Основы наноелектроники / Основы наноэлектроники / ИДЗ / Книги и монографии / Физические основы молекулярной электроники (Плотников), 2000, c.164

Глава /V ПРll11111111bl построения действующих и перспективных устройств.\10.7. электроники

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

Для резкого повышения степени интеграции, быстродей­ ствия и расширения функциональных возможностей существу­

ющих интегральных схем микро- и оптоэлектропики в начале

70-х годов назрела необходимость поиска новых физических принципов передачи, хранения и переработки информации. Фак­ тически это время совпадает с рождением новой области науки и техники - молекулярной электроники. Поисковые работы ве­ дущих центров молекулярной электроники в основном направ­

лены на создание трехмерных интегральных схем на основе орга­

нических макромолекулярных систем. Здесь имеются в виду как теоретические работы по разработке принципов запоминания, переработки и передачи информации на молекулярном уровне, так и экспериментальные работы по созданию молекулярной схемотехники, синтезу элементов сложных молекулярных цепей и новых органических и биоорганических соединений. Однако,

приходится констатировать, что многочисленные умозрительные

предложения в этой области, выдвинутые за послелине двадцать лет, либо остались нереализованными, либо привели к созданию моделей устройств молекулярной электроники. пока не способ­

ных конкурировать с существующими микроэлектропными ана­

логами.

Мы рассмотрели и другой, более реальный в настоящее время путь -- использованиеуже развитой ппанариойтехнологии

изготовленияполупроводниковыхсхем и созданиеслоистыхструк­

тур полупроводник-диэлектрикИ3 неорганических полупровод­

ников и адсорбированныхна их поверхностиорганических:\10J1~­ кул или полимолекулярныхслоев. В этом направлении наиболее перспсктивныминам представляютсяработы 110 созданию прип­ ципиально новых элементов памяти и сенсорных систем (так на­ зываемые комбинированные сенсоры), которые детально рассмот­ рены в заключительной главе книги.

161

Физические основы молекулярной электроники

Элементы молекулярной электроники, построенные по пла­ нарной технологии, включают в себя развитые межфазные грани­ цы. Подобные системы являются удобной моделью для исследо­ вания процессов переноса энергии и заряда, флуктуационных про­ цессов, поверхностных бифуркаций (нестабильностей) и др. Эти физические явления могут в значительной степени определять функционирование устройств нанометрических размеров для за­ писи, хранения и переработки информации. Изучение флуктуаци­ онных и размерных эффектов в нанометрических структурах, от­ крывает возможности создания принципиально новых информаци­ онных сред. Это дает дополнительный импульс в развитии элект­ роники молекулярных систем, а также твердотелъной нано- и кри­

оэлектроники.

162

Список литературы

СПИСОК ОСНОВНОЙ ЛИТЕРАТУРЫ

1. Поуп М., Свенберг В.) Электронные процессы в органических кристаллах.

М.: Мир, 1985) т. 1) 534 с.

2.Киселев В. Ф., Козлов С.Н., Зотеев А.В. Основы физики поверхности твер­ дого тела. М.: Изд-во Московского университета, 1999, 284 с.

3.Симон Ж., Андре Ж.Э. Молекулярные полупроводники. М.: Мир, 1988,

342 с.

4. Агранович В.М., ГаланинД.М. Перенос энергии электронного возбужде­ ния в конденсированных средах. М.: Наука, 1978, 344 с.

5. Введение в молекулярную электронику /Под ред. В.Г. Лидоренко. М.: Энергоиздат, 1984) 319 с.

6. Рамбиди Н.г., Замалин В.М., Сандеяри Ю.М. и др. Молекулярная элемен­ тная база перспективных информационно-логических устройств //Итоги науки и техники) сер. «Электроника». М., 1987) т. 22, с. 170.

7. Блинов Л.М. Лэнгмюровские пленки //УФН) 1988, т. 155, с. 443.

8. Давыдов А. С.. Солитоны В молекулярных системах. Киев: Наукова думка,

1984) 217 с.

9. Левшин Л.В., Салецкий А.М. Оптические методы исследования молекуляр­ ных систем. 1. Молекулярная спектроскопия. М.: Издательство МГУ, 1994, 320 с.

10.Petty М. С.. Bryce M.R., BloorD. An Introduction to Molecular Electronics,

1995.

11.Honda К. Functionality of Molecular System, 1998.

12.Aviram А., Ratner М. Molecular Electronics: Science and Technology (Annals of the New York Academy of Sciences)) 1999.

13. Sienicki К.) Molecular Electronics and Molecular Electronic Devices, 1993.

14. Каттита Тsuguchika, Молзитою Gen. Biocomputers: the next generation from Japan. London; NY: Chapman and НаН, 1991.

15.Aviram А. [editor]. Molecular electronics-science and technology: engineering foundation Congress. NY) 1989.

16.Sze S. М. [editor]. Semiconductor sensors. 1. Wiley, NY, 1994.

17.Mandelis А.. Christofi{les С. Physics, Chemistry and Technology of Solid State Gas Sensor Devices //Chemical analysis. У. 125. NY: J. Wiley, 1993.

18.Gope/ W е! al. [editors], Sensors: А Comprehensive Survey. Votume 2, 3: Chemical and Biochemical Sensors. уен, NY, 1992.

19.Blum L.J., Coulet PR. [editors]. Biosensor Principles and Applications. NY: Marcel Dekker, 1991.

163

Физические основы молекулярной электроники

список ДОПОЛНИТЕЛЬНОЙ ЛИТЕРАТУРЫ

D 1. Geacintov N.E., Swenberg С.Е. Iп Luminescence Spectroscopy (Rd. М. Lamb)/ NY: Academic Press, 1978.

О2. Будущее технологии - молекулярная электроника //Зарубежная радио­ электроника, 1988, N~ 1, с. 73.

03. СапепFL. Iп: VLSI technologies through the 80s and beyond. Ed.

04. Lvov У.М., Decher G. Assemly of Multilaser Ordered Films Ьу Alternating Adsorption of Oppositely charged Macromolecules // Crystallography Reports, 1994,

v. 39, Н2 4, р.628-647.

05. Львов Ю.М., ФейгинЛ.А. Ленгмюровскиепленки - получение, струк­ тура, некоторые применения //Кристаллография, 1987, т. 32, с. 800-814.

06. КиселевВ.Ф., ЛьвовЮ.М., ПлотниковГС. Оптическаяпамять в струк­ турах кремний-фталоцианиновыепленкиЛенгмюра-Блоджетт//Микроэлектро­

ника, 1990, т. 19, в. 4, с. 341-347.

07. КиселевВ.Ф., Козлов С.И., Плотниковгс. О стимулированииразрядки глубокихловушекдиэлектрикапутемэлектронноговозбужденияадсорбирован­ ных молекул //Письмав ЖТФ, 1981, т. 7, H~ 16, с. 937-939.

08. Bespa/ov VA., Kiselev VA. Plotnikov G.s., Saletski; А.М. Fluorescence Dесау of Adsorbed.

О9. Зайцев В.Б., Киселев В.Ф., Плотников ГС. Использование вибронных эффектов с целью повшения селективностиполупроводниковыхсеноровдля га­ зового анализа //Химическаяфизика, 1992, т. 11, Н2 8, с. 1081-1085,

D 10. Зайцев В. Б., Зотеев А.В., Киселев В. Ф., Плотников ГС.. Вибронные эффекты в поверхностных фазах и молекулярная электроника //Вестн. Моск. ун­ та, сер.3, физика, астрономия, 1992, т. 33, Н2 2, С. 3- 18.

011. Зайцев В.Б., ЖидомироваС.Г, Плотниковг.с.. Штарковские сдвиги полосы флуоресценции молекул красителей, адсорбированных на поверхности полупроводника //Химическая физика, 1990, т. 9, Н2 4. С. 485-192.

012. Зайцев В.Б., Левшин Л.В., ПлотниковГС., Салецкий А.М. Влияние заряженныхлокальныхцентровдиэлектрическойпленкина температурныезави­ симости спектров флуоресценции в структурахдиэлектрик-полупроводник// Химическая физика, 1988, т. 7, Н2 6. С. 731-733.

013. Зайцев В.Б., КиселевВ.Ф., ПлотниковГС. Диагностикаи управление

поверхностнымисостояниямив структурахдиэлектрик-полупроводникс помо­

щью люминесцирующихмолекул-зондов//Оптоэлектроникаи полупроводнико­

вая техника, 1991, в. 20, с. 71-78.

014. Дрозд В.Е., Левшин Л.В., ПлотниковГС., Салецкий А.М. Люминес­ ценция адсорбированныхмолекул эритрозинав системе полупроводник-моле­ кулярно-наслоенныйдиэлектрикI/ЖПС, 1984, т. 41, H~ 34 с. 575-580.

164