- •“ТВЕРДОТІЛЬНА ЕЛЕКТРОНІКА“
- •ЛІТЕРАТУРА
- •ОЦІНЮВАННЯ
- •ШКАЛА ОЦІНЮВАННЯ ЗНАНЬ СТУДЕНТІВ
- •ЛАВИННО-ПРОЛІТНІ ДІОДИ
- •БУДОВА І ЗОННА ДІАГРАМА
- •ПРИНЦИПИ ГЕНЕРАЦІЇ
- •ТИПОВА КОНСТРУКЦІЯ ЛПД
- •ВИКОРИСТАННЯ ЛПД ДЛЯ ГЕНЕРАЦІЇ НВЧ-КОЛИВАНЬ
- •ПАРАМЕТРИ ЛПД
- •ДІОДИ ГАННА
- •ЗОННА СТРУКТУРА МАТЕРІАЛУ
- •МЕХАНІЗМ ГЕНЕРАЦІЇ
- •МЕХАНІЗМ ГЕНЕРАЦІЇ
- •УТВОРЕННЯ ДОМЕНІВ
- •РЕЖИМ ПРОЛЬОТУ
- •УМОВА РЕАЛІЗАЦІЇ ГЕНЕРАЦІЇ
- •ГЕНЕРАЦІЯ НВЧ-КОЛИВАНЬ В ДІОДАХ
- •НЕДОЛІКИ ТА ПЕРЕВАГИ ГЕНЕРАТОРІВ ГАННА
- •ОПТОЕЛЕКТРОНІКА
- •ПЕРЕВАГИ ОЕ
- •НЕДОЛІКИ ОЕ
- •ОСНОВНІ ПРИЛАДИ ОЕ
- •ОСНОВНІ ПРИЛАДИ ОЕ
- •ОСНОВНІ ПОНЯТТЯ ОПТИКИ
- •ЕЛЕКТРОМАГНІТНІ ХВИЛІ
- •ЗОННА ДІАГРАМА МАТЕРІАЛІВ
- •МЕХАНІЗМИ ПОГЛИНАННЯ СВІТЛА
- •ЗАКОНИ ПОГЛИНАННЯ СВІТЛА
- •ЗАЛОМЛЕННЯ ТА ВІДБИТТЯ CВІТЛА
- •ФОРМУЛА ДРУДЕ-ФОЙГТА
- •СПЕКТРИ ПРОПУСКАННЯ ТА ВІДБИТТЯ
- •ПРЯМОЗОННІ ТА НЕПРЯМОЗОННІ МАТЕРІАЛИ
- •ПОГЛИНАННЯ СВІТЛА
- •ВИЗНАЧЕННЯ Еg
- •ЕКСИТОННЕ ПОГЛИНАННЯ
- •ЛЮМІНЕСЦЕНЦІЯ
- •ІНЖЕКЦІЙНА ТА УДАРНА ЛЮМІНЕСЦЕНЦІЯ
- •ФОТОРЕЗИСТИВНИЙ ЕФЕКТ
- •ОПТОЕЛЕКТРОНІКА
- •НАПІВПРОВІДНИКИ ДЛЯ ВИГОТОВЛЕННЯ ДЖЕРЕЛ СВІТЛА
- •СВІТЛОДІОДИ
- •СВІТЛОДІОДИ
- •ПАРАМЕТРИ СВІТЛОДІОДІВ
- •НАПІВПРОВІДНИКОВІ ЛАЗЕРИ
- •НАПІВПРОВІДНИКОВІ ЛАЗЕРИ
- •НАПІВПРОВІДНИКОВІ ЛАЗЕРИ
- •НАПІВПРОВІДНИКОВІ
- •НАПІВПРОВІДНИКОВІ
- •ФОТОДІОДИ
- •ФОТОДІОДИ
- •ФОТОПРИЙМАЧІ З ВНУТРІШНІМ ПІДСИЛЕННЯМ
- •ФОТОПРИЙМАЧІ З ВНУТРІШНІМ ПІДСИЛЕННЯМ
- •ОСНОВНІ ПАРАМЕТРИ ФОТОПРИЙМАЧІВ
- •ФІЗИЧНІ ПРИНЦИПИ РОБОТИ СЕ
- •КОНСТРУКЦІЯ СЕ
- •p-n ПЕРЕХІД В СТАНІ РІВНОВАГИ
- •ПОЯВА СТРУМУ ПРИ ОСВІТЛЕНІ
- •ПРОЦЕСИ У ФОТОПЕРЕТВОРЮВАЧАХ
- •ВАХ р-n-ПЕРЕХОДУ
- •ТОЧКА МАКСИМАЛЬНОЇ ПОТУЖНОСТІ
- •ЕКВІВАЛЕНТНА СХЕМА СЕ
- •СОНЯЧНИЙ СПЕКТР В КОСМОСІ ТА НА ЗЕМЛІ
- •ПОГЛИНАННЯ ФОТОНІВ У Si
- •ОБМЕЖЕННЯ ЕФЕКТИВНОСТІ СЕ
- •ОПТИМУМ ШОКЛІ-КВАЙСЕРА
- •МАКСИМАЛЬНИЙ ККД СЕ
- •ВТРАТИ ЕНЕРГІЇ У СЕ
- •ВПЛИВ ПОСЛІДОВНОГО І ШУНТУЮЧОГО ОПОРІВ
- •СЕ РІЗНИХ ПОКОЛІНЬ
- •РОЗПОДІЛ СЕ ЗА МАТЕРІАЛОМ
- •ВИГОТОВЛЕННЯ ФЕП НА ОСНОВІ Si
- •ПОВЕРХНЕВА РЕКОМБІНАЦІЯ
- •ГЕТЕРОПЕРЕХОДИ
- •ТИПОВА КОНСТРУКЦІЯ СЕ НА ОСНОВІ ГП
- •ХАРАКТЕРИСТИКИ ТОНКОПЛІВКОВИХ ФЕП
- •СТАН ГЕТЕРОГРАНИЦІ
- •ВПЛИВ ГРАНИЦЬ ЗЕРЕН
- •ТИПИ ПОТЕНЦІАЛЬНИХ БАР’ЄРІВ НА МЕЖІ ЗЕРНА
- •ВПЛИВ ЧАСУ ЖИТТЯ НОСІЇВ ЗАРЯДУ НА ХАРАКТЕРИСТИКИ СЕ
- •НОВІ МАТЕРІАЛИ ПОГЛИНАЮЧИХ ШАРІВ СЕ
- •БАГАТОПЕРЕХІДНІ (КАСКАДНІ) СОНЯЧНІ ПЕРЕТВОРЮВАЧІ
- •ОПТРОНИ ТА ЇХ ЗАСТОСУВАННЯ
- •ЗРОСТАННЯ ККД СЕ
- •ОПТРОНИ ТА ЇХ ЗАСТОСУВАННЯ
- •ОПТРОНИ ТА ЇХ ЗАСТОСУВАННЯ
- •ОПТРОНИ ТА ЇХ ЗАСТОСУВАННЯ
- •ОСНОВИ МІКРОЕЛЕКТРОНІКИ
- •ОСНОВИ
- •ОСНОВИ
- •ОСНОВИ
- •ЕЛЕМЕНТИ КОНСТРУКЦІЇ ІС
- •КЛАСИФІКАЦІЯ IC
- •СИСТЕМА УМОВНИХ ПОЗНАЧЕНЬ ІС
- •ГІБРИДНІ IC
- •ГІБРИДНА ТЕХНОЛОГІЯ
- •ПЛІВКОВІ КОНДЕНСАТОРИ
- •ТЕХНОЛОГІЯ СТВОРЕННЯ IC
- •ТЕХНОЛОГІЯ СТВОРЕННЯ IC
- •ТЕХНОЛОГІЯ ВИГОТОВЛЕННЯ ІНТЕГРАЛЬНИХ МДН- СТРУКТУР
- •ІЗОЛЯЦІЯ
- •БІПОЛЯРНІ ТРАНЗИСТОРИ
- •БАГАТОЕМІТЕРНІ ТРАНЗИСТОРИ
- •БТ З БАР'ЄРОМ ШОТТКІ
- •МОН (МДН)- ТРАНЗИСТОРИ
- •РЕЗИСТОРИ
- •КОНДЕНСАТОРИ
- •ІС З ІНЖЕКЦІЙНИМ ЖИВЛЕННЯМ
- •ІС З ІНЖЕКЦІЙНИМ ЖИВЛЕННЯМ
- •Дякую за увагу
ІС З ІНЖЕКЦІЙНИМ ЖИВЛЕННЯМ
•Його електричну схему можна подати у вигляді пари комплементарних біполярних транзисторів: V2 – багатоколекторний транзистор n-p-n, основа ключа; V1 - p-n-p – транзистор, постійно відкритий, який служить у схемах І²Л джерелом струму IГ. Цей струм створюється інжекцією дірок через ЕП p-n-p – транзистора V1. Тому емітер, який виконує функцію джерела струму, вважається інжектором, а самі елементи – логічними елементами з інжекційним живленням.
•Величина Е = 1,0 - 1,5 В. Через це логічні рівні схеми малі і становлять: U1 = 0,75 В; U0 = 0,05 В. І²Л- елемент працює у позитивній логіці. Якщо Uвх =U1 = 0,75 В, то багатоколекторний транзистор V2 відкритий, струм IГ = IК1 тече в його базу, насичуючи прилад. При цьому на всіх колекторах V2 буде низький потенціал: Uвх = U0 = 0,05 В. Якщо ж Uвх = U0 = 0,05 В, то транзистор V2 закривається, і струм IГ =IК1 потече у вхідне коло. На виході І²Л-інвертора буде Uвх = U1 = 0,75 В – високий потенціал.
•Описаний І²Л-елемент є будівельною «цеглиною» більш складних логічних елементів.
Опанасюк А.С.112
Дякую за увагу
113
