
- •Основні напрями розвитку електроніки. Вакуумна, твердотільна і квантова електроніка. Визначення та завдання.
- •Основні етапи розвитку мікроелектроніки. Класифікація виробів електроніки по виду енергії, потужності, частоті. Активні і пасивні елементи.
- •Основні матеріали напівпровідникової техніки. Елементарні напівпровідники IV підгрупи періодичної системи. Сполуки а3в5 та а2в6. Інші нп матеріали. Їх властивості та використання.
- •4. Будова моно- , полікристалічних та аморфних матеріалів. Ізо- та анізотропія. Ближній та дальній порядок в матеріалах.
- •5. Кристалічна гратка. Елементарна комірка, її параметри, гратка Браве. Види сингоній, їх особливості. Прості гратки.
- •6. Позначення вузлів, напрямків та кристалографічних площин у кристалах та Індекси Міллера. Класифікація структурних дефектів в кристалах. Крайові та гвинтові дислокації. Вектор Бюргерса.
- •7.Зонна структура нп, її утворення. Метали, напівпровідники, діелектрики. Власні та домішкові напівпровідники. Їх зонні діаграми. Основні носії у матеріалах.
- •Статистика електронів і дірок у нп х. Власна і домішкова провідність нп. Вирази для концентрації носіїв та провідності.
- •Рухливість електронів і дірок. Основні механізми розсіювання носіїв. Вплив температури на рухливість носіїв заряду.
- •Рівень Фермі. Положення рівня Фермі у власних та домішкових нп х. Вплив температури на положення рівня Фермі у власних та домішкових нп х.
- •Дрейфові і дифузійні струми у нп х.
- •Фундаментальні рівняння твердотільної електроніки. Рівняння повного струму. Рівняння Пуассона. Рівняння неперервності. Закон електронейтральності.
- •Спорідненість до електрону. Робота виходу з нп n- та p-типа. Термоелектронна емісія в нп х. Формула Річардсона.
- •Ефект поля в поверхневому шарі Нп кристалу. Зонні діаграми при ефекті поля. Області збіднення, збагачення, інверсії. Дебаєвська довжина екранування.
- •Енергетична діаграма контакту метал-напівпровідник. Перехід Шоткі у рівноважному стані. Його основні параметри. Вах переходу. Переваги та недоліки діодів Шоткі.
- •Процеси на р-n - переході під дією зовн. Напруги. Діаграми енергетичних зон переходу. Вах ідеального p-n переходу. Ємність р-n переход у та його еквівалентна схема.
- •Особливості вах реальних випрямних контактів. Явище пробою переходу. Його різновиди.
- •Гетеропереходи. Вимоги до матеріалів гетеропереходу. Ізотипні та анізотипні гетеропереходи. Різкі та плавні гетеропереходи. Побудова зонних діаграм гетеропереходів.
- •Класифікація та система позначень діодів. Випрямні діоди. Їх особливості та використання. Основні параметри.
- •Нп стабілітрони і стабістори. Принцип роботи. Їх вах. Застосування.
- •Універсальні діоди. Вимоги до універсальний діодів.
- •Імпульсні діоди та перехідні процеси в них. Шляхи отримання необхідних параметрів.
- •Тунельні діоди. Вах діодів та її пояснення. Вимоги до конструкції. Обернені діоди. Особливості вах. Використання.
- •Варикапи та варактори. Вимоги до приладів. Основні параметри. Конструкція.
- •Діоди Шотткі. Конструкція. Переваги та недоліки.
- •Загальні відомості про біполярні транз. (бт). Класифікація транз.Ів. Система позначень бт.
- •Будова і технологія виготовлення сплавного транз.Ів. Способи вмикання і режими роботи бт. Схеми зі спільною базою, емітером і колектором.
- •Принцип дії бт в активному режимі у схемі зі спільною базою. Коеф.И перенесення, помноження колекторного струму, Статич. Коеф. Передачі струму.
- •Вплив конструкції та режиму роботи транз.А на Статич. Коеф. Передачі струму.
- •Статичні х-ки бт. Бт як чотириполюсник. Y, z, та h системи опису характеристик транз.Ів.
- •Статичні х-ки бт зі спільною базою. Вхідні і вихідні х-ки. Х-ки прямої передачі та зворотного зв’язку.
- •Статичні х-ки бт зі спільним емітером та спільним колектором. Вхідні і вихідні х-ки. Х-ки прямої передачі та зворотного зв’язку.
- •Вплив температури на статичні х-ки транз.Ів. Схема підключення зі спільною базою, спільним емітером. Граничні режими роботи транз.А.
- •Пробій транз.А. Тепловий та електричний пробої. Вплив на них опору у колі бази. Вторинний пробій та пробій замикання. Макс. Допустима потужність, що розсіюється колектором.
- •IKmax - максимальним струмом колектора;
- •Диференціальні параметри бт. Відповідність між малими амплітудами струмів і напруги чотириполюсника. Визначення h параметрів за вхідними та вихідними х-ками бт.
- •Фізичні параметри та еквівалентні схеми бт при різних підключеннях (зі спільною базою, спільним емітером). Залежність фізичних параметрів від емітерного струму, колекторної напруги, температури.
- •Робота бт у динамічному режимі. Принцип дії підсилювального каскаду на бт. Схеми зі спільною базою та спільним емітером.
- •Способи забезпечення режиму спокою транз.Ного каскаду. Схеми з фіксованим струмом бази та фіксованим потенціалом бази.
- •Способи забезпечення режиму спокою транз.Ного каскаду. Схеми з температурною стабілізацією в емітерному колі, спільною базою та автоматичним зміщенням робочої точки.
- •Оцінка транз.Них каскадів з точки зору температурної нестабільності.
- •Динамічні х-ки бт та їх використання. Вхідна навантажувальна х-ка. Вхідна навантажувальна х-ка.
- •Параметри режиму підсилення та їх розрахунок за динамічними х-ками транз.Ного каскаду.
- •Частотні властивості бт. Схеми зі спільною базою та спільним емітером. Вплив ємностей переходів і розподіленого опору бази на частотні властивості транз.А.
- •Робота бт у ключовому режимі. Переміщення робочої точки в ключовому (імпульсному) режимі транз.А.
- •Диференціальні параметри пт. Крутизна прохідної х-ки. Внутрш. (Диференц.) опір. Статич. Коеф. Підсилення напруги та Диференц. Вхідний опір.
- •Пт з ізольованим затвором (мдн). Ефект поля. Мдн-транз. З індукованим каналом. Мдн-транз. З вбудованим каналом. Структурна схема, принцип дії та х-ки мдн.
- •Вплив температури на х-ки пт. Температурний дрейф стокозатворних характеристик пт з клерувальним p-n переходом. Вплив температури на стокові х-ки.
- •Динамічний режим роботи пт. Схеми забезпечення режиму спокою пт.
- •Каскад на пт: розрахунок у статиці та динаміці. Параметри підсилювача на пт з клерувальним p-n-переходом.
- •Частотні властивості пт. Гранична частота пт з клерувальним p-n переходом та мдн-транз.Ів.
- •Польові прилади з зарядовим зв’язком (пзз). Їх принцип дії. Основні параметри польових пзз.
- •Будова та принцип дії тиристорів. Їх маркування та позначення. Вах тиристора.
- •Диністорний та триністорний режим роботи тиристору. Залежність напруги переключення триністора від струму керування. Симістори. Структура та вах.
- •Бт з ізольованим затвором. Cтруктурна схема, умовне позначення. Переваги та недоліки.
- •Оптоелектроніка визначення,риси, переваги. Прилади оптоелектроніки
- •Прямозонні та непрямозонні матеріали, їх коеф.И поглинання. Визначення ширини забор. Зон.Нп матеріалів. Екситони. Енергія утворення екситону. Вільні та зв’язані екситону. Екситонне поглинання.
- •Люмінесценція. Її види. Спонтанна та вимушена рекомбінація. Люмінесценція. Інжекційна та ударна люмінесценція.
- •Фоторезистивний ефект. Надлишкова концентрація носіїв заряду під час ефекту. Оптоелектронні нп прилади. Їх класифікація.
- •Нп лазери. Їх принцип роботи та будова. Типи лазерних діодів. Області використання одномодових та багатомодових лазерів.
- •Нп фотоприймачі. Їх види. Фоторезистори. Будова та схема вмикання. Недоліки та переваги. Фотодіоди. Принцип роботи та будова. Вах фотодіода. Основні параметри фотоприймачів(не полностью)
- •Фотоприймачі з внутрішнім підсиленням. Фоторезистори та фототиристори. Будова та принцип роботи. Схеми вмикання. Вигляд вах.(не полностью)
- •Сонячні елементи. Загальні відомості. Сонячні елементи на основі p-n- переходів та гетеропереходів. Х-ки сонячного випромін.. Режими освітлення. Ккд фотоперетворювачів. (не полностью)
- •Оптрони, позначення, принцип роботи та будова. Переваги та недоліки оптронів. Їх застосування.
- •Основи мікроелектроніки. Основні поняття та визначення. Елементи конструкції інтегральних схем. Класифікація інтегральних схем. Позначення інтегральних схем.
- •Дві основні технології виготовлення інтегральних схем. Різновиди гібридних інтегральних схем. Резистори. Конденсатори. Індуктивності. Діоди. Їх виготовлення.
- •Резистори
-
Статичні х-ки бт. Бт як чотириполюсник. Y, z, та h системи опису характеристик транз.Ів.
Статичним режимом Нп приладу називають режим, у якому всі параметри (напруга, струми електродів) постійні. Статичні х-ки виражають залежність між струмом електрода і постійними напругами на електродах приладу.
Пристрій, який має два вхідні і два вихідні контакти і володіє властивістю підсилювати потужність електричних сигналів, що підводяться до нього, отримав назву активного чотириполюсника.
Транз. можна представити чотириполюсником і виділити в ньому вхідне і вихідне коло.
При аналізі БТ у статичному режимі важливо встановити зв’язок між його струмами і напругами. З цією метою БТ можна подати як чотириполюсник, на вході якого діють комплексні вхідні напруга Uвх і струм Iвх, а на виході – комплексні Uвих і Iвих (рис.). Якщо чотириполюсник у загальному випадку нелінійний, тобто вхідні напруги і струм змінюються в широких межах, то функціональна залежність Uвих, Iвих від Uвх, Iвх описується в формі статичних характеристик.
Параметри чотириполюсника, які описують зв’язок між вхідними та вихідними величинами чотириполюсника в статичному режимі при малих змінах Uвх та Iвх змінюються лінійно і тому чотириполюсник у цьому режимі також вважається лінійним, а його параметри називаються малосигнальними.
Транз. формально можна розглядати як активний лінійний чотириполюсник.
Існує декілька систем параметрів чотириполюсника, що пов'язують між собою значення малих напруг та струмів на вході Uвх, Iвх та виході Uвих , Iвих. Найчастіше використовується так звана система h-параметрів.
Uвх = h11Iвх + h12Uвих
Iвих = h21Iвх + h22Uвих
Для визначення параметра h11 необхідно виміряти змінну напругу і струм на вході транз.а при змінній напрузі на його виході Uвих = 0. Цю умову легко виконати, замкнувши вихід конденсатором достатньо великої ємності. Для визначення h12 необхідно подати змінний сигнал Uвих на вихідні клеми чотириполюсника і виміряти напругу Uвх на його вході вольтметром з достатньо високим внутрішнім опором, так щоб можна було вважати, що Iвх=0. Параметр h12 таким чином є коеф.ом зворотного зв'язку по напрузі. Нарешті h21=Iвих /Iвх при Uвих =0, а h22 = Iвих /Uвх при Iвх = 0.
-
Таким чином х-ки і параметри БТ як чотириполюсника залежать від того, які напруги і струми беруться за аргументи, а які – за значення функцій.
-
Статичні х-ки бт зі спільною базою. Вхідні і вихідні х-ки. Х-ки прямої передачі та зворотного зв’язку.
Теоретично статичні х-ки БТ у ССБ можуть бути одержані за допомогою рівнянь Еберса – Молла. Але в цих рівняннях не враховуються опір бази і модуляція її товщини залежно від зміни напруги UКБ. Тому на практиці застосовують експериментально зняті статичні х-ки. Схему для зняття характеристик БТ зі спільною базою зображено на рисунку 1.
Слід зауважити, що при одержанні характеристик для n-p-n - транз.а потрібно змінити полярність напруги UЕБ і UКБ.
Вхідні х-ки
Це залежності IЕ = f(UЕБ)UКБ = const.
Графіки
сім’ї характеристик показано на рисунку
2. При UКБ
=
0 (колектор замкнено з базою) вхідна
х-ка відтворює пряму гілку ВАХ ЕП:
=
(
1).
При негативній напрузі на колекторі х-ка зміщується вгору, в бік більших струмів емітера.
Причина цього зміщення:при збільшенні негативної UКБ зменшується активна ширина бази , зростає градієнт концентрації дірок у базі (рис.), і тому при незмінній напрузі UЕБ збільшується IЕ;
при збільшенні запірної напруги UКБ на КП зростає зворотний струм колектора IКБ0, який, протікаючи через розподілений опір бази rБ, створює на ньому спад напруги зворотного зв’язку UЗЗ (рис.). Ця напруга, узгоджена з напругою UЕБ за напрямом, сприяє більшому відкриванню ЕП і зростанню внаслідок цього струму IE.
Під впливом перелічених причин у емітерному колі БТ при UЕБ і негативній напрузі на колекторі протікає невеликий струм емітера. Для того щоб його усунути, треба до емітера прикласти невелику негативну напругу.
Вихідні х-ки БТ у ССБ
Це графіки залежності IK = f(UКБ)IЕ=const, зображені на рисунку.
Ураховуючи
вплив напруги UКБ
на зворотний струм колектора, рівняння
для цього струму можна записати у вигляді
=
(
1).
Одержана формула описує вихідні х-ки при різних струмах емітера.
Межею
між режимом відсічки (<0)
і активним режимом (
>0)
є х-ка при
0,
яка є зворотною гілкою ВАХ КП. При
збільшенні негативної напруги UКБ
струм колектора швидко досягає значення
IКБ0.
Подальше
зростання
зумовлюється зростанням струмів
генерації та витоку КП.
При деяких високих напругах UКБ
(для транз.а МП14 при ці напруги перевищують
15
В)
у
КП виникає пробій, що супроводжується
значним зростанням колекторного струму.
При
>0
вихідні х-ки зменшуються в бік більших
колекторних струмів на величину
згідно з формулою.
У
загальному випадку це зміщення має
нееквідистантний характер, тобто
однаковим приростам вхідного струму
відповідають нерівні прирости вихідного
струму
.
Це явище викликане залежністю
,
зображеною на рисунку, яка свідчить, що
Статич. коеф. передачі струму
не є сталою величиною для різних струмів
емітера. Для більших колекторних та
емітерних струмів пробій КП відбувається
при менших напругах і може перетворитися
в тепловий.
З метою унеможливлення пробою режим роботи приладу треба вибирати нижче кривої макс. допустимої потужності PKmax, що розсіюється колектором (пунктирна гіпербола на рисунку).
При
>0
та
>0
переходи транз.а вмикаються у прямому
напрямі, і прилад переходить до режиму
насичення. У цьому режимі різко зменшується
,
тому що зростає інжекційна складова
колекторного струму, яка компенсує
керовану, екстракційну складову.
Х-КИ ПРЯМОЇ ПЕРЕДАЧІ ТА ЗВОРОТНОГО ЗВЯЗКУ
Це залежності IK = f(IE)UКБ=cons (рис.1). Вони ґрунтуються на рівняннях IК= IКкер + IКнекер= h21БIE+ IКБ0,
та
=
(
1).
З останнього рівняння бачимо, що при
UКБ
=
0 х-ка починається з точки, яка є початком
координат (IE=0,
=0),
а нахил цієї х-ки визначається залежністю
від IE.
При
UКБ<0
х-ка починається з точки
=
Б0,
а зміна її нахилу зумовлюється залежністю
(рис.). Характеристику прямої передачі
можна одержати з сім’ї вихідних
характеристик, фіксуючи
.
х-ки зворотного зв'язку
Сім’я
характеристик зворотного зв’язку UЕБ
=
f()IE=cons
показана
на рис. 2. При збільшенні UКБ
зменшується
активна ширина бази транз.а ,
і за рахунок зростання градієнта
концентрації дірок у базі зростає струм
IE.
Для підтримання його постійного значення,
як того вимагають умови зняття
характеристик, потрібно зростання IE
компенсувати зменшенням напруги UЕБ.
Ця обставина зумовлює від’ємний нахил
характеристик. У базі транз.а зменшення
UЕБ
приводить при збільшенні UКБ
до відновлення попереднього градієнта
концентрації дірок, тобто нахилу графіка
pn=f(x)
(рис. 3).