
Основы наноелектроники / Основы наноэлектроники / ИДЗ / Книги и монографии / Нанотехнологии (Пул), 2005, c.325
.pdfГлава 4. Свойства индивидуальных наначастиц
4.2.6. Флуктуации
у очень маленьких наночастиц все или почти все атомы находятся на поверхнос ти, как видно из схем на рис. 4.6 и 4.8. Колебания поверхностных атомов ограни чены соседями слабее, чем колебания внутренних, так что они мотуг сильнее от клоняться от своих равновесных положений. это приводит к изменениям в структуре частицы. С помощью электронного микроскопа наблюдались измене ния геометрии кластеров золота со временем. Кластеры золота радиусом 10-100 А
создавались в вакууме и осаждались на кремниевую подложку, которая затем по
крывалаоь пленкой Si02• Последовательность изображений наночастицы золота, полученных на электронном микроскопе, показана на рис. 4.15, на котором вид на серия трансформаций структуры, вызванных флуктуациями. При повышении температуры эти флуктуации могут привести к исчезновению порядка и форми
рованию агрегата атомов, похожего на каплю жидкости.
4.2. 7. Магнитные кластеры
Электрон в атоме можно рассматривать как точечный заряд, вращающийся вокруг ядра, хотя, строго говоря, это утверждение не верно и может привести к ошибочным предсказаниям некоторых свойств. Электрон при таком движении обладает угло вым, или вращательным, моментом и создает магнитное поле (за исключениемз-со стояний). Картина магнитного поля при таком движении сходна с полем стержне вого магнита. Говорят, что электрон обладает орбитальным магнитным моментом. Существует и другой вклад в магнитный момент, возникающий вследствие того, что электрон имеет спин. В классическом рассмотрении электрон можно представить себе как сферический заряд, врашаюшийся вокруг некоей ОСИ. Таким образом, для получения полного магнитного момента электрона следует сложить спиновый и ор-
а~ •
•
Рис. 4.15. Последовательность снимков наночастицы золота, состоящей из при мерно 460 атомов, сделанных на алектроииом микроскопе в различные моменты времени. Видны флуктуационные изменения структуры.
4.2. Металлические нанокластеры
битальвый магнитный моменты. Полный магнитный моментатома получается век торным суммированием моментов всех ею электронов и яцра. В первом приближе нии ядерным магнитным моментом можно пренебречъ ввиду его малости. На энер
гетических уровнях, занятых четным количеством электронов, магнитные моменты
последних попарно противоположны, так что полный момент атома равен нулю. Таким образом, большинство атомов в твердых телах не имеют магнитного момен
та, однако существуют ионы переходных элементов, таких как железо, марганец и
кобальт, у которых внутренние d орбитали заполнены лишь частично, а, следова тельно, эти ионы обладают иенулевым магнитным моментом. Кристаллы из таких атомов могут быть ферромагнитными, если магнитные моменты всех атомов на правлены одинаково. В этом параграфе будуг обсуждаться магнитные свойства на ноклаетеров из атомов металлов, имеющих магнитный момент. В кластере магнит ный момент каждого атома взаимодействует с моментами других атомов, что может выстроить все моменты в одном направлении по отношению к какой-либо оси сим метрии кластера. Такой кластер обладает суммарным ненулевым магнитным мо ментом; говорят, что он намагничен. Магнитный момент таких кластеров можно измерить в олыте Штерна-Теряаха, про и.ллюстрированном на рис. 4.16. Клас терные частицы направляют в область
неоднородного магнитиого поля, разде
ляющею частицы в соответствии с про
екцией их магнитною момента. Ис-
пользуя известные величины напряжен
НОСТИ и градиента поля по результатам
такого разделения можно определить
магнитный момент частиц. Однако, из меренный магнитный момент магнит ных частиц обычно оказывается меньше,
чем ожидается при полностъю соналрав
ленном положении элементарных мо
ментов в кластере. Aтoмы в кластере ко леблются, причем энергия колебаний
увеличивается с ростом температуры.
Эrи колебания вызывают некоторое ра
зупорялочивание магнитных моментов
отдельных атомов кластера, так что его
полный магнитный момент становится меньше, чем он был бы в случае сгрого
пвраллельного положения всех атомов.
Магнитный момент отдельного кластера
взаимодействует с приложенным посто ЯННЫМ полем таким образом, что его
расположение по полю становится
полюса
магнита
источник кластеров
неолиорсаное
магнитвое поле
Рис. 4.16. Иллюстрация измерения маг
нитного момента наночастицы в опыте ШтернаГерлаха. Пучок металлических
кластеров из источника направляется меж
ду полюсами постоянных магнитов, форма которых выбрана так, чтобы получить по стоянный градиент магнитного поля, в ко тором на магнитный дипольный момент частицы действует сила, отклоняющая пу чок. По этому отклонению, измеряемому на ~опластинке или флюоресцентном экране, можно определить магнитный мо
мент частиц.

Глава 4. Свойства индивидуальных нвночастиц
|
|
|
|
|
|
|
более вероятным, чем против поля. |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Полный магнитный момент пониж:ает- |
• |
|
|
|
|
|
ся при повышении температуры, точнее |
|
|
|
|
|
|
он обратно пропорционален температу |
||
• |
|
|
|
|
|
ре. Этот эффект называют суперпара |
|
|
• |
.. |
|
. " . |
|
|
магнетизмом. Когда энергия взаимо |
|
|
|
|
действия магнитного момента кластера |
|||
|
• |
•• |
|
|
|||
|
|
|
с приложенным магнитным полем боль |
||||
|
|
|
|
|
|
|
ше энергии колебаний, усреднения из |
20 30 |
40 50 60 70 во |
90 |
|
||||
|
|
||||||
|
Ч~СЛО атомов в кластере |
|
|
за осцилляций не происходит, зато про |
Рве. 4.17. Зависимость магнитного момен- |
исходит усреднение из-за вращения |
|
кластера как целого. Такая ситуация на |
||
|
||
та атомов в ваночастицах рения от количе |
|
|
ства атомов в них. |
зывается магнетизмом вмороженных |
|
|
||
|
моментов. |
Одно из наиболее интересных наблюдавшихся свойств наночастиц - это на
личие полного магнитного момента у кластера, состоящего из немагнитных ато
мов. Например, кластеры рения демонстрируют отчетливое увеличение магнит ного момента, если в них меньше 20 атомов. На рис. 4.17 показана зависимость магнитного момента от размера рениевого кластера. Магнитный момент велик при n меньше 15.
4.2.8. Переход от макро-: к нано-,
При каком количестве атомов кластер начинает вести себя как объемное вещест во? для кластера менее 100 атомов энергия ионизации, Т.е. энергия, необходимая для удаления из кластера одного электрона, отличается от работы выхода. Рабо
'250
1200 ::.-. 1150
1050
1000
950
900
850
100 150 200 250 зоо
Диаметр, А
Рис. 4.18. Температура плавления наноча
сгиц золота от ливметра ваночастицы
(lоА= 1 им)
той выхода называется энергия, необ
ходимая для удаления электрона из
объемного вещества. Температура
плавления кластеров золота становит
ся такой же, как и у объемного золота, при размерах кластера более 1000 ато мов. На рис. 4.18 показана зависимость
температуры плавления наночастиц
золота в зависимости от их диаметра.
Среднее расстояние между атомами в кластере меди приближается к значе нию в объемном материале при разме рах кластера около 100 атомов. Вообще оказывается, что разные физические свойства кластеров достигают значе ний, характерных для объемных мате
риалов, при разных размерах кластера.
4.3. Полупроводниковыенаначастицы !D
Размеры кластера, при которых происходит переход к поведению объемного ма териала, оказывается зависящим от измеряемой характеристики.
4.3. Полупроводниковыенаночастицы
4.3.1. Оптическиесвойства
Наночастицы веществ, являющихся в обычных условиях полупроводниками, изучались особенно интеНСИВНО. Множество исследований касается их элек тронныхсвойств, что объясняется использованиемтакихчастиц в качестве кван товых точек Название этого раздела - полупроводниковые наночастицы - не сколько обманчиво. Наночасгицы германия или кремния сами по себе не явля ются полупроводниками. Наночастица Sin может образовываться при лазерном испарении кремниевой подложки в потоке гелия. При фотолизе пучка нейтраль ных кластеров ультрафиолетовым лазером кластеры ионизируются, и их отноше ние массы к заряду может быть измерено масс-спектрометром. Замечательным свойством наночастиц полупроводящих материалов является резко выраженное отличие их оптических свойств от свойств объемного материала. Оптические спектры поглощения существенно сдвигаются в голубую сторону (в сторону уменьшения длин волн) при уменьшении размеров частиц.
Связанная электрон-дырочная пара, называемая экситоном, в объемном по лупроводнике может образоваться под действием фотона с энергией больше ши рины щели для данного вещества. Щель - это интервал энергий между верхним заполненным энергетическим уровнем валентной зоны и ближайшим над ним незаполненным уровнем зоны проводимости. Фотон возбуждает электрон из за полненной зоны в вышележащую незаполненную. В результате образуется дырка в ранее заполненной валентной зоне, что соответствует электрону с подожитель ным эффективным зарядом. Из-за кулоиовского притяжения между положи тельной дыркой и отрицательным электроном образуется связанная пара, назы ваемая экситоном, которая может перемещаться по кристаллу. Электрон и дырка находятся на расстоянии многих параметров решетки. Присутствие экситонов оказывает сильное влияние на электронные свойства полупроводников и их оп тическое поглощение. Экситон можно рассматривать как водородоподобный атом, структура уровней энергии которого аналогична атому водорода, но с мень шим масштабом по энергиям, как объяснено в параграфе 2.3.3. Вызванные све том переходы между этими водородоподобными уровнями приводят К сериям линий в спектре поглощения, которые можно нумеровать по главным квантовым числам уровней атома водорода. На рис. 4.19 показан оптический спектр тюгло щения оксида меди (Со2О), на котором виден спектр поглощения экситонов. Особенно интересным оказывается то, что происходит при уменьшении мас штабов наночастиц до размеров, меньших или сравнимых с радиусом электрон дырочной пары. Возможны две ситуации, называемые режимами слабой и силь ной локализации. В режиме слабой локализации радиус частицы больше радиуса

Глава 4. Свойства индивидуальных наночастиц
|
|
|
|
|
|
|
экситоиа, но областьперсмещенияэк |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
ситона ограничена, что приводит К |
|
|
|
|
|
|
|
|
з |
|
|
|
|
|
|
смещениюспектрапоглощенияв голу |
|
|
|
|
|
|
||
|
|
|
|
|
|
||
|
|
|
|
|
|
|
|
! 2.5 |
|
|
|
|
|
|
бую сторону. Когда радиус частицы |
|
|
|
|
|
|
меньше радиуса орбиты электрон-ды |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
2 |
|
|
|
|
|
|
рочной пары, движение электрона и |
|
|
|
|
|
|
||
|
|
|
|
|
|
|
|
I1.5 |
|
|
|
|
|
|
дырки становятсянезависимымии эк |
|
|
|
|
|
|
ситон перестает существовать. Элек |
|
I0.5 |
|
|
|
|
|
|
трон и дырка имеют собственные на |
|
|
|
|
|
|
борыэнергетическихуровней.Эro так |
|
|
|
|
|
|
|
же приводитк голубомусмещениюи к |
|
|
|
|
|
|
|
возникновению нового набора линий |
|
|
|
2.14 |
2.15 |
|
|
потлощения. На рис. 4.20 гтоказан |
|
|
|
||||||
|
2.1З |
|
2.16 спектр поглощения наночастиц CdSe |
||||
|
Энергия фотонов, эВ |
|
|
|
|||
|
|
|
|
|
|
|
двух разных размеров, измеренный |
Рис. 4.19. Спектр оптического поглощения водородеподобных переходов экситона в
Cup.
|
|
|
,.20 |
|
Ь.- |
|
|
|
||
|
|
|
:, |
|
:....../" |
|
|
|
|
|
|
|
|
.. . |
'" |
|
|
|
|
||
|
|
|
: , |
|
: |
|
|
|
|
|
|
|
|
iV-J |
|
|
|
|
|
||
, |
|
|
: |
' |
|
|
|
|
|
|
- . |
|
|
|
|
|
|
|
|||
40 |
|
, - ; .- |
|
|
|
|
|
|
||
/~\,' |
:,~,' |
|
|
|
|
|
|
|
||
,1 |
.tII!i |
|
|
|
CdS8 |
|
|
|
||
2 |
22 |
2.4 |
26 |
2.8 |
3 |
3.2 |
3.4 |
3.6 |
||
|
Энергия фОТОНОВ, эВ |
|
|
|
|
при температуре 10 К. Видно, что наи
меньшая энергия поглощения, называ
емая границей поглощения, сдвигается
в сторону больших энергий при умень шении размеров наночастицы. Так как
граница поглощения возникает из-за
наличия щели, это означает, что щель
увеличивается с уменьшением части
цы. Отметим также увеличение интен
сивности поглощения при уменьше
нии размеров наночастицы. Пики на б6льших энергиях связаны с экситона ми, и они сдвигаются в голубую сторо
ну при уменьшении размеров частицы.
Эти эффекты объясняются вышеопи
Рис. 4.20. Спектр оптического |
поглощения |
санной локализацией эксигонов. По |
наночастиц CdSe размером 20 |
А и 40 А. |
существу, при уменьшении размеров |
|
|
частицы электрон и дырка приближа |
ются друг к другу, что ведет К изменению расстояний между энергетическими уровнями. Более подробно этот предмет будет обсуждаться в Главе 9.
4.3.2. Фоmофраг.менmацuя
При облучении лучом лазера с модулируемой добротностью на иттрий-алюми ниевом гранате, допированном неодимом, наблюдалась фрагментация наноча стиц кремния и германия. ПРОДУКТЫ зависят от размера кластера, интенсивно сти светового пучка и длины волны. На рис. 4.21 показана зависимость сечения фотофрагментации (меры вероятности развала кластера) под действием иалуче-

ния 532 им лазера от размера фраг ментов кремния. Из этого рисунка
видно, что диссоциация частиц одних
размеров более вероятна, чем других. Приведем некоторые из наблюдав шихся реакций деления
Si]2 |
+ hv -+ S~ + S~ |
(4.4) |
Si20 |
+ hv -+ Si]Q + Si]Q |
(4.5) |
где hv - фотон световой энергии. Ана логичные результаты были получены и для наночастиц германия. При разме рах частиц более 30 атомов наблюда лась фрагментация, происходящая взрывным образом.
4.3.3. Кулоновский взрыв
4.3. Полупроводниковыенаночастицы !D
• |
1.' |
|
|
|
|
|
|
|
,• |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
• |
1.5 |
|
|
|
|
|
|
|
~ |
|
|
|
|
|
|
|
|
"~ |
1.4 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
~ 1.' |
|
|
|
|
|
|
|
|
..в, |
1.2 |
|
|
|
|
|
|
|
" |
|
|
|
|
|
|
|
|
• |
|
|
|
|
|
|
|
|
•" |
1.1 |
|
|
|
|
|
|
|
• |
|
|
|
|
|
|
|
|
8 |
|
|
|
|
|
|
|
|
" |
|
|
|
|
|
|
|
|
о |
|
|
|
|
|
|
|
|
•~ |
|
|
|
|
|
|
|
|
5 |
ов |
|
|
|
|
|
|
|
~ |
|
|
|
|
|
|
|
|
• |
|
|
|
|
|
|
|
|
0.80 |
|
|
|
|
|
|
||
о |
|
|
2 |
4 |
|
• 10 |
12 |
|
" |
|
|
е |
|||||
8 |
|
|
|
Количество атомов Si |
|
Рис. 4.21. Сечение фотодиссоциации нано
частиц кремния в зависимости от количест
ва атомов в частице.
Многократная ионизация кластера вызывает его нестабильность, что приводит к
очень быстрой высокоэнергичной диссоциации, или взрыву. Скорость разлета
фрагментов в этом процессе очень высока. Такое явление называется кулонов
ским взрывом. Многократная ионизация кластера вызывает быстрое перерас пределение зарядов на его атомах, делающее К~ЫЙ атом более положительно заряженным. Если энергия электростатического отталкивания между атомами становится больше энергии связи, атомы быстро разлетаются друг от друга с большими скоростями. Минимальное количество атомов N, необходимое для стабильностикластера с зарядом Q, зависитоттипа атомов и природы связи меж ду атомами кластера. В Таблице 4.2 приведены наименьшие размеры дважды ио низированных кластеров разных типов атомов и молекул. ИЗ нее также видно, что бо'льшие кластеры легче стабилизируются при высоких ступенях ионизации. Кластеры инертных газов в среднем больше, так как со~тавляющие их атомы имеют замкнутые оболочки и связываются намного более слабыми силами, на зываемыми силами Ван дер Ваальса.
Thблица 4.2. Некоторые примеры наименьших многократно ионизированных кла стеров разных типов (меньшие кластеры разрываются)
|
|
Заряд |
|
Атом |
+2 |
+3 |
+4 |
Кг |
Кг7З |
|
|
Хе |
Хе52 |
Xell~ |
ХеР6 |
С02 |
(С02)44 |
(С02)106 |
(С02)216 |
Si |
Siз |
|
|
Аи |
Аuз |
|
|
РЬ |
РЬ? |
|
|
Глава 4. Свойства индивидуальных наночаотиц
Силы электростатического отталкивания могут превэойти силы притяжения между атомами кластера при получении кластером заряда в результате фотоиони зации. Одно из наиболее ярких проявлений кулоновского взрыва описано в жур
нале Nature. Это наблюдение слияния ядер в дейтериевом кластере, облученном фемтосекунднымлазерным импульсом (фемтосекундаравна 10-15 секунды).Кла
стер получалсяобычнымописаннымвыше образоми затем облучалсявысокоин тенсивным фемтосекундным лазерным импульсом. Фрагменты диссоциации имелиэнергиидо одногомиллионаэлектронвольт(МэБ). Присоударениидейте риевых фрагментових энергия была достаточнойдля инициациитермоядерной
реакции
D + D =:> 3Не + нейтрон |
(4.6) |
При такой реакции высвобождается нейтрон с энергией 2,54 МэБ. Признаком, по которому была обнаружена реакция слияния, быяо детектирование таких нейтро нов на сцинтиляционном детекторе в паре с фотоумножителем.
4.4. Кластеры атомов редких rазов
имолекулярныекластеры
4.4.1.Кластеры инертных газов
вТаблице 4.2 приведено несколько разных типов наночастиц. Кроме атомов ме таллов и полупроводников наночасгицы могут состоять и из атомов благородных газов, таких как криптон и ксенон, и из молекул, например, воды. Кластеры ксе нона получаются адиабатическим расширением сверхзвуковой струи газа через тонкий капилляр в вакуум. Газ затем собирается в масс-спектрометр, где после
ионизации электронным пучком измеряется отношение заряда к массе частиц.
Как и в случае металлов, существуют магические числа, означающие что класте ры, состоящие из определенного количества атомов, более стабильны, чем дру гие. Наиболее стабильные кластеры ксенона состоят из 13, 19,25, 55, 71, 87 и 147 атомов. Для кластеров аргона характерен тот же набор структурных магических чисел. Так как у атомов инертных газов электронные оболочки заполнены, их ма гические числа - это структурные магические числа, обсуждаемые в Главе 2._~и лы, свяэываюшие атомы инертных газов в кластере, слабее, чем в металле или по лупроводнике. Хотя электронные оболочки атомов инертных газов заполнены,
из-за движения электронов около атомов они могут иметь ненулевое мгновенное
значение дипольного момента Pj • Электрический дипольный момент появляется, когда положительный и отрицательный заряды удалены на некоторое расстояние друг от друга. Такой диполь создает электрическое поле напряженностью 2Рj/Rз в другом атоме, находящемся на расстоянии R от первого. В свою очередь, это ин дуцирует дипольный момент Р2 во втором атоме, равный 2аР\/Rз, где а называет ся электронной поляриэуемостъю. Таким образом, два атома инертного газа со
здают притягивающий их друг к другу потенциал
4.4. Кластерыатомовредкихгазовимолекулярныекластеры |
~ |
|
U(R) = ~P2 = -4аР? |
(4.7) |
|
11' |
R' |
|
Этотпотенциализвестенкак llотенциалВан дер Ваалъсаи применамна относи тельнобольшихрасстоянияхмеждуатомами. ПритесномсближенииДВУХатомов
возникает отталкивание между перекрывающимисяэлектронными облаками.
Экспериментальнопоказано, что этот потенциалимеетвид B/R 12• Таким обра
зом, полный потенциал взаимодействия ДВУХ атомов инертных газов имеет вид
в |
с |
(4.8) |
U(R) = R12 |
- R6 |
Этот потенциал, известный как потенциал Леннарда-Джонса, используется при
вычислении структуры кластеров инертных газов. Сила взаимодействия, вызыва
емая этим потенциалом, равна нулю на равновесном расстоянии Rmin = (2B/C)J/6.
На большем расстоянии она притягивает атомы, на меньшем - отталкивает; Обобщая вышесказанное, заметим, что эта сила слабее сил, связывающих в кла
стеры атомы металлов и полупроводников.
4.4.2. Сверхтекучиеквастеры
Кластерыатомов4Неи 'не, образуюшиесяприсвободномсверхзвуковомрасши
рении струи газообразногогелия, изучались масс-спектрометрией,в результате
чегобыли обнаруженымагическиечислапри размерахкластераN = 7, 10, 14,23, 30 для 4Не и N = 7, 10, 14, 21, 30 для 3Не. Одно из наиболее необычных свойств, демонстрируемых кластерами, - это сверхтекучесть кластеров гелия из 64 и 128 атомов. Сверхтекучесть имеет место вследствие разного поведения атомных
частиц с полуцелым спином, называе-
мых фермионами. и частиц с целым спином, называемых бозонами. Разни
ца между ними заключается в прави
лах, по которым эти частицы распреде
-+- -+-
ляются по энергетическим уровням
системы. Фермионы, например, элек
троны могут находиться на одном
уровне в количестве не более двух,
причем их спины при этом направле
ны противоположно друг другу. Бозо
}=t= |
---- |
=t= |
|
-+- |
---- |
--#- |
---- |
|
~ 1111111111 |
ны, напротив, не имеют таких ограни |
Т> о |
Т=О |
Т> О |
т ео |
||
|
|
|||||
чений. Это означает, что при пониже |
|
Фермионы |
Бо30НЫ |
|
||
нии температуры, |
когда частицы |
Рис. 4.22. Иллюстрация того, как бозоны и |
||||
стремятся занять уровни все с меньшей |
||||||
фермионы распределяются ПО энергетиче |
||||||
|
|
|||||
и меньшей энергией, все бозоны могуг |
ским уровням при низких и высоких тем |
|||||
оказаться на нижнем |
энергетическом |
пературах. |
|
|
Глава 4. Свойства индивидуальных наночвстиц
г.в |
,. |
|
Температура, К |
|
|
Рис. 4.23. Зависимость удельной теrшоем |
|
|
кости жидкого гелия и жидкости, состоя |
Рис. 4.24. Кластер из ПЯТИ молекул ВОДЫ, |
|
щей из кластеров Нем (темные КРУЖКИ), от |
удерживаемый водородными связями. |
|
температуры. Пик соответствует переходу |
Болъшие сферы представляют атомы кис |
|
в сверхтекучее состояние. |
|
лорода, маленькие - водорода. |
уровне, в ТО время как фермионы попарно занимают уровни снизу вверх. Идлюс грацию к вышесказанному можно увидеть на рис. 4.22. Ситуация, когда все бозо ны находятся на нижнем уровне системы называется Боэе-конденсацией. При этом длина волны каждого бозона точно такая же, как и у любого другого, и все эти волны находятся в фазе. Когда происходит конденсация бозонов в жидком ге лии-4 при температуре 2,2 К (л-точка), гелий становится сверхтекучим, то есть его вязкость падает до нуля. При пропускании нормальной жидкости по длинной тонкой трубке она движется медленно из-за трения о стенки, а увеличение давле ния на одном конце трубки приводит к увеличению скорости потока. В сверхте кучем состоянии жидкость быстро движется по трубке, причем увеличение давле ния на одном конце трубки не увеличивает скорости жидкости в ней. Переход в сверхтекучее состояние при 2,2 К сопровождается расходимостью удельной теп лоемкости и известен как лямбда-переход. Удельная теплоемкость - это количе ство тепла, необходимое для нагрева одного грамма вещества на один градус. На рис. 4.23 показан график температурной зависимости удельной теплоемкости объемного жидкого гелия и для жидкости, состоящей из кластеров, содержащих
64 атома гелия. ИЗ рисунка видно, что кластеризованный гелий становится сверх текучим при меньшей температуре, чем обычная жидкость 4не.
4.4.3. Молекулярные кластеры
Некоторые молекулы тоже могут образовывать кластеры. Один из наиболее распро страненных примеров такой среды - кластеризованная вода. С начала 70-х годов, то есть задолго до появления слова наночастица, было известно, что вода состоит не из
изолированных молекул Н2О. Бьшо показано, что широкий рамановский спектр растянутой О-Н связи в.молекуле воды в ЖИДКОЙ фазе на частотах 3200 - 3600 см'
состоит из множества перекрываюшихся пиков, как от изолированных молекул во-

4.5. Методысинтеза ~
ды, так и от молекул, связанных в кластеры посредством водородных связей. Атом водорода одной молекулы образует связь с атомом кислорода дрyroй. На рис. 4.24
показана структура одного из таких водных кластеров. При нормальных условиях
80% молекул водысвязано вкластеры, апри повышении~"МпераТуры этикластеры
диссоциируют на отдельные молекулы. В комплексе, показанном на рисунке, атом
водорода удален от двух атомов кислорода, связанных с ним, на разные расстояния.
Интересно предсказание, что при давлении в ударной волне 9 ГПаможетсущество
вать новая форма воды, называемая водой с симметричными водородными связя МИ, в которой атом водорода равноудален от двух атомов кислорода, т.е. связи гиб ридизируются. Возможно, что свойства такой воды будут отличаться от свойств обычной ВОДЫ. Известны и другие примеры молекулярных кластеров, такие как
(NНз)~, (СО2)44 И (С4Нg)зо.
4.5. Методы синтеза
Ранее в этой главе уже описывалсяодин метод создания наночастицс помощью лазерного испарения, при которомлазерныйлуч высокойинтенсивности,падая на металлическийстержень, вызываетиспарениеатомов с его поверхности. При охлаждении эти атомы конденсируются в наночастицы. Существуют и другие способыобразованиянаночастац, некоторыеиз них будуг описаныдалее в этом
разделе.
4.5.1. Высокочастотныйиндукционныйнагрев
Рис. 4.25 иллюстрирует метод синтеза наночастиц с помощью плазмы, создавае
мой радиочастотными нагревательны- ми катушками. Изначально металл на
ходится в виде прутка в откачанной ка |
Стержень ", |
|
|
|
|
|
|
|
||||
|
|
|||||||||||
|
|
коллектора |
|
|
|
|
|
|
|
|||
мере. В процессе этот металл |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
разогревается выше точки испарения |
|
|
|
|
- |
|
|
|
|
Высоко |
||
|
|
|
|
|
||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
высоковольтными радиочастотными |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
частот |
||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||
катушками, обмотки которых находят |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
ные М- |
||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||
ся снаружи вакуумированной камеры |
Сосуд |
|
|
|
|
|
|
|
|
|||
|
|
|||||||||||
с МеТаллоМ---- __ |
|
|||||||||||
|
|
|
||||||||||
вблизи пестика. Затем в систему впус |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
кается гелий, что приводит К образо |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
ванию к области катушек высокотем |
газсов- |
|
|
|||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||
пературной плазмы. Атомы гелия вы |
разный |
|
|
|
|
|
|
|||||
=,й |
|
|
|
|
|
|
|
Ваку |
||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||
ступают |
в качестве зародышей |
|
|
|
|
|
|
|||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
умная |
|||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
камера |
|
конденсации для атомов металла, и |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
эти комплексы диффундируют к хо |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
Рис. 4.25. Схема установки для получения |
||||||||||||
лодному колдектору где и образуются |
||||||||||||
ваночастицы. Частицы обычно пасси |
ваночастиц с помощью плазмы, разогрева |
|||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||
вируют |
введением какого-либо газа, |
емой высокочастотным полем. |
|
|||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|