонячний спектр в космосі та на землі
- •Обмеження ефективності се
- •3) Напруга холостого ходу (Voc).
- •Для даного сонячного спектру, існує оптимальна ширина забороненої зони матеріалу
- •Гетеропереходи
- •Характеристики тонкоплівкових феп
- •Стан гетерограниці
- •Вплив границь зерен
- •Типи потенціальних бар’єрів на межі зерна
- •Вплив часу життя носіїв заряду на характеристики се
- •Нові матеріали поглинаючих шарів се
- •Багатоперехідні (каскадні) сонячні перетворювачі
- •Оптрони та їх застосування
- •Зростання ккд се
- •Оптрони та їх застосування
- •Оптрони та їх застосування
- •Оптрони та їх застосування
- •Основи мікроелектроніки
- •Елементи конструкції іс
- •Класифікація ic
- •Система умовних позначень іс
- •Гібридні ic
- •2 Необхідно мати універсальні іс.
- •Гібридна технологія
- •Плівкові конденсатори
- •Технологія створення ic
- •Технологія виготовлення інтегральних мдн- структур
- •Ізоляція
- •Біполярні транзистори
- •Багатоемітерні транзистори
- •Бт з бар'єром шотткі
- •Мон (мдн)- транзистори
- •Резистори
- •Конденсатори
- •Іс з інжекційним живленням
- •Іс з інжекційним живленням
Вплив часу життя носіїв заряду на характеристики се
Залежність
Voc
від
тривалості життя носіїв
для
СЕ на основі CdTe
Нові матеріали поглинаючих шарів се
CuInSe2
(CIS),
Cu(In,Ga)Se2
(CIGS),
Cu(In,Ga)(S,Se)2
(CIGSS) Cu2ZnSnS4
(CZTS),
Cu2ZnSnSe4
(CZTSe),
Cu2ZnSn(S,Se)4
(CZTSe)
Багатоперехідні (каскадні) сонячні перетворювачі
Принцип
роботи та будова багатоперехідного
сонячного елемента
У
типовому
багатоперехідному
сонячному елементі одиночні
фотоелементи розташовані один за одним
таким чином, що сонячне світло спочатку
потрапляє на елемент з найбільшою
шириною забороненої зони, при цьому
поглинаються фотони з найбільшою
енергією. Пропущені верхнім шаром
фотони проникають в наступний елемент
з меншою шириною забороненої зони і
так далі.
Оптрони та їх застосування
-
Оптрон, або оптопара, - це оптоелектронний прилад, що містить у собі конструктивно об’єднані й розміщені в одному корпусі джерело і приймач випромінювання з певним видом оптичного й електричного зв’язку між ними.
-
В електронних схемах оптрон виконує функцію елемента зв’язку, в одній з ланок якого інформація передається оптичним шляхом. Якщо між компонентами оптрона створити електричний зворотний зв’язок, то оптрон стає активним приладом, придатним для підсилення і генерування електричних і оптичних сигналів.
-
Приклад будови резисторного оптрона показано на рис.
-
Як джерело світла в ньому використовується світлодіод 1, як фотоприймач – фоторезистор 3 у вигляді спресованої таблетки. Для зменшення ємнісного зв’язку між джерелом світла та фотоприймачем розміщується прозорий електростатичний екран 4. Внутрішня частина оптрона заливається оргсклом або епоксидною смолою, які захищають прилад від впливу зовнішнього середовища і відіграють роль світловода. Герметичний металевий корпус 2 зовні нагадує корпус простого транзистора
-
-
-
.
Будова резисторного
оптрона: 1 – світлодіод;
2 – металевий
корпус; 3 – фоторезистор;
4 – електростатичний
екран
Зростання ккд се

Оптрони та їх застосування
Джерело
і приймач світла в оптроні мають бути
спектрально узгоджені між собою.
В оптичному видимому діапазоні
застосовуються світлодіоди на основі
SiC або GaP і фоторезистори на основі
селеніду кадмію (CdSe) або сульфіду кадмію
(CdS).
Проте
оптичне середовище в оптроні може
створюватися не лише з прозорого
компаунда на основі полімерів. Для
одержання високої розв’язки виходу
і входу використовують волоконні
світловоди у вигляді нитки з прозорого
діелектрика.
Світловий промінь від джерела
випромінювання потрапляє в торець
світловоду, і після багаторазового
відбиття від бічних стінок він виходить
з іншого кінця світловоду, зазнавши
малого гасіння. За допомогою волоконного
світловоду можлива передача сигналу
керування на великі відстані з високою
електричною розв’язкою і завадостійкістю.
Схема вмикання
діодного оптрона зображена на рис.
Принцип
дії оптрона
полягає в тому, що під дією вхідного
сигналу (сигналу керування) змінюється
інтенсивність світлового потоку від
випромінювача, і це приводить до зміни
внутрішнього опору фотоприймача
(фотодіода), струму у вихідному колі
та напруги, що знімається з навантаження
RH.
Схема вмикання
діодного оптрона
