Основы наноелектроники / Основы наноэлектроники / ИДЗ / Книги и монографии / Нанотехнологии (Пул), 2005, c.325
.pdf~o Глава 13. Наномашины и наноприборы
использования молекулярных переключаюших устройств для компьютерных технологий будущего.
Литература
R. Р. Andres ег al. «ТЬе Design, Fabrication, and Electronic Properties of Self ЛssетЫоо мсзесшег
Nanostructures,.. in Handbook о[ Nanostructured Materials ом Nanotechnofagy. Н. S. Nalwa. ed. Academic
Press, San Diego. 2000, \bl. 3, Chapter4.
D. Bishop, Р. Gammel. and С. R. Giles, «lJШе Machines that Are Making 11 Big,.. Phys. Тооау 54. 38 (Oct.
200]).
R. Dagan!. «Building йош the Вottom Up,. СЬеm. Eng. News 28(Oct 16, 2000)~
С. M.lieber, «The Incn:dible Shrinking Circuit... Sci. Am. 39. 59 (Sept. 2001).
М. А. Reed and J. М. Тощ o:Computing with мовсшев.» &1. Am. 38. 86 (June 2000).
М. Roukes, «Plenty ofRoom Indeed, .. Sci. Am. 39. 48 (Sept. 2001).
М. Roukcs. «NanoelectromechanJcal Systems Facethe Future.• Plrys. Worfd (РеЬ. 2001)
D. Ruger and Р. Hansma. ~tomic Ротсе Microscopy,.. Phys. Тoday 43, 23 (Oct. 1990).
Г, А. Stroscio and о. М. Eig1er, «Аюпис and Mo1ecu1ar Manipu1ation with а Scanning Tunneling
Мюгсесоре.»Science 254. 1319 (1991).
G. М. Whiteside and J. С. Love, йле Art of Building Sma11." Sci. Аm. 39, 285 (Sept. 2001).
~1 ЛрuложенuеА. Формулыдляразныхразмерностей
их, а на рисунках 9.9 и 9.10 их зависимости от энергии показаны графически. Энергетические уровни квантовой ямы могут быть вырождены. Более подробно
этот вопрос изложен в L. Jacak, Р. Hawrylak and А. \\bjs, Quantum dots, Springer,
Berlin, 1998, Section 3.1.
Формулы, представленные в этом приложении, ОТНОСЯТСЯ к идеальному слу чаю изотропных систем, в которых Ферми-поверхность в двумерном случае явля ется кругом, а в трехмерном - сферой. Формулы для объемного тела в последней строке таблицы А.З приведены в предположении о существовании единственной зоны ПРОВОДИМОСТИ. На практике такие зоны сложнее и их больше, но эти упро щенные выражения служат для пояснения роли, которую эффекты электронной
локализации и делокализации играют в наиоструктурах.
Таблица A.l. Свойствакоординатногои k-npocтpaнcтвaв ОДНОМ, двух И трех изме
"'H~
Элемент |
Элементарная ячейка |
|
|
|
лространство |
8 k-простронстве |
Ферми-облость |
Значение k2 |
Рсэмериостъ |
Длина L |
"'/' |
Один |
|
||
Площадь А .. е |
(2l1'Л)' |
Доо |
Объем V'" е |
(2l1'Л)З |
Тр, |
Thблица А.2. Количество электронов N(E) и плотность состояний ЩЕ) = dN(E)jdE как функцияэнергин Е электронов,делокализованныхпо одному,двум и трем из мереНИЯМ.А= L', V=L'
|
|
Целокслиасес |
КоличествоэлектроновN |
Плотность состояний D(E) |
нных измерений |
N{E) '"4k/(2l1'/L) = (2L/xH2m/li?)I/'E1f2 |
D(E) = (t/x)(2m/Ii.' ) I/ 'c l /2 |
1 |
N{E) = 2xk~/(2x/L}' = (A/2x}(2m/Ii')E |
от = (А/"'1I2т/А') |
2 |
N(E) = 2(4.л"kUЗ)/(2хЛ)З = |
|
|
(V/Зх'1(2mjlе)3!I ЕЗ/2 |
D(E) .. (V/2р2Н2m/IiIJЗ/2Е1/2 |
з |
Таблица А.З. Количество электронов N(E) и плотность состояний п(Е) = dN(E)jdE как функцияэнергииЕ электронов,делокализованныхjлокализованных кванто вых точках, проволоках,ямах и объемныхтелах
Количество Пвс-вссзъ Размерности
точкс |
N(E) = 2:I:cli0(E - Ejw! |
D(E} = 2:Ecljd(E - Ejw! |
О |
3 |
ПРО80ЛОКО |
N(E) = (2L/;rtJ(2m//i')I/' |
D(E) = (L/;rtJ(2m//i')'/2Iclj(E _ Ejjl' |
1 |
2 |
Яма |
N(E) = (A/2;rt}!2m//i') Х |
О(Е) = IA/2nH2m//i') х |
2 |
1 |
|
х Icli(E - Ejw! |
Х IcI;I,clJE - Eiwl l / ' |
|
|
Объем |
N{E) = (V/ЗJТ') Х |
О(Е) = (Y/2JТ') Х |
з |
о |
|
Х (2m//i'JЗ/2Е"/2 |
Х 12m//i')3! 2E1/2 |
|
|
Вblрождениепокслиэовсннвхуровнейэнергии обозначено"о" cI,. Функция Хевисойдо О(х) ровно О лри х < О и 1 лри Х > О, дельта-ФУНКЦИЯ cI(Х) равно О лри х '"О, бесконечналри х = О, о ее ИНТВ грол ровен 1.
ПРИЛОЖЕНИЕ В.
ТАБЛИЦЫ СВОЙСТВ
ПОЛУПРОВОДНИКОВ
в этой книге обсуждаются различные типы наноструктур, многие из которых со СТОЯТ ИЗ ПОЛУПРОВОДНИКОВ IV группы или соединений типа л[llвV, например GaAs, или A]]BVI, таких как CdS со структурой ЦИНКОВОЙ обманки, или сфалери
та, "оказанной на рисунке 2.8. В нанометровых масштабах свойства этих матери алов зачастую изменяются. Полезно собрать в приложении набор таблиц с вели чинами, характеризующими различные свойства этих веществ в объемном состо янии, так чтобы на них при необходимости можно было ссылаться в тексте
книги.
В таблицах В.! - В.5 содержатся кристаллографические и близкие к ним дан ные. Информация об электронной структуре, такая как ширина щели, эффек
тивные массы, подвижности, ионизационные потенциалы доноров и акцепторов
и диэлектрические проницаемости представлена в таблицах В.б - B.l!. Эти таб лицы используютсяв книге наиболеечасто. для удобствав таблицах8.12 - 8.21
собраны дополнительные сведения, которые могут представпять интерес для чи тателей. Сюда относятся показатели преломления (таблица 8.12), температуры плавления и теплоты образования (таблицы 8.13 и В.14), некоторые термодина мические характеристики, такие как температуры Дебая, удельные теплоемкости и теплопроводности (таблицы В.15 - В.17). Далее представлены механические свойства, включая коэффициенты теплового линейного расширения, объемного
сжатия и микротвердостъ (таблицы 8.18 - В.20). И, наконец, в таблице 8.21 при ведены значения магнитной восприимчивости соединений типа л11]вV•
Таблица В.l. Постоянные решетки а (В нанометрах) для ПОЛУПРОВОДНИКОВ типа АlIIвУ и А"В'"
|
р |
|
д, |
5Ь |
|
5 |
5. |
Т. |
|
|
|
|
|
||||
Д, |
0,545 |
0,566 |
0,614 |
Z" |
0,541 |
0,567 |
0,610 |
|
|
||||||||
Go |
0,545 |
0,565 |
0,610 |
Cd |
0,583 |
0,605 |
0,648 |
|
|
0,587 |
0,606 |
0,648 |
н. |
0,585 |
0,608 |
0,646 |
|
ЗначенияАЛя'" |
$i и Ge составляют 0,543 и 0,566 соогввгсгвено. |
|
|
|||||
Источник: R. W. G. Wyckoff, Crysta!structure, Wiley, New York, 1963, Yol. 1, р. 110
Q:~ ПрuложенuеВ.
Thблица В.2. Атомные радиусы в одноатомных коистаядах и ионные радиусы неко
торых элементов, встречающихея в полупроводниках
Группа |
дтомный номер |
Эпемент |
Радиус |
'"" |
Раднус |
11 |
30 |
Zп |
0,133 |
0,074 |
|
11 |
48 |
Cd |
0,146 |
Cd" |
0,097 |
11 |
80 |
Hg |
0,151 |
нэ2' |
0,110 |
111 |
13 |
А! |
0,143 |
АIЗ' |
0,051 |
111 |
31 |
Ga |
0,122 |
Go 3' |
0,0602 |
111 |
49 |
In |
0,163 |
IпЗ' |
0,081 |
IV |
14 |
5i |
0,118 |
|
|
IV |
32 |
Ge |
0,123 |
|
|
V |
15 |
Р |
0,110 |
рЗ- |
0,212 |
V |
ЗЗ |
k. |
0,124 |
As'· |
0,222 |
V |
51 |
Sb |
0,145 |
Sb'- |
0,245 |
VI |
16 |
5 |
0,101 |
S2- |
0,184 |
VI |
34 |
Se |
0,113 |
5е2- |
0,191 |
VI |
52 |
Те |
0,143 |
Те2- |
0,211 |
Источник: Hondbook of Chernislry ond Physics, CRC Press, Васа Roton, Н, 2002
ThблицаВ.З. РасстоянияMeJtЦ{Yближайшимисоседями За/4для некоторыхполу
ПРОВОДНИКОВтипалПlвV иAIIBVI, суммы соответствующих ИОННЫХрадиусов и сум
МЫ радиусов атомов в одноатомной решетке
|
|
|
Ионная |
Одноатомная |
Тип |
|
Вещество |
Росстояние |
.' 30/4 |
сумма |
'У- |
соединения |
|
|
|
|
|
|||
М |
0,234 |
|
0,258 |
0,231 |
Попупроводник |
|
А" |
0,236 |
|
0,263 |
0,253 |
ПОЛУПРОlЮДник |
|
Gok |
0,245 |
|
0,284 |
0,246 |
Полупроводник |
|
CdS |
0,252 |
|
0,281 |
0,247 |
ПОЛУПРОВОАНнк |
|
НеТе |
0,279 |
|
0,321 |
0,294 |
ПОЛУПРОВОАНик |
|
IлSЬ |
0,281 |
|
0,326 |
0,308 |
Полупроводник |
|
ььо |
0,282 |
|
0,278 |
0,350 |
Щелочно-гоппсидный |
|
КВ, |
0,353 |
|
0,353 |
0,404 |
Щелочно-гслвоидный |
|
.Ы |
0,367 |
|
0,367 |
0,419 |
ЩелО'lно-галлонАНЫЙ |
|
М.О |
0,211 |
|
0,198 |
0,232 |
Щелочновемельно- |
|
|
|
|
|
|
халькогениАНЫЙ |
|
CaS |
0,285 |
|
0,283 |
0,299 |
Щепсчновееельно- |
|
|
|
|
|
|
холькогенндный |
|
SrSe |
0,301 |
|
0,303 |
0,419 |
ЩвЛO'lнозsмельио- |
|
|
|
|
|
|
халы(огенндиый |
|
|
|
|
|
|
|
|
Дnя сравненияприведеныданныедля некоторыхщелО'lно-raллоондиыхи щелочноаемельво-хепь когениавыхкристаллов. Рссстовнвядоны в нанометрах.
|
'Iaблица8.4. Молекулярные массы соединений типа АШВV и A11BVI в а.е.м. |
||||||
|
Р |
As |
Sb |
|
5 |
SeTe |
|
А! |
57,95 |
101,90 |
148,73 |
Z!\ |
97,43 |
144,34 |
192,99 |
Go |
100,69 |
144,64 |
191,47 |
Cd |
1.44,46 |
191,36 |
240,00 |
In |
145,79 |
189,74 |
256,57 |
Не |
232,65 |
279,55 |
328, ]9 |
|
|
||||||
Атомныемассы кремния и германиясостсвпаюг28,086 И 72,59 соответственно.
ИСТО'lник: НапdЬооkof Chemistry and Physics, CRC Ргеве, весе Raton, Н, 2002
Таблицысвойствполупроводников 3.1:)
|
'ThблицаВ.5. ПлотностисоединенийтипаАШВV и А!!ВVI в г/см) |
|
||||||
|
|
Р |
As |
Sb |
|
5 |
5е |
Те |
Al |
2,42 |
3,81 |
4,22 |
111 |
4,08 |
5,42 |
6,34 |
|
Ga |
4,13 |
5,32 |
5,62 |
Cd |
4,82 |
5,81 |
6,20 |
|
111 |
4,79 |
5,66 |
5,78 |
НВ |
7,73 |
8,25 |
8,17 |
|
Плотностикремния и германияссстсвпяют2,3283 и 5,3234 соогеетсгвеннс. |
|
|||||||
Источник: Hal1dbook. of Chemislтy and l't1ysics, CRC Pгess, вссо Raton, ft., 2002 |
|
|||||||
|
1h6JпщaВ.6. ШиринащелиЕ,полупроводниковтипаАII1ВУ иА'[8V1 вэяектронвояыах. |
|||||||
|
Р |
д! |
5Ь |
zn |
5 |
5е |
Те |
|
Al |
(2,451/3,26 |
(2,151/3,14 |
(1,63)/2,22 |
3,68 |
2,7 |
2,29 |
||
Ga |
(2,27)/2,78 |
1,43 |
0,70 |
Cd |
2,49 |
1,75 |
1,43 |
|
111 |
1,35 |
0,36 |
0,18 |
НВ |
|
-0,061 |
-0,30 (4,4 К) |
|
Ширине иеnрямай щели лриведеио 6 скобках. Зночеиия для 5! и Ge составляют (1,11 )/3,48 и (0,66)/0,81 СООТ6етСТ6еиио.
Источиик: Р. У. Yu al'ld М. Cardol'la, fundamel'ltals of 5emicol1duclors, Springer, 8erlil1, 2001
1it6JlицaВ.7. Зависимость ширины щели ОТ температуры dErldT (мэВ/DС) и давле ния dErldP (мэ8/ГПа)
., |
|
р |
|
|
... |
|
5Ь |
|
|
5 |
|
|
т. |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||
|
|
|
|
ТемпературнаязовисимостьdE/dT |
|
|
|
|
|||||||
|
|
|
|
|
(-0,4)/-0,51 |
(-3,5) |
1n |
-0,47 |
-0,45 |
-0,52 |
|
||||
Go |
|
(-0,52}/-0,65 |
-0,395 |
|
-0,37 |
cd |
-0,41 |
-0,36 |
|
|
|||||
|
|
-0,29 |
|
|
-0,35 |
|
-0,29 |
|
|
|
|
|
|
||
" |
|
|
5! (-0,28! |
|
|
|
|
Ge {-0,З7)/-0,4 |
|
|
|
||||
., |
|
|
|
|
Зависимocn. от давления dE / dP |
|
|
|
|
|
|||||
|
|
|
|
|
{-5,1}/102 |
(-15) |
I1 |
57 |
|
70 |
|
|
|||
|
|
|
|
|
11'1 |
|
аз |
|
|||||||
Go |
|
(-14!/105 |
|
115 |
|
140 |
|
Cd |
45 |
|
50 |
80 |
|
||
" |
|
108 |
|
|
98 |
|
157 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
5i(-14) |
|
|
|
|
|
Ge(50)/121 |
|
|
|
||||
Источник: Р. У. Yu and М. Caгdana, Fundomentals 01Semlcol1duclors, 5pril1ger, Berlil1, 2001 |
|
||||||||||||||
См. также Hal1dbook of Chemlstryal1d Physics, CRC Press, 80са Ratol1, Н, 2002 |
|
|
|||||||||||||
|
ThблицаВ.8. Эффективныемассыэлектроновпроводимостит* и трехтиповдырок |
||||||||||||||
|
в валентнойзоне в единицахмассы свободногоэлектронат. |
|
|
|
|||||||||||
|
Эффективная |
Эффективная |
Эффективиая |
Эффективиая |
Спин-србиюль- |
||||||||||
|
масса |
|
масса |
|
масса |
|
масса росщеп- |
ное расщеп- |
|||||||
|
электронов |
|
тяжелыхдырок |
легкихдырок |
ленныхдырок |
ление D50 (э8) |
|||||||||
|
Р |
k |
5Ь |
Р |
h |
5Ь |
Р |
k |
5Ь |
Р |
k |
5Ь |
Р |
k |
5Ь |
Ga |
|
0,067 0,047 0,57 |
0,53 |
0,8 |
0,18 |
0,08 |
0,05 |
0,25 |
0,15 |
0,12 |
0,08 |
0,34 |
0,75 |
||
In |
0,073 |
0,026 |
0,014 |
0,58 |
0,4 |
0,42 |
0,12 |
0,026 |
0,016 |
0,12 |
0,14 |
0,43 |
0,11 |
0,38 |
0,81 |
SI |
|
|
|
|
0,54 |
|
0,15 |
|
|
0,23 |
|
|
0,044 |
|
|
Ge |
|
0,41 |
|
|
0,34 |
|
0,043 |
|
|
0,09 |
|
|
0,295 |
|
|
Также I1РИВедеи псрсеетр сnии-орбитального росщеnления. Эффективная масса росщепленных ды рок Оl1рEIДеляется спан-орбигсльным В30имод.еЙствием, не I1ринимаемым во внимание в пой книге.
Источники: Р. У. Yu al1d М. Carc!ol1o, fUl1dame"tals of 5emlcol'lductors, 5ргiлgег, 8erlil'l, 2001 и G. 8urns, 50lid 5tote Physics, Academic Ргевв, New York.
~,~ ПрuложенuеВ.
Th.блица 8.9. Подвижность носителей в 
в CM2j Bc при комнатной температуре
|
|
р |
As |
Sb |
|
S |
'. |
1. |
||
|
|
|
|
ПОАВИJl(НОСТ~ эпекгронсе |
|
|||||
Д, |
|
во |
1200 |
200-400 Zn |
180 |
540 |
240 |
|||
|
|
|||||||||
Go |
300 |
8800 |
4000 |
Cd |
|
|
|
|
1200 |
|
|
4600 |
33000 |
78000 |
Не |
250 |
20000 |
25000 |
|||
" |
|
|
|
Подвижность дырок |
|
|
|
|||
Al |
|
|
420 |
550 |
Zn |
5 иоо-о |
28 |
100 |
||
Go |
150 |
400 |
1400 |
Cd |
|
|
|
|
50 |
|
In |
150 |
460 |
750 |
Не |
|
|
1,5 |
350 |
||
|
|
|
|
|||||||
8 Si и Ge лодвюенсств электронов составляют' 900 н 3800, а подвижностндырок - 500 |
||||||||||
н 1820 с:м2/Вс сосгветственко. |
|
|
|
|
|
|
|
|||
ИСТОЧНИК: Handbook. of Chemistry and Physics, CRC Press, Воса Rоюп, Н, 2002 |
|
|||||||||
|
'Th.блицаB,lO. Энергии ионизации акцепторов Ш группы и доноровV группы в Si и Ge |
|||||||||
|
|
|
|
|
|
Энергия ИОНl1зации (~BI |
|
|||
Элемент |
Группа |
Тип |
|
Si |
|
Ge |
|
|||
в |
|
|
111 |
Акцептор |
|
45 |
|
|
1О |
|
Д, |
|
|
111 |
Акцептор |
|
67 |
|
11 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||
Go |
|
|
111 |
Акцептор |
|
71 |
|
11 |
|
|
|
|
|
111 |
Акцептор |
|
155 |
12 |
|
||
"Р |
|
|
V |
Донор |
|
45 |
|
13 |
|
|
Д, |
|
|
V |
донор |
|
54 |
|
14 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||
'Ь |
|
|
V |
донор |
|
43 |
|
10 |
|
|
,; |
|
|
V |
донор |
|
71 |
|
13 |
|
|
Источник: G. Вuгпs, Sofid Stote Physics, Acodemic: Press, New York |
|
|
|
|||||||
|
Thблица В.Н. Orносительная диэлектрическая проницаемостъ г. полупроводников |
|||||||||
|
типа лШвV и лПвVI |
|
|
|
|
s. |
|
|||
|
|
Р |
As |
Sb |
z, |
5 |
1. |
|||
AI |
|
|
10,911 |
В,9 |
9,2 |
10,4 |
||||
Ga |
11,1 |
13,2 |
15,7 |
Cd |
|
|
|
|
7,2 |
|
Iл |
12,4 |
14,6 |
17,7 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||
Знсчвние дnя Si н Ое соспзвпяют I 1,8 и 16 соответственна. |
|
|
|
|||||||
|
Thблица В.12. Покаватель преломления n (оптический диапазон, n = Е'Р) полупро |
|||||||||
|
водников типа ЛIllВV и лlIвVI |
|
|
|
'. |
|
||||
|
|
р |
As |
Sb |
z, |
S |
1. |
|||
|
|
|
|
|
|
|
|
|||
AI |
|
|
|
3,2 |
2,36 |
2,89 |
3,56 |
|||
Ga |
3,2 |
3,30 |
3,8 |
Cd |
|
|
|
|
2,50 |
|
Iл |
3,1 |
3,5 |
3,96 |
|
|
|
|
|
|
|
Змсчениядnя Si 11 Ge состсепяют 3,49 н 3,99 соответсгееико. |
|
|
|
|||||||
Источник: НалdЬооkof Chemistry алd Physics, CRC Press, вссе Rоloл, Н, 2002 |
|
|||||||||
|
ThблицаВ.В. Температураплавления(Кельвин)полупроводниковтипалШвV и лПвVI |
|||||||||
|
|
Р |
As |
Sb |
|
5 |
Se |
Те |
||
А\ |
-2100 |
2013 |
1330 |
Zл |
2100 |
1790 |
1568 |
|||
Ga |
1750 |
1510 |
980 |
Cd |
1750 |
1512 |
1365 |
|||
In |
1330 |
1215 |
798 |
Hg |
1820 |
1070 |
943 |
|||
Значениядля Si и Ge составляют 1·685 и 1231 К соответственно.
Источник: Handbook 01 Chemistry and Physics, CRC Press, Воса Rаloл, FL, 2002
Таблицы свойствnолуnроводн.uков 3~
'&блица В.14. Теплота образования (кДж/моль) при 300 К полупроводников типа А1ПВV и A
~ ПрuложенuеВ.
ThБJIицa 8.20. Михротвердостъ(Н/мм1ПОЛУПРОВОДНИКОВтипаАIIIв"и дJlиVl
|
Р |
As |
Sb |
|
S |
5е |
Те |
Al |
5500 |
5000 |
.4000 |
Zn |
1780 |
1350 |
900 |
Ga |
9450 |
7500 |
4480 |
Cd |
1250 |
1300 |
600 |
In |
4100 |
3300 |
2200 |
Hg |
300 |
250 |
300 |
Зисчение ДЛ" Si 11 Ge состевпяют11270 11 7644 H/IoU/ соотвегсгвенво.
Источник: Hondbook of Chemistry ond Physic:s, CRC Ргевв, Васа Roton, Н, 2002
1аб.mщa8.21. Атомная магнитнаявосприимчивостьOO~ ед. СГС) полупроводни
|
ков типалШвV |
д, |
Sb |
|
р |
||
Ga |
-13,8 |
-16,2 |
-14,2 |
,о |
-22,8 |
-27,7 |
-32,9 |
|
|
|
|
ЗначениеДI1Я ZnS ссстсвлаег -9,9 . 1O~ вд. СГС, Дnll Si И Ge _ -3,7· 1О б Н -О, '2 . 10-4;ед. СГС
соответственно.
Иeroцник: Handbook of Chemistry and Physics, CRC Press, весе Raton, Н, 2002
ДОПОЛНЕНИЕ I
ИНДУСТРИЯ НАНОСИСТЕМ.
СИСТЕМНЫЙ
ПОДХОД
В.В. Лучuuu1f,
д.т.н., nрофесr.ор кафедры .цUl\:ро;ме?СтРОНШСU, aupe~oP Центра Mu,,"pomeX?l.OJlQ2UU u дuaZHocmu?ru
Сан.nт-Петер6ургекого государстве""ого Э./lеll:mротехиUЧfС1Сого У"'иверсuтета
A.I . I . Введение
СТИМУЛИРУЮЩИМ фактором возникновения данного краткого дополнения к, без условво, своевременному изданию на русском языке книги И. Пула и Ф. Оу:знса tНанотехнологии~ являлось замечание, сделанное редактором русского перевода в предисловии [1]: .Отметим также, что нигде не приводится система тизация объектов и процессов нанотехнологии, вследствие чего вевс кyn:rенному читателю остается неяеным, с какой же частью предмета ему удается познакомиться, прочитав эту книгув. При подготовке дан ного дополнения учитывалась еще два обстоятельства:
к сожалению, термины енанотезнологвя» и енаноматеряалые стали настоль
ко модными, конъюнктурными и «экономически привлекатедьными», что
многие традиционные исследования и разработки атомно-молекулярного уровня искусственно приобрели имидж енано»; использование в ряде работ в качестве условной границы геометрическо
го раздела между мвкро- и наносистемами - 100 нанометрового рубежа, представляется некорректным и требует дополнительного анализа.
Далее возьмем на себя ответственность изложить некоторые методические аспек
ты нового научно-технического направления, которое в настоящее время опре
деляют как «индустрию наносистею.
Д. I .2. Основные термины и определения
в основе системы знаний об объекте исследований безусловно лежит анализ его вещественно-материального базиса, структурного упорядочения и устойчиво сти, пространственно-временной организации, а также количественное и каче ственное проявление традиционных и ранее неизвестных свойств в зависимости от условий синтеза и функционирования.