Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
Скачиваний:
18
Добавлен:
14.06.2020
Размер:
8.14 Mб
Скачать

~,o Глава 6. Объемныенаноструктурировпнныематериалы

0.1

0.2

О.З

0.4

05

Волновое число, Ка/2Я

Рис. 6.32. Влияние удаления одного ряда стержней из квадратной решетки кристал­

ла, которое приводит К появлению уровня в запрещенной зоне со свойствами волно­ вода. По оси ординат отложена частота f,

умноженная на параметр решетки а и де­

ленная на скорость света с.

страняться по такой решетке. Ниже щели интенсивность света большая,

и по аналогии с терминами валентная

зона и зона проводимости эта область называется диэлектрической зоной. Выше щели интенсивность света низ­ ка, и эта область называется волновой зоной.

Теперь рассмотрим, что произой­

дет при введении в такую решетку ли­

нейного дефекта, эаключаюшегося в отсутствии одного ряда стержней. Область, где стержни удалены, будет работать как волновой канал, в кото­

ром разрешена частота, ранее нахо­

дившаяся в запрещенной зоне, как показано на рис. 6.32. Это действие аналогично введению примесей n- или р­ типа в ПОЛУПРОВОДНИК ДЛЯ создания локальных уровней в запрещенной зоне. ВОЛНОВОД подобен трубке, пространственно ограничивающей распространение электромагнитной энергии и позволяющей ей течь только в одном направле­ нии. Интересной особенностью такого волновода является то, что свет в нем

может распространяться и при резких поворотах канала, в отличие от оптово­

локонного кабеля. Из-за !9ГО, что частота света в канале лежит в запрещенной зоне, свет не може;выЙти-~з-'Неii> в кристалл. то-есть·он будет следовать"на­

правлению канала даже в случае резкого поворота. Распространение света без потерь в оптоволоконном кабеле основано на явлении полного внутреннего от­ ражения на внутренней поверхности кабеля. Если волокно изогнуть слишком

сильно, угол падения становится слишком велик для полного внутреннего от­

ражения и свет в повороте выходит из волокна, вызывая потери энергии.

Пyreм удаления одного стержня или изменения его радиуса в таком кристал­ ле можно создать резонансную полость. это также создает уровень в запрещен­

ной зоне. Оказывается, что частота этого уровня зависит от радиуса стержня, как видно из рис. 6.33. На нем также показаны описанные выше волновая и диэлект­

рическая зоны. Такая зависимость дает способ .настроЙки частоты полости-. Воз­ можность управлять интенсивностью света и собирать его в малых областях со­ здает перспективу использования таких кристаллов в качестве фильтров и связу­ ющих устройств в лазерных системах. Спонтанная эмиссия - это эмиссия света, происходящая при релаксации возбужденного состояния в состояние с меньшей энергией. Способность управлять спонтанной эмиссией - необходимое условие нормальной работы лазера. Скорость релаксации атомных возбуждений зависит от коэффициента связи между атомом и фотоном и плотности доступных для из­ лучаемого фотона мод электромагнитных колебаний. Описанные выше структу­

ры позволяют управлять этими параметрами независимо.

 

 

 

6.2. Наносmрукmурuровонныенристаляы I~

0.5

 

,

волновая зона

,

-

 

 

 

 

 

 

 

 

0.45

 

1-

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

0.4

 

1-

запрещенная зона

 

-

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

-

 

0.35

 

1-

 

 

 

0.3

 

1-

 

 

-

 

 

 

 

 

 

 

 

0.25

 

f-

диэлектрическая зона

 

-

 

 

 

 

 

 

 

 

 

1-

 

 

 

 

 

0.05

0.1

0.15

0.2

Привеленный радиус дефекта, ,/а

Рис. 6.33. Зависимость частоты локализованных состояний в запрещенной зоне в зависимости от радиуса одного стержня г в квадратной решетке. По оси ординат отложена частота[, умноженная на параметр решетки а и делен­

ная на скорость света С.

Полупроводниковые технологии составляют основу интегрированной элек­ троники. Задача размещения большего количества транзисторов на одном чипе требует дальнейшей миниатюриэации элементов. К сожалению, это приводит к росту сопротивления и большей диссипации энергии. ОДFiQ}!З возможных на­

правлений развития микросхемной техники в будущем состоит в использовании

светаИ··фотоники. Свет в диэлектрической среде движется гораздо быстрее, чем эле-ктрон в проводе. и можетпередавать большее количество информации в еди­

ницу времени. Полоса пропускания оптических систем, таких как оптоволокон­ ные кабели, лежит в диапазоне герагерц. а электронных систем (с током, теку­

щим по npоводам) - несколько гигагерц, т.е. на 3 порядка ниже. Фотоника обла­ дает большим потенциалом для того, чтобы стать в будущем--о-сноiюй для

интегрированных оптических цепей.

~2 Глава 6. Объемные ноносmрукmурuрованные материалы

Литература

S. А. Asher ег al., MesoscopicaJfy Periodic Photonic Ctysta/ Materials for Ыneа, впа Non Lтea! Optirs aJJd Chemica/ &l1Ising, ММ Вulktin, Oct. 1998

I. Chang, "Rapid Solidification Procшing in Nапосrystallinе Meta1lic Айоув", Handbook о/Nanostructured

Materials and NаnotесhлfJ1ogy, Н. S. Nalwa, 00., Academic Press, San Diego, 2000, \bl. 1, Chapter 11, р. 501

А. L. Gll8t and W. В. Russel,"Simple Orderingin Сотрlех F1uids", Phys. Тoday, Фес 1998)

J. Е. Gordon, New Scienc& ofStrong Materials,hnguin ВООЬ, Middlesex, UK, 1968

J. О. Joanpoulos, Р. R. VJ11eineuve and S. Fan, "Photonic Cryst.aJs", Nature, 386, 143(1997)

С. С. Koch, О. О. Мшris, К. Lu andA. Inoue, Ductility ofNanostructured rnaterials, MRS ВulJetin,РеЬ 1999

М. Marder and J. Fineberg, "How ТЫngs Break", Phys. Toduy (Sept 1996)

R. L. Whettenet Щ., "Crystal Structure ofMolecular Gold Nanocrystal Апау",Асс. Chem. lЩ., 32, 397 (1999)

ГЛАВА 7.

ФЕРРОМАГНЕТИЗМ В НАноеТРУКТУРАХ

7.1. ОСНОВЫ ферромоrнетизма

в этой главе будет обсуждаться влияние ваноструктуры на различные характери­ стики ферромагнетиков, а именно, влияние на них размеров нанозерен, состав­ ляющих объемные магнитные материалы. Будет рассмотрен вопрос конструиро­ вания свойств магнитных материалов, испояьэуюшихся в разных областях дея­ телЬНОСТИ, посредством изменения размеров зерна. для лучшего понимания роли нанострухтуры в ферромагнетизме далее будет представлен :краткий обзор свойств ферромагнетиков. В Главе 4 было показано, что некоторые атомы, име­ ющие не до конца заполненные электронные оболочки, обладают собственным магнитным моментом И, в сущности, ведут себя как маленькие постоянные маг­ ниты. Степень намагниченности макроскопического тела определяется величи­ ной суммарного магнитного момента, являющегося векторной сумой атомарных магнитных моментов. Атомы различных переходных подгрупп периодической таблицы Менделеева могут обладать собственным магнитным моментом, по­ скольку содержат не полностью заполненные внугренние электронныме оболоч­ ки, на которых присутсгвуют электроны с неопаренным спином. В атоме железа вокруг ядра движутся 26 электронов. Восемнадцать из них заполняют внутренние оболочки так же, как в атоме аргона. На d уровне с n = 3 присутствуют только 6 ИЗ возможных 10 электронов, так что он не заполнен, и на нем остается 4 свобод­ ных места. Эта незаполненность электронной d-оболочки приводит к наличию у атома железа большого магнитного момента.

При образовании кристалла из атомов, обладающих магнитными момента­

ми, например, железа, может реализоваться один из нескольких различных спо­

собов расположения магнитных моментов отдельных атомов по отношению друг к другу. На рис. 7.1 показаны некоторые возможные типы упорядочения в дву­ мерном случае. Острие стрелки обозначает северный полюс крошечного магни­ та, связанного с атомом. Если магнитные моменты ориентированы случайно, как показано на рис. 7.la, полныймагнитныймоменткристалларавен нулю, и такое состояниеназываетсяпарамагнитным.При приложениипостоянногомагнитно­

го поля к такому кристаллу происходит некоторое упорядочиваниемагнитных

моментовс преимущественнойих ориентациейпо полю, что создаетв кристалле небольшойсуммарныймагнитныймомент. В ферромагнитномкристаллев пре­ делах некоторогообъема все атомныемоменты ориентированыодинаководаже в отсутствиевнешнегомагнитногополя, как показанона рис. 7.1б, так что кри­ сталл как целое обладает магнитным моментом и ведет себя как стержневой

~~ Глава 7. Ферромагнетизм8 нанострухтурах

-- »>

/' \j/

магнит; создавая вокруг себя постоян­ ное магнитное поле. Если кристалл со­ стоит из двух типов атомов с разной ве­ личиной магнитного момента, может

(а) парамагнетик

возникнуть состояние, называемое

 

 

ферримагнитным. что показано на

(5)---

рис. 7.1в, где длина стрелки соответст­

 

---

вует величине момента атома. Такие

кристаллы также ведут себя как посто­

ферромагнетик

янные магниты. В антиферромагнети-

 

 

ке соседние моменты ориентированы

(В) ферркмагнетик

-- ---

-

(г) антиферромагнетик

Рис. 7.1. Схемы различных типов упорядо­

чивания магнитных моментов отдельных атомов, составляющих (а) парамагнетик,

(6)ферромагнетик, (в) ферримагнетик

и(г) антиферромагнетик.

антипараллельно, как показано на

рис. 7.1r, и такой материал не обладает магнитным моментом. В данной главе будет рассматриваться преимушест­ венио ферромагнитное упорядочение.

Теперь рассмотрим прИЧИНЫ того,

ЧТО в некоторых материалах моменты

отдельных атомов упорядочиваются, а в некоторых - нет. Когда постоянный

магнит помещают в постоянное маг­

нитное поле, магнитный момент стре­

МИТСЯ занять положение по направле­

нию поля. В кристалле каждый атом, обладающий магнитным моментом, создает вокруг себя магнитное поле. Еели магнитный момент достаточно

велик, создаваемое им постоянное магнитное поле может ВЫНУДИТЬ магнитные

моменты ближайших соседей сориентироваться так же, как и он сам. это может произойти в том случае, если энергия взаимодействия больше, чем энергия kBT тепловыхколебанийатомов решетки. Взаимодействиемежду магнитнымимо­ ментамиатомовможет бытьдвух типов: обменноеи дипольное.Обменноевза­ имодействиеявляется чисто квантовымэффектом и обычно сильнее, чем ди­

польное.

В случае малых частиц, обладающихмагнитныммоментом (таких, напри­ мер, как электроны), наложениемагнитногополя приводитк тому, что проек­

ция вектораспинана направлениемагнитногополя может приниматьлишьдва значения: ± 1/2 f.lв' где f.lв - единичный магнитный момент, называемый магне­

тоном Бора. Волновая функция состояния +1/2f.lB обозначается а, состояния -1/'2f.lв - р. Числа ±1/2 называются спиновыми квантовыми числами та. Для двухэлектроннойсистемыневозможноуказать, какой электронв каком со­ стоянии находится. ПрииципзапретаПаули запрещаетдвум электронам,нахо­

дящимся на одном энергетическомуровне, иметь одинаковые спиновые кван-

7. J. ОСНО8Ыферромагнетизма I~

товые числа ms' В квантовой механике это учитывается посредством введение требования антисимметричности волновой функции, то есть, если поменять

два электрона местами, их волновая функция меняет знак. Волновая ФУНКЦИЯ, удовлетворяющая этому условию, выглядит так; (l/2)-1{2 [WA(l)WB(2) -

- ЧJд(2)ЧJв(l)]. Энергия их электростатического взаимодействия в этом случае

дается интегралом:

 

Е= {[-"'-]['I'А(1)'1'.(2) - 'I'А(2)'1'.(1)]' dV,dV,

(7.1)

2'i2

Раскрывая скобки, получаем:

Е= f[~]['I'A(I)'I'.(2)]'dV,dV,- f[~]['I'A(I)'I'.(I)'I'A(2)'I'.(2)]dV,dV,

'i2

'i2

(7.2)

Первый член соответствует обычному кулоновскому взаимодействию двух заря­ женных частиц. Второй член, называемый обменным взаимодействием, описы­ вает разницу кулоновской энергии между случаями параллеяьных и антипарал­ дельных спинов. Можно показать, что при некоторых допущениях обменное вза­ имодействие можно записать в гораздо более простой форме, а именно, как JS,S2' где J называют обменным интегралом или константой обменного взаимо­ действия. для ферромагнетиков J имеет отрицательный знак, для антиферромаг­ нетиков - положительный. Из-за того, что обменное взаимодействие имеет мес­ то для перекрывающихся орбитаяей, это - преимущественно взаимодействие между ближайшими соседями, причем обычно такое взаимодействие доминиру­ ет. Другое взаимодействие. имеющее место в решетке магнитных ионов, называ­ ется липоль-дипольным и записывается в виде

fL! •

"'2

_ 3:.fLl • Т) fL2

r

(7.3)

r

3

r

5

 

где з: - пространственный вектор между магнитными моментами .... ! и ....2' а г­

модуль этого вектора.

Намагниченность Мобъемного образца определяется как полный магнитный момент единицы объема. Она является векторной суммой магнитных моментов всех атомов, деленной на объем образца. При охлаждении от высоких температур намагниченность возрастает, особенно сильно при температуре Кюри Те' когда материал становится ферромагнитным, и продолжает расти при дальнейшем уменьшении температуры и ниже точки Кюри. Эмпирическая зависимость на­ магниченности от температуры при температурах существенно ниже точки Кюри

выглядит так:

(7.4)

где 1\((0) - намагниченность при нуле Кельвин, а с - константа. Магнитная вос­ приимчивость Х образца определяется как отношение намагниченности при

~~ Глава 7. Ферромагнетизм8 наноструктурох

~

»<.

I I !

'JV- '

Начальная

Вращение

Рссг

структура

доменов

доменов

(6)

Рис. 7.2. (а) - Некоторые примеры домен­ ной структуры ферромагнетиков. (6) - Ее

изменения путем вращения или роста до­

менов под действием магнитного поля.

определенной температуре к напря­

женности приложенного магнитного

поля Н, то естьХ = М/Н.

Обычно магнитный момент объем­ ных ферромагнитных материалов ниже точки Кюри меньше, чем теоретичес­ кий предел, рассчитываемый для слу­

чая, когда все атомные моменты на­

правлены одинаково. это объясняется образованием доменов. Доменами на­ зываются области, в которых все маг­

нитные моменты атомов направлены

одинаково, так что в пределах одного

домена намагниченность достигает на­

сыщения, то есть принимает макси­

мально возможное значение. Однако у разных доменов в образце векторы

намагниченности не параллельны друг

другу. Таким образом, полная намагни­ ченность всего образца меньше, чем

при полном упорядочивании ориента­

ции всех атомных магнитных момен­

 

 

 

тов. Некоторые примеры доменной

 

 

 

структуры показаны на рис. 7.2а. Такая

 

 

 

структура появляется в образце благо­

 

 

 

даря уменьшению магнитной энергии

 

 

 

образца при Формировании доменов.

-----"iуч"------Н

Наложение магнитного поля может

 

 

 

 

 

 

увеличить магнитный момент образца.

 

 

 

Это происходит двумя

способами.

 

 

 

В слабых внешних полях объем доме-

 

 

 

 

 

 

нов, ориентированных вдоль поля,

Рис. 7.3. Зависимость намагниченности М

увеличивается

за счет соседних доме­

от приложеннего магнитного поля Н для

нов. В сильных полях имеет место дру­

магиитотвердого материала. На петле гис­

гой механизм

намагничивания образ­

 

 

 

терезиса отмечены коэрцитивная сила НС>

 

 

 

остаточная намагниченность Мг и намаг­

ца, а именно поворот векторов намаг­

 

 

 

ничениость насыщениия Мs-

ниченности

доменов

в сторону

 

 

 

направления внешнего поля. Оба эти процесса проиллюстрированы на рис. 7.2б. На рис. 7.3 приведена кривая намаг­ ничивания ферромагнитного материала, то есть зависимость полной намагни­ ченности Мобразца от наряженности приложеиного внешнего постоянного маг­ нитного поля Н. В системе си иН, и М измеряются в амперах на метр, в системе

сгс единицей Мявляется электромагнитная единица на грамм, а единицей Н -

7.2. Влияниенамагнитныесвойства I~

эрстед. При первоначальном повышении Ннамагниченность Мрастет до дости­ жения точки насыщения MsПри уменьшении Н от точки насыщения М не уменьшается до тех же значений, которые были в процессе увеличения поля. Кривая при уменьшении поля лежит выше. Такое явление называется гистерези­

сом и происходит вследствие того, что домены, упорядоченные при возрастании

поля, не возвращаются к первоначальному состоянию при понижении поля.

Когда внешнее поле достигает нулевого значения, образец все еще сохраняет на­ магниченность, называемую остаточной намагниченностью Mr Для обнуления этой намагниченности требуется приложить поле Не В обратном направлении, как показано на рис. 7.3. Это поле, называемое коэрцитивным, вынуждает доме­ ны вернуться к первоначальному состоянию. Характер кривой намагничивания ферромагнетика важен при использовании магнитных материалов, так что ис­ следования в этой области с целью создания материалов с разными формами кривой намагничивания продолжаются.

7.2.8пиgниенанаструктурираваниg объемноrоматериалана маrнитны eсвойства

Различныеприменениямагнитныхматериаловтребуютразныхтиповкривойна­ магничиванияи ее характеристик.Материалы,используемыев трансформаторах и вращающихсяэлектрическихмашинах, подвергаютсявоздействиюбыстро ме­

няющегося магнитного поля, так что им приходится перемагничиватьсямного

раз в секунду. Это приводитк потереэффективностии нагревуматериала.Нагрев

являетсяследствиемвнутреннеготрения, возникающегопри непрерывнойпере­ ориентациимагнитныхдоменов. Величинапотерьэнергии в каждом цикле, вы­ деляюшейся в виде тепла, пропорциональнаплощади, ограничиваемойпетлей гистерезиса.для подобногоиспользованиянеобходимыматериалыс малой или близкой к нулевой коэрцитивнойсилой, что уменьшаетплощадь петли. Такие материалыназываютмагнитомягкими.С другойстороны, постоянныемагниты, используемыедля создания больших сильных магнитныхполей, должны обла­ дать большой коэрцитивнойсилой, то есть широкойпетлей гистерезиса.Такие материалыназываютмагнигожесгкими.для них также требуютсябольшиезна­

чения насыщениянамагниченности.

Наноструктурированиеобъемныхмагнитныхматериаловможет применять­ ся для создания материаловс заданным видом кривой намагничивания.Ленты аморфногосплавас составомFе73.SСUjNЬзSiJЗ.SВ9'полученныеметодомбыстрого охлаждения на холодном барабане и отожженныепри температурахот 673 до 923 К в течение одного часа в атмосфере инертного газа, состоят из твердого рас­ твора 10 нм наночастиц железа. Такой сплав достигает индукции насыщения 1,24 Тл, его остаточная индукция составляет 0,67 Тл, а коэрцитивная сила очень мала - 0,53 А/м. Гистерезис петли намагничивания наноразмерных порошков аморфных сплавов с составом Fe69N~C02 и размером зерен 10 - 15нм, полученных пугем разложения растворов Fe(CO)s, Ni(CO)4 и Со(NО)(СоО)з в углеводородном

~.~

 

Глава 7. Ферромагнетизм внанаструктурах

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

а

 

 

 

-:j 0.115

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

f

 

 

 

 

 

 

 

 

е

 

 

 

 

 

~

,

 

 

 

~ е.,

 

 

 

 

 

 

l

 

 

 

о

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

=

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

=

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

~

с

 

....

 

 

 

 

 

 

 

~

 

 

 

 

~

 

 

 

 

 

 

 

 

5

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

~ -1

 

 

 

= ев

 

 

 

 

 

 

 

~

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

с

 

 

 

 

~=

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

::i! -2

t 0.75

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

О

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

0.70

10

20 эо 40 50 80

70

80 90 100

~f""ОС-L_"""","'~_~"",*,~~,~'-'о""~~,""",,*,~,,,,,

 

 

 

d,HM

 

 

 

 

 

 

 

Напряженность магнитного ПОЛЯ, Э

Рис. 7.5. Зависимость остаточной намагни­

Рис. 7.4. Обратимая кривая намагничнва­

ченности М,ОТ размера ечестиц, составля­

ния нанопорошка сплава Ni-Fe-Co, де­

ющих Nd-B-Fe ПОСТОЯНИЫ:Й магнит, отне­

монстрирующая отсутствие гистерезиса. 1

сенной к значению MS<90) для размера зе­

Эрстед = 10--<1 Тесла

рен 90нм.

 

 

 

 

 

 

растворителе декалине (СI0На) в атмосфере инертного газа, почти отсутствует, На рис. 7.4 показана кривая намагничивания ЭТОГО материала. Магнитные мате­

риалы, в каждом зерне которых существует только один домен, демонстрируют отсугствие гистерезиса и называются суперпарамагнетиками.

Самые сильные постоянные магниты изготавливают из неодима, железа и бо­ ра. Их остаточная индукция составляет до 1,3 Т, а коэрцитивная сила - 0,95 106 Лjм. Исследовалось влияние размера наномасштабных зерен на свойства Nd 2Fe14B. Результаты,приведенныена рис. 7.5 и 7.6, "оказывают, что для этого материала коэрцитивная сила существенно уменьшается при размере зерна менее 40 нм, а остаточная намагниченность увеличивается. Другой подход к изменению параметров кривой намагничивания этого материала состоит в создании нано­

масштабной смеси магнитотвердых частиц Nd 2Fe14B и магаитомягкойа-фазы железа. Измерениявлияниямагиигомягкихчастицжелеза, смешанныхс магии­

тотвердым веществом, подтверждает, что остаточное поле таким путем можно

увеличить. Полагают, что это происходитвследствиеобменноговзаимодействия

междутвердымии мягкиминаночастицами,которое ориентируетвектора намаг­

ниченностичастицмягкойфазы в направлениинамагниченностичастицтвердой фазы.

Показано,что размермагнитныхнаночастицтакже влияети на величинуМ" при котороймагнетикнасыщается.На рис. 7.7 показано влияние размера частиц на поле насыщенияцинкового феррита, откуда видно, что намагниченность на-

..

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

••

 

.,

 

 

 

 

 

,.

 

 

 

 

F

 

 

 

 

~'.3

 

 

 

 

 

"-

 

 

 

 

 

 

 

 

•••

 

 

 

 

 

О.•

 

 

 

 

 

 

 

 

О.,

 

 

 

 

 

 

 

 

 

0.50

10 20 3D 40 50 ео 70 ео

90

 

 

 

d, им:

Рис. 7.6. Зависимость КОэрцитивного поля Не от размера частиц Nd- В-Ре постоянно­

го магвита.

7.3. Динамикананомагнитов I~

ав

0.0

00 10 20 зо 40 50 60 10 ес 9D

",~

Рис. 7.7. Зависимость намагниченности насыщения Ms цинкового феррита от раз­ мера частиц d, отнесенной к значению MS<90) для зерен размером 90 им.

сыщения существенно возрастает для зерен с размерами меньше 20 им. Таким об­

разом, уменьшая размер наночастиц зернистого магнитного материала, можно

существенно улучшить качество ПРОИЗВОДИМЫХ ИЗ НИХ магнитов.

7.3. Динамика НQномаrнитов

Изучение магнитных материалов, преимущественно пленок из наноразмерных

магнитных частиц, иногда называемое меэоскопическим магнетизмом, подогре­

вается желаниемувеличитьемкостьмагнитныхнакопителейинформации,таких как жесткие диски компьютеров. ОСНОВНОЙ механизм хранения информации включает в себя намагничиваниев определенном направлении очень малой об­

ласти магнитногоносителя, называемой битом. для достиженияплотности хра­ нения 10 Гигабит (1010 бит) на квадратный дюйм отдельный битдолжен занимать

место длиной 70 им и шириной 1 мкм. Толщина пленки должна составлять око­ ло 30 нм. Существующие магнитные устройства хранения информации, такие как жесткие диски, основаны на крошечных кристаллах сплава хрома и кобаль­ та. Одна из сложностей, возникающих при размерах бита менее 10 ИМ, состоит в том, что вектор намагниченности может поменять направление под действием тепловых флуктуаций, по сути, стирая память. Одно из решений этой проблемы состоит в использовании ваноразмерных зерен с большими значениями намаг­ ниченности насыщения, и, следовательно, с более сильным взаимодействием

Соседние файлы в папке Книги и монографии