- •Основні напрями розвитку електроніки. Вакуумна, твердотільна і квантова електроніка. Визначення та завдання.
- •Основні етапи розвитку мікроелектроніки. Класифікація виробів електроніки по виду енергії, потужності, частоті. Активні і пасивні елементи.
- •Основні матеріали напівпровідникової техніки. Елементарні напівпровідники IV підгрупи періодичної системи. Сполуки а3в5 та а2в6. Інші нп матеріали. Їх властивості та використання.
- •4. Будова моно- , полікристалічних та аморфних матеріалів. Ізо- та анізотропія. Ближній та дальній порядок в матеріалах.
- •5. Кристалічна гратка. Елементарна комірка, її параметри, гратка Браве. Види сингоній, їх особливості. Прості гратки.
- •6. Позначення вузлів, напрямків та кристалографічних площин у кристалах та Індекси Міллера. Класифікація структурних дефектів в кристалах. Крайові та гвинтові дислокації. Вектор Бюргерса.
- •7.Зонна структура нп, її утворення. Метали, напівпровідники, діелектрики. Власні та домішкові напівпровідники. Їх зонні діаграми. Основні носії у матеріалах.
- •Статистика електронів і дірок у нп х. Власна і домішкова провідність нп. Вирази для концентрації носіїв та провідності.
- •Рухливість електронів і дірок. Основні механізми розсіювання носіїв. Вплив температури на рухливість носіїв заряду.
- •Рівень Фермі. Положення рівня Фермі у власних та домішкових нп х. Вплив температури на положення рівня Фермі у власних та домішкових нп х.
- •Дрейфові і дифузійні струми у нп х.
- •Фундаментальні рівняння твердотільної електроніки. Рівняння повного струму. Рівняння Пуассона. Рівняння неперервності. Закон електронейтральності.
- •Спорідненість до електрону. Робота виходу з нп n- та p-типа. Термоелектронна емісія в нп х. Формула Річардсона.
- •Ефект поля в поверхневому шарі Нп кристалу. Зонні діаграми при ефекті поля. Області збіднення, збагачення, інверсії. Дебаєвська довжина екранування.
- •Енергетична діаграма контакту метал-напівпровідник. Перехід Шоткі у рівноважному стані. Його основні параметри. Вах переходу. Переваги та недоліки діодів Шоткі.
- •Процеси на р-n - переході під дією зовн. Напруги. Діаграми енергетичних зон переходу. Вах ідеального p-n переходу. Ємність р-n переход у та його еквівалентна схема.
- •Особливості вах реальних випрямних контактів. Явище пробою переходу. Його різновиди.
- •Гетеропереходи. Вимоги до матеріалів гетеропереходу. Ізотипні та анізотипні гетеропереходи. Різкі та плавні гетеропереходи. Побудова зонних діаграм гетеропереходів.
- •Класифікація та система позначень діодів. Випрямні діоди. Їх особливості та використання. Основні параметри.
- •Нп стабілітрони і стабістори. Принцип роботи. Їх вах. Застосування.
- •Універсальні діоди. Вимоги до універсальний діодів.
- •Імпульсні діоди та перехідні процеси в них. Шляхи отримання необхідних параметрів.
- •Тунельні діоди. Вах діодів та її пояснення. Вимоги до конструкції. Обернені діоди. Особливості вах. Використання.
- •Варикапи та варактори. Вимоги до приладів. Основні параметри. Конструкція.
- •Діоди Шотткі. Конструкція. Переваги та недоліки.
- •Загальні відомості про біполярні транз. (бт). Класифікація транз.Ів. Система позначень бт.
- •Будова і технологія виготовлення сплавного транз.Ів. Способи вмикання і режими роботи бт. Схеми зі спільною базою, емітером і колектором.
- •Принцип дії бт в активному режимі у схемі зі спільною базою. Коеф.И перенесення, помноження колекторного струму, Статич. Коеф. Передачі струму.
- •Вплив конструкції та режиму роботи транз.А на Статич. Коеф. Передачі струму.
- •Статичні х-ки бт. Бт як чотириполюсник. Y, z, та h системи опису характеристик транз.Ів.
- •Статичні х-ки бт зі спільною базою. Вхідні і вихідні х-ки. Х-ки прямої передачі та зворотного зв’язку.
- •Статичні х-ки бт зі спільним емітером та спільним колектором. Вхідні і вихідні х-ки. Х-ки прямої передачі та зворотного зв’язку.
- •Вплив температури на статичні х-ки транз.Ів. Схема підключення зі спільною базою, спільним емітером. Граничні режими роботи транз.А.
- •Пробій транз.А. Тепловий та електричний пробої. Вплив на них опору у колі бази. Вторинний пробій та пробій замикання. Макс. Допустима потужність, що розсіюється колектором.
- •IKmax - максимальним струмом колектора;
- •Диференціальні параметри бт. Відповідність між малими амплітудами струмів і напруги чотириполюсника. Визначення h параметрів за вхідними та вихідними х-ками бт.
- •Фізичні параметри та еквівалентні схеми бт при різних підключеннях (зі спільною базою, спільним емітером). Залежність фізичних параметрів від емітерного струму, колекторної напруги, температури.
- •Робота бт у динамічному режимі. Принцип дії підсилювального каскаду на бт. Схеми зі спільною базою та спільним емітером.
- •Способи забезпечення режиму спокою транз.Ного каскаду. Схеми з фіксованим струмом бази та фіксованим потенціалом бази.
- •Способи забезпечення режиму спокою транз.Ного каскаду. Схеми з температурною стабілізацією в емітерному колі, спільною базою та автоматичним зміщенням робочої точки.
- •Оцінка транз.Них каскадів з точки зору температурної нестабільності.
- •Динамічні х-ки бт та їх використання. Вхідна навантажувальна х-ка. Вхідна навантажувальна х-ка.
- •Параметри режиму підсилення та їх розрахунок за динамічними х-ками транз.Ного каскаду.
- •Частотні властивості бт. Схеми зі спільною базою та спільним емітером. Вплив ємностей переходів і розподіленого опору бази на частотні властивості транз.А.
- •Робота бт у ключовому режимі. Переміщення робочої точки в ключовому (імпульсному) режимі транз.А.
- •Диференціальні параметри пт. Крутизна прохідної х-ки. Внутрш. (Диференц.) опір. Статич. Коеф. Підсилення напруги та Диференц. Вхідний опір.
- •Пт з ізольованим затвором (мдн). Ефект поля. Мдн-транз. З індукованим каналом. Мдн-транз. З вбудованим каналом. Структурна схема, принцип дії та х-ки мдн.
- •Вплив температури на х-ки пт. Температурний дрейф стокозатворних характеристик пт з клерувальним p-n переходом. Вплив температури на стокові х-ки.
- •Динамічний режим роботи пт. Схеми забезпечення режиму спокою пт.
- •Каскад на пт: розрахунок у статиці та динаміці. Параметри підсилювача на пт з клерувальним p-n-переходом.
- •Частотні властивості пт. Гранична частота пт з клерувальним p-n переходом та мдн-транз.Ів.
- •Польові прилади з зарядовим зв’язком (пзз). Їх принцип дії. Основні параметри польових пзз.
- •Будова та принцип дії тиристорів. Їх маркування та позначення. Вах тиристора.
- •Диністорний та триністорний режим роботи тиристору. Залежність напруги переключення триністора від струму керування. Симістори. Структура та вах.
- •Бт з ізольованим затвором. Cтруктурна схема, умовне позначення. Переваги та недоліки.
- •Оптоелектроніка визначення,риси, переваги. Прилади оптоелектроніки
- •Прямозонні та непрямозонні матеріали, їх коеф.И поглинання. Визначення ширини забор. Зон.Нп матеріалів. Екситони. Енергія утворення екситону. Вільні та зв’язані екситону. Екситонне поглинання.
- •Люмінесценція. Її види. Спонтанна та вимушена рекомбінація. Люмінесценція. Інжекційна та ударна люмінесценція.
- •Фоторезистивний ефект. Надлишкова концентрація носіїв заряду під час ефекту. Оптоелектронні нп прилади. Їх класифікація.
- •Нп лазери. Їх принцип роботи та будова. Типи лазерних діодів. Області використання одномодових та багатомодових лазерів.
- •Нп фотоприймачі. Їх види. Фоторезистори. Будова та схема вмикання. Недоліки та переваги. Фотодіоди. Принцип роботи та будова. Вах фотодіода. Основні параметри фотоприймачів(не полностью)
- •Фотоприймачі з внутрішнім підсиленням. Фоторезистори та фототиристори. Будова та принцип роботи. Схеми вмикання. Вигляд вах.(не полностью)
- •Сонячні елементи. Загальні відомості. Сонячні елементи на основі p-n- переходів та гетеропереходів. Х-ки сонячного випромін.. Режими освітлення. Ккд фотоперетворювачів. (не полностью)
- •Оптрони, позначення, принцип роботи та будова. Переваги та недоліки оптронів. Їх застосування.
- •Основи мікроелектроніки. Основні поняття та визначення. Елементи конструкції інтегральних схем. Класифікація інтегральних схем. Позначення інтегральних схем.
- •Дві основні технології виготовлення інтегральних схем. Різновиди гібридних інтегральних схем. Резистори. Конденсатори. Індуктивності. Діоди. Їх виготовлення.
- •Резистори
-
Частотні властивості пт. Гранична частота пт з клерувальним p-n переходом та мдн-транз.Ів.
Для аналізу поведінки польових транз.ів на різних частотах використовують еквівалентну схему рис.
У цій схемі враховано, що підкладка в ПТКП з’єднується із затвором, а в МДН – транз.ах – з витоком. Елементи rC та rB - це опори ділянки НП, які знаходяться між омічними контактами стоку, витоку і затвора. Елемент rКсер - це середній розподілений опір каналу, через який заряджається і розряджається ємність між затвором і витоком СЗВ. Елементи RСЗ і RЗВ - це опори ввімкнених у зворотному напрямі клерувальних p-n – переходів у ПТКП або опори між стоком і затвором, затвором і витоком у МДН - транз.ах. Джерело струму SПТ відображає процес керування вихідним струмом ПТ за допомогою вхідної напруги UЗВ, riПТ - Внутрш. опір ПТ. Опори rC та rB у ПТКП становлять десятки Ом, у МДН - транз.ів – частки Ом. Опори RСЗ і rКсер великі та для ПТКП становлять сотні кілоомів, а для МДН - транз.ів досягають значень Ом. Значення ємностей СЗВ і ССВ становлять (3 - 20) пФ, а ємність ССЗ не перевищує 10 пФ.
Частотні властивості ПТКП визначаються здебільшого ділянкою затвор - витік (фрагмент схеми (рис.) з елементами СЗВ, rКсер, RЗВ). Вхідна змінна напруга UЗВ розподіляється між ємністю СЗВ і середнім опором каналу rКсер. Безпосередньою керувальною напругою, під дією якої змінюються товщина – p-n переходу і ширина каналу, є напруга, прикладена до ємності СЗВ.
При
збільшенні частоти реактивний опір
ємності СЗВ
зменшується, що приводить до перерозподілу
напруги UЗВ
на елементах СЗВ
та rКсер
і до зменшення керувальної напруги
UCЗВ.
Отже, при
збільшенні частоти вхідної напруги
підсилювальний ефект транз.а зменшується.
Частоту, на якій rКсер=
,
називають граничною
частотою ПТКП З
(частотою затвора).
Тобто
З=
.
З
формули випливає, що гранична
частота ПТКП залежить від напруги
зміщення UЗВ0,
оскільки від цієї напруги залежить
товщина p-n– переходу,
тобто
і
rКсер.
Крім
швидкості перезарядження ємності
(тобто сталої часу кола затвора З
=
=1/З),
на частотні властивості ПТКП впливає
час прольоту носіїв заряду через канал.
Якщо час прольоту виявиться сумірним
з періодом вхідного сигналу, то зміна
струму стоку не встигає слідкувати за
зміною керуювальної напруги на затворі,
і динамічна крутизна ПТ зменшується.
Але в реальних ПТКП довжина каналу
дорівнює 5-10 мкм.
Тому час прольоту виявляється значно
меншим від сталої часу затвора З
і його
можна не враховувати.
Граничну частоту МДН - транз.ів визначають за формулою
гр=
або
fгр=
,
-
Польові прилади з зарядовим зв’язком (пзз). Їх принцип дії. Основні параметри польових пзз.
Польовий прилад із зарядовим зв’язком (ПЗЗ) – це НП прилад, у якому можуть здійснюватися накопичення неосновних носіїв заряду під електродами МДН-структур (під електродами затворів) і переміщення цих носіїв від одного електрода до іншого.
Принцип дії ПЗЗ ґрунтується на зберіганні заряду неосновних носіїв у потенціальних ямах, що утворюються біля поверхні НП під дією зовнішнього поля, і на переміщенні цього заряду вздовж поверхні за рахунок зсуву потенціальних ям. ПЗЗ - це МДН-транз., що має кілька затворів.
Розглянемо ПЗЗ, який виконує функцію тритактного регістра зсуву (рис. а). Цей прилад має три секції. Вхідна секція складається з р+ - області витоку і вхідного затвора, що відіграє роль ключа для керування рухом дірок з дифузійної р+ - області витоку до першої потенціальної ями. Друга секція (секція перенесення) має кілька затворів, які керують потенціалом приповерхневого шару НП. Ці затвори з’єднані між собою через два. Напруга на затворах секції має форму імпульсів різної амплітуди, що циклічно змінюють один одного (рис. б-д). При такій зміні напруги на затворах потенціальні ями переміщуються до виходу приладу, захоплюючи із собою пакети носіїв заряду – дірок. Третя секція ПЗЗ – вихідна секція – являє собою p-n– перехід стоку, ввімкнений у зворотному напрямі, напруга на якому буде змінюватися при надходженні пакета носіїв заряду – дірок (рис. г).
Нехай під час першого такту роботи на вхідний затвор подається напруга Uвх, достатня для утворення провідного каналу під вхідним затвором (Uвх > Uпор). Якщо при цьому на першому затворі секції перенесення існує досить велика негативна напруга, тобто під цим затвором створена потенціальна яма для дірок, то дірки будуть виходити з витоку, проходити через канал під вхідним затвором і накопичуватися у потенціальний ямі під першим затвором.
На початку наступного такту дія напруги на вхідному затворі Uвх припиняється. Внаслідок цього зникає провідний канал під вхідним затвором. Отже, відбувається запис інформації, наприклад логічної одиниці, оскільки під першим затвором секції перенесення залишився пакет дірок (для запису логічного нуля під час першого такту роботи ПЗЗ на вхідний затвор не повинна подаватися негативна напруга).
Після зміни напруг на затворах секції перенесення найбільша негативна напруга діятиме на другому затворі секції перенесення, і тому пакет дірок пересунеться до потенціальної ями під другим затвором (рис. в). Під час наступних тактів зміни напруги на затворах секції перенесення відбувається подальше пересування пакета дірок у напрямі вихідної секції (рис. г, д).
Якщо у потенціальних ямах, що підходять до p-n – переходу стоку, немає дірок, то струм стоку не змінюватиметься. Лише у тому разі, коли до стоку підійде потенціальна яма, яка містить у собі дірки, у колі стоку діятиме імпульс струму, оскільки дірки з потенціальної ями екстрагуватимуть до області стоку через p-n– перехід у зворотному ввімкненні.
До основних параметрів польових ПЗЗ належать такі:
1. Нижня гранична тактова частота, яка зв’язана з процесом накопичення дірок у пустих потенціальних ямах за рахунок термогенерації впродовж десятків мілісекунд. Це призводить до спотворення рівня логічного нуля, записаного у потенціальній ямі. Для запобігання цьому нижня гранична частота вибирається у діапазоні одиниць – десятків кілогерц.
2. Верхня гранична тактова частота, що визначається часом перетікання заряду з однієї потенціальної ями до іншої. Досягає десятків мегагерц.
3. Ефективність передачі заряду = (Q1-Q0)i+1/(Q1-Q0)i
що показує, яка частка заряду переноситься з однієї потенціальної ями і до іншої і+1. Для якісних ПЗЗ коеф. наближається до одиниці.
Але втрата заряду і, отже, інформації неминуче трапляється за рахунок захоплення дірок поверхневими енергетичними рівнями «пасток», тобто внаслідок дії поверхневої рекомбінації. Тому достатня величина вихідного сигналу може бути одержана при передачі заряду на невелику кількість тактів (не більше сотні) і впродовж малого часу. З метою усунення цього недоліку використовують схеми регенерації, що реалізуються за допомогою підсилювачів. Зчитуваний з ПЗЗ сигнал підсилюється, формуються його рівні («1» або «0»), а потім здійснюються перезапис цього сигналу в ПЗЗ. Для тривалого зберігання інформації ланцюжок ПЗЗ замикають у кільце. Регенерація інформаційного заряду, як правило, супроводжується виводом інформації, тобто реалізується ПЗЗ з неруйнівним зчитуванням інформації.
НП польові ПЗЗ застосовуються у запам’ятовувальних пристроях ЕОМ, у пристроях перетворення оптичного зображення в електричний сигнал (у телебаченні), в лініях задержки аналогових сигналів тощо.
