
- •Твердотільна електроніка
- •Передмова
- •1 Елементи фізики напівпровідників та електронно-діркових переходів
- •1.1 Загальні відомості про напівпровідники
- •1.1.1 Власна електропровідність напівпровідників
- •1.1.2 Електронна провідність напівпровідників
- •1.1.3 Діркова провідність напівпровідників
- •1.1.4 Рекомбінація носіїв заряду та тривалість їх життя
- •1.1.5 Види струмів у напівпровідниках
- •1.2 Електронно - дірковий перехід та фізичні процеси в ньому
- •Пряме включення переходу
- •Зворотне включення переходу
- •1.2.4 Теоретична вольт-амперна характеристика
- •1.2.5 Параметри переходу
- •Товщина переходу
- •Ємності переходу
- •1.2.6 Реальна вах переходу
- •Пряма гілка вах
- •Зворотна гілка вах
- •1.3 Різновиди електричних переходів та контактів
- •1.3.1 Гетеропереходи
- •1.3.4 Контакти металу з напівпровідниками
- •1.3.5 Омічні контакти
- •2 Напівпровідникові діоди
- •2.1 Класифікація та система позначень діодів
- •2.2 Випрямні діоди
- •Параметри випрямних діодів
- •2.3 Напівпровідникові стабілітрони
- •2.4 Універсальні діоди
- •2.5 Імпульсні діоди та перехідні процеси в них
- •2.6 Тунельні та обернені діоди
- •2.7 Варикапи
- •2.8 Діоди Шотткі
- •3 Біполярні транзистори
- •3.1 Будова та принцип дії біполярних транзисторів
- •3.1.1 Загальні відомості про біполярні транзистори
- •Класифікація транзисторів
- •Система позначень бт
- •Будова сплавних транзисторів
- •3.1.2 Способи вмикання й режими роботи біполярних транзисторів
- •3.1.3 Принцип дії біполярного транзистора в активному режимі
- •3.1.4 Вплив конструкції та режиму роботи транзистора на h21б
- •3.1.5 Схема вмикання транзистора зі спільним емітером та спільним колектором
- •3.1.6 Модель Еберса-Молла
- •3.2 Статичні характеристики і параметри біполярних транзисторів
- •3.2.1 Статичні характеристики біполярного транзистора у схемі зі спільною базою
- •Вхідні характеристики
- •Вихідні характеристики
- •Характеристики прямої передачі
- •Характеристики зворотного зв’язку
- •3.2.2 Статичні характеристики біполярного транзистора у схемі зі спільним емітером
- •Вхідні характеристики
- •Вихідні характеристики
- •Характеристики прямої передачі
- •Характеристики зворотного зв’язку
- •3.2.3 Статичні характеристики біполярного транзистора у схемі зі спільним коллектором
- •3.2.4 Вплив температури на статичні характеристики транзисторів
- •3.2.5 Граничні режими транзистора
- •Пробої транзистора
- •Максимально допустима потужність, що розсіюється колектором
- •3.2.6 Диференціальні параметри біполярного транзистора
- •Зв'язок між h-параметрами для різних схем увімкнення бт
- •3.2.7 Фізичні параметри та еквівалентні схеми біполярних транзисторів
- •3.3 Робота біполярного транзистора у динамічному режимі
- •3.3.1 Принцип дії підсилювального каскаду на біполярному транзисторі
- •3.3.2 Способи забезпечення режиму спокою транзисторного каскаду
- •Емітерному колі
- •Оцінка транзисторних каскадів з точки зору температурної нестабільності
- •3.3.3 Динамічні характеристики біполярного транзистора та їх використання
- •Вихідна навантажувальна характеристика
- •Вхідна навантажувальна характеристика
- •Параметри режиму підсилення та їх розрахунок за динамічними характеристиками транзисторного каскаду
- •3.3.4 Частотні властивості біполярних транзисторів
- •Вплив ємностей переходів і розподіленого опору бази на частотні властивості транзистора
- •3.3.5 Робота біполярного транзистора у ключовому режимі
- •3.4 Деякі різновиди біполярних транзисторів
- •3.4.1 Одноперехідний транзистор
- •3.4.2 Високочастотні малопотужні транзистори
- •3.4.3 Потужні транзистори
- •4 Польові транзистори
- •4.1 Польові транзистори з керувальним переходом
- •Статичні вхідні характеристики
- •Статичні прохідні (стокозатворні) характеристики
- •Статичні вихідні (стокові) характеристики
- •Диференціальні параметри польових транзисторів
- •4.2 Польові транзистори з ізольованим затвором (мдн - транзистори)
- •4.2.1 Ефект поля
- •4.3 Залежність характеристик і параметрів польових транзисторів від температури
- •4.4 Динамічний режим роботи польових транзисторів
- •4.4.1 Каскад на польовому транзисторі: розрахунок у статиці та динаміці
- •4.4.2 Частотні властивості польових транзисторів
- •4.5 Потужні польові транзистори
- •Потужні мдн – транзистори
- •Транзистори зі статичною індукцією
- •4.6 Польові прилади із зарядовим зв’язком
- •5 Тиристори
- •5.1 Будова, принцип дії та режими роботи тиристора
- •5.1.1 Загальні відомості
- •5.1.2 Диністорний режим
- •5.1.3 Триністорний режим
- •5.1.4 Симістори
- •5.2 Способи комутації тиристорів
- •5.2.1 Увімкнення тиристорів
- •Увімкнення за допомогою струму керування
- •Увімкнення тиристора за допомогою імпульсу анодної напруги
- •5.2.2 Вимкнення тиристорів
- •Вимкнення за допомогою подачі напруги на керувальний електрод (за допомогою струму керування)
- •5.3 Біполярні транзистори з ізольованим затвором
- •6 Оптоелектронні напівпровідникові прилади
- •6.1 Загальні відомості
- •6.2 Випромінювальні діоди
- •6.3 Напівпровідникові фотоприймачі
- •6.3.1 Фоторезистори
- •6.3.2 Фотодіоди
- •6.3.3 Фотоприймачі з внутрішнім підсиленням
- •6.4 Оптрони та їх застосування
- •7 Основи мікроелектроніки
- •7.1 Основні поняття і визначення
- •Історична довідка
- •7.2 Гібридні інтегральні схеми
- •7.3 Напівпровідникові інтегральні схеми
- •7.3.1 Технологія
- •Планарно-дифузійна технологія виготовлення біполярних напівпровідникових інтегральних схем
- •7.3.2 Технологія виготовлення інтегральних
- •Ізоляція
- •7.3.3 Біполярні транзистори
- •Багатоемітерні транзистори
- •Супербета - транзистори
- •Біполярні транзистори з бар'єром Шотткі
- •7.3.4 Мон (мдн)- транзистори
- •7.3.6 Резистори
- •7.3.7 Конденсатори
- •7.4 Інтегральні схеми з інжекційним живленням
- •Позначення основних величин
- •Список літератури
- •3 Біполярні транзистори 69
- •3.1 Будова та принцип дії біполярних транзисторів 69
- •3.1.1 Загальні відомості про біполярні транзистори 69
- •6 Оптоелектронні напівпровідникові
- •Твердотільна електронікА
Оцінка транзисторних каскадів з точки зору температурної нестабільності
Якість підсилювача визначається вибором положення початкової робочої точки (робочої точки режиму спокою), а також її стабільністю при зміні температури.
Для підсилювального каскаду з температурною стабілізацією (рис. 3.49) температурна зміна колекторного струму становить:
, (3.69)
де
- коефіцієнт нестабільності колекторного
струму;
.
Якщо
,
то схема рисунка 3.49 перетворюється в
схему з фіксованим потенціалом бази
(рис. 3.48), і коефіцієнт
.
При
>>
коефіцієнт
.
Таким чином, залежно від співвідношення
між
та
значення коефіцієнта температурної
нестабільності змінюється від
до
.
Температурна
зміна струму колектора тим більша, чим
більший коефіцієнт
.
Тому умова
>>
є необхідною. Проте зменшення величини
небажане, тому що воно призводить до
зменшення вхідного опору транзисторного
каскаду. Тому розподільник напруги в
базовому колі вибирають з умови, щоб
коефіцієнт температурної нестабільності
дорівнював
.
3.3.3 Динамічні характеристики біполярного транзистора та їх використання
При ввімкненні навантаження до колекторного кола транзистора зміна струму колектора викликається одночасною дією зміни струму бази і напруги на колекторі. У цьому режимі роботи для аналізу властивостей БТ недостатньо мати його статичні характеристики, оскільки вони відображають зміну лише одного параметра. Тому для опису властивостей транзистора, а також для розрахунку параметрів транзисторного каскаду на сім’ях статичних характеристик будують додаткові характеристики, які називають динамічними, або навантажувальними. Розглянемо їх.
Вихідна навантажувальна характеристика
Для каскаду зі спільним емітером рівняння вихідного кола (див. п. 3.3.1)
. (3.70)
Звідси
. (3.71)
Рисунок 3.51 – Побудова навантажувальної прямої на сім’ї вихідних статичних характеристик ССЕ
Формула (3.71) – це рівняння вихідної навантажувальної прямої транзисторного каскаду зі спільним емітером (рис. 3.45). Цю характеристику будують на сім’ї вихідних статичних характеристик ССЕ (рис. 3.51) за двома точками:
-
=0,
;
-
,
=
.
Точка
перетину навантаженої прямої зі
статичною характеристикою, яка була
знята при заданому струмі бази в режимі
спокою (),
визначає вихідні координати режиму
спокою транзисторного каскаду (
,
).
При надходженні на вхід каскаду змінної
напруги сигналу змінюватиметься струм
бази відносно значення
,
і робоча точка рухатиметься на сім’ї
характеристик уздовж навантажувальної
прямої. Це означає, що динамічна
характеристика повністю визначає
роботу транзисторного каскаду в
динамічному режимі – у режимі підсилення
вхідної напруги.
Для транзисторного каскаду зі спільною базою рівняння вихідної навантажувальної прямої набирає вигляду
=
. (3.72)
Динамічна вихідна характеристика каскаду зі спільною базою будується аналогічним чином за рівнянням (3.72).
Вхідна навантажувальна характеристика
Вхідна
навантажувальна характеристика може
бути побудована шляхом перенесення
точок вихідної характеристики (прямої)
на сім’ю статичних вхідних характеристик
і подальшого з’єднання цих точок у
плавну монотонну криву. Але цей спосіб
рідко вживається в інженерній практиці,
тому що у довідниках, як правило, даються
лише дві вхідні статичні характеристики
– при нульовій і при ненульовій
колекторних напругах. Тому із задовільною
для практики точністю за вхідну
навантажувальну криву можна взяти
вхідну статичну характеристику, яка
знімалася при ненульовій колекторній
напрузі. Робоча точка спокою на вхідній
навантажувальній кривій має координати:
струм бази спокою
і напругу бази
,
яка викликає цей струм.