
Основы наноелектроники / Основы наноэлектроники / ИДЗ / Книги и монографии / Нанотехнологии (Пул), 2005, c.325
.pdf
~Глава З. Методы измерений
1=-"__"1
u "","л<>ИДе (т = 300 R)
~•• 1.2"~
е |
|
|
•Ь |
, |
|
|
||
2 |
|
|
~ |
Н"М |
|
О |
|
|
• |
..- |
|
О• |
|
|
• |
|
|
• |
|
|
Q |
|
|
1.• 2 . 02 . 22 . 42 . 82 . "3 . 0
ЭнергияфоТОНОВ,эВ
Рис. 3.27. Оптические спектры поглоще ния коллоида нанокристаллов CdSe со средним радиусом от l.2до4.1 ИМ при КОМ натной температуре.
.. |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
~ ... |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
"8 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
• |
......оЦ>..стаплы |
|
||
ii 2.. |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
fIВ. "'"'""ЯНООЙ пoдnожке |
|
|||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||
;! 2" |
|
|
|
|
• |
|
|
|
|
|
|
|
||
• |
|
|
|
|
|
• |
|
|
|
|
||||
~"".. |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
|
|
|
, |
|
|
• |
• |
• |
|
|||||
|
|
|
|
|
||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Радиус, "М |
|
|
|
Рис. 3.28. Зависимостьшириныэнергети ческой щели полупроводниковых иано кристаллов CdSe на стеклянной подлож ке (О) и в коллоиде (8) от среднегоради уса частиц. Спектральные данные
околлоиде нанокриотаялов представле
ны на рис. 3.27. Сплошная кривая ап
проксимирует представленные данные
с помощью параболической модели по тенциала колебаний.
Вся Глава 8 посвящена инфракрасной и оптической спектроскопии нанома териалов, так что в настоящей главе мы ограничимся обсуждением типичного оптического спектра, представленного на рис. 3.27. Он получен ДЛЯ коллоида наночастиц полупроводника CdSe, прозрачного ДЛЯ фотонов с энергией ниже ширины щели и поглощаюшего фотоны с энергиями выше нее. Синтез нано кристаллических коллоидов обеспечивает узкое распределение частиц по раз мерам, так что по оптическим спектрам типа показанного на рис. 3.27 можно довольно точно определить зависимость ширины щели от размеров частиц. По лученная таким образом зависимость для селенида кадмия показана на рис. 3.28, на котором видно, что данные для коллоида находятся в хорошем со
ответствии с результатами оценки ширины щели по оптическому спектру наио
частиц CdSe на стеклянной подложке. Непрерывная кривая на рисунке пред ставляет теоретическую зависимость при использовании параболической моде ли зоны для колебательного потенциала. Измеренная энергия асимптотически стремится к объемному значению при увеличении размера частиц. Увеличение ширины щели у наночастиц малого радиуса объясняется эффектом квантовой
локализации.
3.4.2. Фотоэмиссияирентгеновская спектроскопия
Фотоэмиссионнаяспектроскопия (ФЭС) измеряет распределение энергий элек
тронов, вылетающих J;lЗ атомов и молекул с разным зарядом и в разных энергети
ческих состояниях. Вещество, облучаемое ультрафиолетовыми (УФ) или рентге-

3.4. Спектроскопия ~
НОБСКИМИ фотонами, может испускать электроны, называемые фотоэмиссион ными. Они могли находиться на разных энергетических уровнях в ато:ме и полу чить кинетическую энергию Ek , равную разности между энергией падающего фо тона hvpl1 и ионизационной энергией ЕiQn соответствующего атомного уровня, то есть энергией, необходимой для удаления электрона из своего атома на беско
нечность.
(3.11)
Схема фотоэлектронного спектрометра представлена на рис. 3.29. Рентгеновский пучок падает на образец (левая нижняя часть рисунка) и выбивает фотоэмисси онные электроны, проходящие через анализатор скоростей, в котором электро ны, попавшие в него через левую (входную) щель, только имея скорость в очень узком диапазоне могут находится на траекториях, эаканчввающихся на правой (выходной) щели и попадать в детектор, находящийся за ней. Таким образом, де
тектор измеряет количество испущенных электронов, получивших определен
ную кинетическую энергию. Для энергий, удовлетворяющих условию 3.11, это количество может быть весьма значительным.
Величины потенциалов ионизации энергетических уровней атомов или молекулярных ионов в валентной зоне отражают возмущение уровней отдель ных атомов окружающей решеткой (кристаллическим полем), так что данные фотоэмиссии несут информацию об этом поле. Другие родственные методики, такие как обращенная фотоэмиссионная спектроскопия (IPS), изохроматиче ская спектроскопия Бремштраллунга (BIS), спектроскопия потерь энергии электронами (EELS), спектроскопия Оже электронов, предоставляют похо жую информацию.
В качестве примераиспользованиярентгеновскойфотоэмиссионнойспект роскопииможно привестиизмерениеотношенияколичествГaJUIИЯ и азота в об разце GaN по измерениюинтенсивно
сти ликов 3d в Ga с энергией 1,1185 кэВ и 18 в N с энергией 0,3975 кэВ, что дало средний состав G30.9sN. Исследо
вание рентгеновской |
фотоэмиссии |
|
|
|
|
|
lO-нанометровых частиц InP показало |
|
|
|
|
||
асимметричную линию 3ds/2, приве |
|
Образец |
Детектор |
|||
|
|
|
1\) r |
|||
денную на рис. 3.30а, |
анализ которой |
Рентге |
~ электронов |
|||
|
|
|
||||
позволил обнаружить |
суперпозицию |
невская |
|
|||
двух линий. Основная линия на |
трубка |
|
||||
|
|
|
|
|||
444,6 эВ относится к индию В InP, а бо |
Рис. 3.29. Рентгеновский Фотоэлектрон |
|||||
лее слабая на 442,7 - к индию в оксиде |
ный спектрометр. Фотоны hv, порожден |
|||||
IП20з. ЛИНИЯ 2р Фосфора на рис. 3.306 |
ные рентгеновской трубкой, падают на об |
|||||
разец и выбивают из него фотоэлектроны |
||||||
|
|
|||||
демонстрирует два хорошо разрешае |
е", попадающие затем в анализатор скоро |
|||||
|
|
|||||
мых лика, один - от ,пр, а второй - от |
стей. Прошедшие через него электроны |
|||||
разных оксидов фосфора. |
фокусируются на детекторе. |
|

Глава З. Методы измерений
Переходы внутренних глубоколежащих электронов с уровня n] на n2 дают ча СТОТЫ, которые можно оценить по хорошо известной формуле Ридберга (см. фор
мулу 2.16): |
(_1_ |
_1_) |
|
hv = mе4;22 |
(3.12) |
||
32nEofi |
nт |
ni |
|
где z - атомное число, другие символы имеют свое обычное значение. Зависи мость частоты v от атомного числа для линии Ка, самого нижнего рентгеновско го перехода с n] = 1 на n2 = 2
гv о ag(Z - 1) |
(3.12) |
называется законом Мозли. Множитель (Z - 1) появился в числителе вместо Z из за экранирования заряда ядра одним оставшимся в состоянии n] = 1 электроном, что понижает эффективный заряд ядра до Z - 1. Аналогичное соотношение можно использовать и для следующей по энергии линии Lm соответствующей переходу меЖДУ n] = 2 и n2 = 3. На рис. 3.31 приведен график зависимости
v от атомного числа Z экспериментально измеренных линий ка и La для разных элементов периодической системы с Z 5:! 15до Z = 60. Измерения на основе зако на Мозли могут обеспечить информацию об атомарном составе наноматериалов почти для всех, за исключением самых легких элементов. Энергии ионизации внешних электронных оболочек атомов в большей степени зависят от количества
8000 (а)
6000 |
10Р |
|
4000
2oooll::::::::::;==---~_~_'==
439 |
441 |
44з |
445 |
447 |
|
||
|
|
ЭнергияСВЯЗИ (эВ) |
|
|
|
||
|
|
|
|
|
|
|
|
1400 |
|
(6) |
|
|
|
|
|
1200 |
|
|
InP' |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
1000 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
8oo~_7 |
|
|
|
|
|
||
|
|
125 |
130 |
135 |
140 |
|
|
|
|
|
Энергия связи (эВ)
Рис. 3.30. Рентгеновский фотоэлектрон ный спектр нанокристаллов InP демонст рирует ЗdS/2 линию индия (а) и 2р линии фосфора (6).
электронов на незаполненных оболоч
ках, чем от атомного номера, как мож
но видеть на рис. 3.32. Эти энергии ле жат в видимом ми ближнем ультрафи
олетовом диапазоне.
Высокоэнергетический фотон спо собен удалить электрон с любого уров
ня атома, энергия ионизации которого
меньше энергии падающего фотона. Когда энергия фотона становится
меньше максимального потенциала
ионизации, соответствующего К-обо лочке, электроны с n = 1 более не могут быть удалены, и коэффициент погло
щения рентгеновского излучения рез
ко падает. Он, однако, не падает до ну ля, так как энергии фотонов все еще достаточно для возбуждения электро нов с п = 1 на верхние незанятые уров ни, такие как 3d или 4р, или для выби вания электронов с L (n = 2), М (n = 3)

З.4. Спектроскопия
3.0 г---,-----,--,------,---,-----,
2.5
0.5
о 5 10 15 ~ ~ м ~ ~ ~ ~ ~ м
Атомный номер
Рис. 3.31. Зависимость частоты рентгеновских линий Ка И La от атомного номера, иллюстрирующая закон Мозли. (Взято из Ч.ll. Пул Мл., Х.А. Фарах, Р.Дж. Кресвик "Сверхпроводимость", Акацеимк Пресс, Бостон,
1995,стр. 515)
|
25 |
.Н. |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
N. |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
20 |
|
|
• |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
еа |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
" |
15 |
|
• |
|
|
А |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
"~ |
• |
|
|
• |
|
|
|
К, |
|
|
|
|
|
|
|
|
||
• |
|
• |
|
|
|
|
|
• |
|
х. |
|
|
|
|
|
|
||
|
Н |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
А, |
|
|
• |
|
• |
|
|
• |
|
|
|
• |
|
• |
|
|
.. |
|
|
||
• |
|
|
|
|
|
• |
|
|
|
|
|
• |
|
|||||
• |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
.'.. |
|
|
|
|
|
|||
о |
|
• |
|
|
• |
Z... • |
|
|
|
• |
|
|
||||||
"~ |
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||||||
• |
10 |
• |
|
• |
|
|
|
• |
• |
• |
• |
|
|
u |
|
|||
|
5 |
С; |
|
|
• |
|
. |
.'.. |
|
.. .. |
|
|||||||
• |
|
|
|
• |
:"" |
••••• |
|
• |
• |
|
|
|||||||
|
|
|
|
• |
|
|
.' |
|
• |
|
• |
|
|
|||||
~ |
|
|
|
|
|
|
|
|
• |
|
|
|
|
|
|
|
||
|
|
|
|
Na |
к |
|
|
|
|
• |
|
|
|
|
• |
|
||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
АЬ |
|
С, |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
|
О |
|
10 |
|
20 |
|
30 |
|
40 |
50 |
60 |
|
70 |
80 |
90 |
100 |
||
|
|
|
|
|
|
Атомный номер |
Z~ |
|
|
|
|
|
|
Рве, 3,32. Ионизационный потенциал внешнего электрона разных химических
элементов, определенный экспериментально.

Глава З. Методы измерений
ог::::;:::==:;:::=::-;;:;;:о-ма:;;;;;;;;;;;. М-оболочка -
fFL п;2; L-оболочка
L.
ff |
к, |
К. |
|
! -, |
|
i |
|
•" |
|
• |
|
'" |
-- " --- " ------- п=1; К-оболочка |
-10
Рис. 3.33. Схема энергетических уровней атома молибдена. Показаны рентгенов ские переходы Ки L серий.
и других оболочек. Резкое падение коэффициента поглощения называют краем потлощения. В данном случае - это край К-поглощения. Из анализа относитель ных расстояний междуэнергетическими уровнями, показанными нарис. З.ЗЗ, яс но, что переходы этого типа по энергиям близки к энергии ионизации, так что они определяют то, что называется "тонкой структурой края поглощения". Она дает информацию о состоянии связей рассматриваемого атома. Разрешение от дельных переходов в этой тонкой структуре может бытъ улучшено при использо вании поляризованного рентгеновского излучения. Для изучения тонкой струк
туры имеется еще несколько родственных методик спектроскопии поглощения
рентгеновского излучения.
Другим способом получения информации о границе поглощения является спектроскопия электронных энергетических потерь. она заключается в облуче нии тонкой пленки исследуемого вещества моноэнергетическим пучком электро нов с энергией, скажем, 170 кэВ. При прохождении сквозь пленку электроны об мениваются импульсом с решеткой и теряют энергию при возбуждении или ио низации атомов. Поглощенная энергия Eab.s измеряется с помощью анализатора скоростей электронов. Эта энергия соответствует переходам, типа показанных на рис. З.ЗЗ, и равна разности кинетических энергий падающего Ео и рассеянного Esc электронов
(3.14)
График измеренной интенсивности как функции поглощенной энергии содержит пики при энергиях связи различных электронов в образце. Аналогом оптических
и рентгеновских экспериментов с поляризованным излучением здесь является
спектроскопия на разных направлениях изменения импульса Ар рассеянных эле-

З.4. Спектроскопия !:)
|
|
|
~ |
U' |
|
|
||
iс |
II |
|
d |
сео |
|
ф: |
||
|
|
|
|
|
j" |
|||
|
|
|
|
|
Q d,e |
|
|
|
|
|
@ |
|
,. |
@ 4000 |
|||
|
|
|
|
|
~ |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Ги |
|
5000
-а |
-Ь |
-с |
-d
-е
|
(!)-@c,d |
6000 |
|
|
|
||
|
|
|
|
|
|
||
|
|
|
|
|
|
||
|
®Ь,с |
|
|
|
|
0,0 |
|
|
|
'i:'а, Ь |
|
|
|
||
'" |
|
|
|
|
|
|
|
|
140 |
130 |
|
|
|
|
|
150 |
|
|
|
|
ppm
Рве. 3.34. ЯМР-спектр фуллерена С1О, обогащенного 13с. ПятьЯМР-линий (спектр
сверху) от атомов углерода, обозначенных а, Ь, с, d, е на схеме молекулы в правой нижней части рисунка, имеют отношение интенсивностей 10:10:20:20:10, что соответствует количеству атомов таких типов в молеку ле фуллерена. Так называемый двумерный ЯМР-слектр в нижней левой части рисунка, являющийся диаграммой зависимости константы спин спинового взаимодействия в единицах частоты от химического сдвига, выраженного в миллионныхдолях (ррт), содержит дублеты, соответству ющие указанным углерод-углеродным связям. Шкала химического сдви га в ррт (снизу) относится и к обычному ЯМР-спектру (вверху), и к его двумерному предотавяению (снизу). Одна изЯМР-линий появилась из-за присутствия примеси фуллерена С60.
ктронов по отношению к кристаллографическим осям кристалла. Этот вектор ~ играет роль электрического поляризационного вектора Е в фотонной спектро скопии. Такая методика позволяет улучшить разрешение ликов поглощения.
3.4.3. Магнитныйрезонанс
Другой ветвью спектроскопии, предоставляющей информацию о нанострукту рах, является магнитныйрезонанс, включающийв себя исследованиемикровол новых и радиочастотных переходов. Большинство измерений магнитного резо нанса производится в довольно сильных магнитных полях, обычно В "" 0,33 Тл (3300 Гс) для электронного парамагнитного резонанса (ЭПР) и В """ 1-10 Тл Д11я

Глава З. Методы измерений
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
т ",220 |
К |
|
.зв, |
|
||||
|
|
|
|
|
|
н •
Рис. 3.35. Спектр электронного парамагнитного резонанса эидоэдрального фулле рена LaCS2' растворенного в толуоле при 220 К. Неспаренный электрон, цедокализованный по углеродной кдетке, взаимодействует с ядерным спином 1 = 7j2 лантана, нахоляшегосявнутриэтой клетки, что и приво дит К наблюдаемомусверхтонкомумулыипдетуиз восьмилиний.
ядерногомагнитногорезонанса(ЯМР). Далее рассматриваетсянесколькотипов
магнитногорезонанса.
ЯМР-взаимодействиеядрас ненулевымспиномlи магнитногополя Варрпри водит к расщеплениюкаждогоуровняядра на 2/ + 1 подуровня С энергиями
(3.15)
где у - гиромагнитное отношение, характеризующее ядро, а m принимает целые или полуцелые значения в диапазоне -1:s т :s +1 в зависимости от того, являет
ся ли полный спин ядра целым либо полуцелым. Величина у чувствительна к ло кальному химическому окружению ядра. Такой химический сдвиг у обычно при водят в относительном виде r5 = (у - Yi)/YR' где YR - базовая величина. Химичес кие сдвиги очень малы и обычно приводятся в миляионных долях (ррm).
Наиболее удобными ядрами для изучения являются ядра со спином 1 = 1/2, такие как Н, 19F, "г И "с, последний приведенный изотоп имеет относительную рас
пространенность всего 1,1%.
Молекулы фуллеренов, такие как С60 и с70, обсуждаются в Главе 5. Хорошо изученная молекула С60 имеет форму футбольного мяча с 12-ю правильными пя тиугольниками и 20-ю шестиугольниками. То, что все атомы в ней эквивалентны, было недвусмысленно зафиксировано с помощью ЯМР-спектра 13с, демонстри рующего одну узкую линию. В противоположность этому, фуллерен с70, имею щий форму мяча для регби и состоящий из 12-ти пятиугольников (из них 2 пра
вильных) и 25-ти шестиугольников, включает пять типов атомов углерода, что
подтверждается ос ЯМР-спек.тром, представленным на рис. 3.34. ПЯтьЯМР-ли ний от а, Ь, с, d и е углерода, показанные на верхнем графике, имеют отношения ингенсивностей 1:1:2:2: 1, что соответствует количеству атомов каждого типа в мо лекуле. Таким образом, ЯМР обеспечил независимое подтверждение структуры
этих двух фуллервнов.
З.4. Спектроскопия ?J)
Электронный парамагнитный резонанс, иногда называемый электронно спиновым резонансом, позволяет обнаружить неспаренные электроны в ионах переходных элементов, особенно с нечетным количеством электронов, таких как сп2+ (3d9) и Gd3+ (4f7) , а также свободные радикалы, связанные, например, с дефектами или радиационными повреждениями. Энергии и резонансные ча стоты в ЭПР на три порядка больше, чем дЛЯ ЯМР при том же магнитном поле. Для энергии используется другая запись Еm = gpвOappm, где fiB - магнетон Бора,
а g - безразмерный |
множитель, равный 2.0023 |
для свободного электрона. |
Для неспаренного электрона, имеющего спин S = |
1/2, ЭПР измеряет разность |
|
энергий АЕ = E I / 2 - |
Е_I/2 между уровнями с т = |
±1/2, давая одну линию на |
шкале энергии |
|
|
|
|
(3.16) |
Уравнения 3.15 и 3.16 связаны посредством выражения КJ1B = liy. Если неспарен ный электрон взаимодействует с ядерным спином величиной 1, возникает сверх тонкое расщепление линии на 21+1 линий с энергиями
(3.17)
где А - постоянная сверхтонкого взаимодействия, а т! принимает 21+1 значений
вдиапазоне -1:s т. s +1. На рис. 3.35 показан пример ЭПР-спектрадля эндоэд
рического фуллерена LaC s2, обнаруженного на масс-спектре, показанном на рис. 3.9. Атом лантана внутри клетки Сеа обладает ядерным спином 1 = 7/2. Не
спаренный электрон, делокализованный по клетке Сю фудлерена, взаимодейст вует с этим спином с образованием сверхтонкого мультиплета из восьми линий
(октета), показанного на рисунке.
ЭПР-спектроскопия применяется для изучения электронов проводимости
вметаллических наночастицах, обнаружения электронов проводимости в нанот рубках и определения того, является ли трубка металлической или полупровод никовой с очень узкой щелью, выявления кислородных вакансий в коллоиде по лупроводниковых нанокластеров 1102 и т.д. Методы ЭПР помогли прояснитъ пе реходы с резонансным переворачиванием спинов и уровни Ландау в квантовых
точках.
Для создания новых наноструктурированных биоматериалов исследуется структура и организация супрамолекулярных ансамблей путем изучения взаимо действия белков с фосфолипидными двойными слоями. Это можно удобно про делать прикрепив спиновую метку (например, парамагнитную нитроксидную группу) к липиду а затем, используя ЭПР, отследить ограничения движения спи новой метки, возникающие из-за фосфолипидов, связанных с созданными на мембранах белковыми участками.
Микроволны также могут нести полезную информацию о материале при ис пользовании их в нерезонансных условиях без приложенного магнитного поля. Например, энергетические щели, появляющиеся в микроволновой области, можно оценить по частотной зависимости поглощения микроволнового сигнала.
Глава з. Методы измерений
Микрововны используются И для изучения влияния фотонов на одноэлектронное туннелирование и кулоновскую блокаду В квантовых точках.
Литература
J. М. Cowleyand J. С. Н. Spence, "Nanodiffraction", in Nalwa (2000), \bl. 2, Chapter 1
т. Нalш, ес., Intemati01lal Тablesfor Сrysюllоgraрhу, 4th 00., Юuwer, Dordrecht, ]996
М. Jose- Уасаmап and J. А. Авсепсю, "E1ectron Microscopy Study of Nanostructured and Ancient Materials", in Nalwa (2000), \bl. 2, Chapter 8
С. Е. КriH, R. НаЬеrlшm and R. Birringer, "Specification of Microstructure and Characterization ьу Scattering Techniques", in Nalwa (2000), \Ь1. 2, Chapter 3
G. Е. Moore,lEEE IEDM Tech. Digesl. ] 1-13 (1975)
Н. S. Nalwa, 00., Handbook оп Nаnostnu:-tшed Materials and Nanotechnology, \bls. 1-5, Асаёетшс Ртее,
Boston, 2000
R. Е. Whan, Materials С!шrш:tеrizatiоn, Vol. 100/Metal Handbook, Агпепсал Society for Metals, Metals Park
OH,I986

ГЛАВА 4.
СВОЙСТВА
ИНДИВИДУАЛЬНЫХ
НАНОЧАСТИЦ
4.1 . Введение
Целью данной главы является описание уникальных свойств индивидуальных наночастиц. Из-за того, что наночастицы состоят из 106 или еще меньшего коли
чества атомов, их свойства отличаются от свойств тех же атомов, связанных в объемном веществе. Во-первых, необходимо определить, что именно мы под разумеваем под наночастицей. Слова ваночастица и нанотехнология являются
относительно новыми, однако сами наночастицы появились вокруг нас и изуча
лись намного раньше, чем сформировались эти слова. Например, многие пре
красные цвета витражного стекла являются результатом присутствия в нем мел
ких кластеров оксидов металлов с размерами, сопоставимыми с длиной волны видимого света. Частицы разных размеров рассеивают свет различных длин волн, придавая разные цвета стеклу. Маленькие коллоидные частицы серебра появля ются в процессе обработки фотоснимка. Вода при комнатной температуре состо ит из кластеров молекул воды, связанных водородными связями. Наночастицами обычно считаются образования из связанных атомов или молекул с размерами
< 100 нанометров (нм). Нанометр ра- вен 10-9 метра или 10 А, так что части цы с радиусом < 1000 А могут считать
ся наночастицами. На рис. 4.1 пред ставлена до некоторой степени условная классификация атомных кла-
стеров на основании их размеров и
связь между размерами частицы и ко
личеством составляющих ее атомов.
Например, кластер радиусом один на нометр содержит примерно 25 атомов, причем большинство из них находится на поверхности кластера. Это опреде-
ление на основе размеров не совсем
удовлетворительно, поскольку оно не
учитывает различия между молекула
ми и нанечастицами. Множество мо лекул состоит из более чем 25 атомов,
" 1 Молекулы
,.
Наночастицы
"
1 |
Объемный материал |
|
Рис. 4.1. Различие между неорганической молекулой, наночвстицей и объемным те
особенно молекулы биологического лом на основе количества атомов в квастере.